نتایج جستجو برای: کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک
تعداد نتایج: 100988 فیلتر نتایج به سال:
الکترون ها در هنگام عبور از ماده توسط ناخالصی های موجود در آن پراکنده و با افزایش ناخالصی جایگزیده می شوند. بدین ترتیب گذار فلز به عایق اتفاق می افتد. این پدیده اولین بار توسط اندرسون مطرح شد و به جایگزیدگی اندرسون معروف است. در این پایان نامه به بررسی جایگزیدگی اندرسون امواج الکترومغناطیسی پرداخته ایم. معادلات ماکسول مبنای مطالعه ما قرار گرفته و محیط را ساختاری با دی الکتریک ها با ضریب تصادفی ...
سابقه و هدف: گیاه پالایی مقرون به صرفه سازگار با محیط زیست است که در آن گیاه از تواناییهای طبیعی خود برای بازیابی استفاده میکند. گیاهان مورد باید توانایی انباشت مقادیر زیادی آلایندههای فلزی را بدون ایجاد سمیت آنها داشته باشند. امروزه افزایش جمعیت جهان به دنبال توسعه صنایع کارخانهها، بر میزان پسابهای وارده غالبا حاوی فلزات سنگین مختلف میباشند، افزوده میشود. تاثیرات مخرب...
در این پایان نامه قصد داریم میدان الکترومغناطیسی را در حضور تیغه دی الکتریک پاشنده اتلافی که توسط
در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...
جالب ترین نانوساختارهای کربنی با کاربرد عملی گسترده ، نانولوله های هستند که یک ساختار منحصر به فرد از اتم های کربن می باشند . از زمان کشف نانولوله های کربنی توسط ایجیما ، محققان توجه خاصی به این ترکیبات جدید کربن داشته اند که عمدتا مربوط به یافتن خواص منحصر به فرد و بی نظیر نانولوله ها و کاربردهای بالقوه این مواد می باشد که بر این اساس در فصل اول ، ساختارهای کربنی شامل الماس ، گرافیت ، فولرن ها...
در این پایان نامه، خواص نوری پلاسمون های سطحی و نیز موجبرهای پلاسمونی مورد بررسی قرار گرفته است. تزویج نور از یک موجبر دی الکتریک معمولی به داخل موجبر پلاسمونی به طور کامل ارائه و اثر پارامترهای مختلف بر روی میزان تزویج بیان شده است. در یک ساختار کوپلاژ ساده به راندمان 67% و در ساختار بهینه شده به میزان 90% در ضریب عبور نور دست یافتیم. در مرحله بعدی، پس از انتخاب ابعاد و ساختار مناسب موجبری (mi...
افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...
در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا ب...
در این پژوهش، به ساخت و بررسی تخلیه سد دی الکتریک میکرومتری در فشار اتمسفری پرداخته شده است. بدین منظور به صورت کلی پلاسمای اتمسفری معرفی و سپس میکروتخلیه های فشار اتمسفری که در طبقه پلاسماهای اتمسفری غیر حرارتی قرار دارند بررسی شده است. از میان میکروپلاسماها، ویژگی-ها،مبانی فیزیکی وشرایط ارائه میکروتخلیه های کاتد با حفره میکرومتری (mhcd) در فشار اتمسفری بررسی شده است. در ادامه روند ساخت سیستم ...
در این تحقیق، نانوپودر سرامیکی pb(zr1-xtix)o3 به ازای x =0/48، در نزدیکی مرز مورفوتروپیک، به دو روش همرسوبی و احتراق ژل تهیه شدند. تاثیر دمای تکلیس بر ساختار و ویژگی های نانوپودرهای pzt تهیه شده به روش احتراق ژل بررسی شد. پارامترهای اپتیکی از جمله ضریب شکست، قسمت حقیقی تابع دی الکتریک و فونون های اپتیکی، در گستره عددموج 400cm-1 تا 4000cm-1، به کمک روابط کرامرز- کرونیگ محاسبه شدند. گاف اپتیکی نم...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید