نتایج جستجو برای: کامپوزیت های al sic
تعداد نتایج: 932140 فیلتر نتایج به سال:
The wear resistance mechanisms of a silicon carbide (SiC) paticulate reinforced Al–Li alloy composite at 250°C by a pyramidal indenter have been studied. It is found that the subsurface damages that control the wear resistance are: generation of dislocations and cracks in the SiC particles, interface debonding between matrix and reinforcements and plastic deformation of the matrix. © 1998 Elsev...
sic یا سیلیسیم کاربید یکی از ترکیبات دارای سختی و مدول بالا و دارای اهمیت در زمینه کامپوزیت و نیز الکترونیک می باشد. نانوویسکرهای sic از جدیدترین محصولات این ماده است که تولید آن به سال های اخیر باز می گردد و هنوز کاربردی از آن در پلیمرها منتشر نشده است. با توجه به نسبت ابعادی بیشتر نانوویسکرها نسبت به نانوذرات، در این پژوهش با استفاده از رزین اپوکسی و پراکنش پرکننده سیلیسیم کاربید در سه نوع می...
در این پژوهش احیای اکسید بور بوسیله سیلیسیم و منیزیم جهت سنتز درجای نانوکامپوزیت SiC-B4C بررسی و مقایسه شد. ابتدا مواد اولیه در دو گروه یکی شامل سیلیسیم، کربن و اکسید بور و دیگری شامل منیزیم، اکسید بور، کربن و سیلیسیم توزین شدند. پودرهای توزین شده تحت آسیاکاری بوسیله آسیای سیاره‌ای با اتمسفر کنترل شده آرگون قرار گرفته و از پودرهای آسیا شده بوسیله پرس سرد نمونه تهیه شد. نمونه‌ها در کوره تیوبی با...
ساخت ورقهای نانوکامپوزیت al/cnt’s با استفاده از فرآیند اتصال نوردی تجمعی arb و بررسی خواص آنها کامپوزیت های al/cnt’sبا توجه به خواص منحصر بفرد مانند استحکام بالا، سفتی، سختی بالا و سبکی در صنایع هواوفضا، خودروسازی، الکترونیک، ساخت ابزارهای ریز و..... کاربردهای فراوانی دارند. بطورکلی جهت تولید اینگونه مواد مرکب زمینه فلزی روشهای مختلفی مطرح می باشد از جمله روش متالورژی پودر، روش اتصال نوردی، ...
در این پایان نامه اثر پارامترهای خارجی و ساختاری بر رفتار خزشی ماده مرکب al-sic و همچنین زمینه تقویت نشده مورد بررسی و تحقیق قرار می گیرد. کلیه قطعات به کارگرفته شده در انجام آزمایش ها با روش متالورژی پودر و طی چهار مرحله مخلوط سازی، فشرده سازی، اکستروژن و ماشینگاری ساخته شدند. این قطعات حایو 5، 10 و 15 درصد حجمی از ذرات فاز تقویت کننده در دو اندازه 5 و 40 میکرون می باشند. آزمایش ها نشان دادند ...
We report here, the results of molecular dynamics simulation of p-doped (Ga-face)GaN over n-doped (Siface)(0001)4H-SiC hetero-epitaxial material system with one-layer each of Ga-flux and (Al-face)AlN, as the interface materials, in the form of, the total Density of States (DOS). It is found that the total DOS at the Fermi-level for the heavily p-doped (Ga-face)GaN and ndoped (Si-face)4H-SiC het...
SiC reinforced Aluminum samples were produced by stir casting of liquid AA1200 aluminum alloy at 600-650oC casting temperature. 83μm SiC particles were rinsed in 10g/l, 20g/l and 30g/l molar concentration of Sncl2 through cleaning times of 0, 60, 120, and 180 minutes. Some cast samples were tested for mechanical properties and some were subjected to heat treatment before testing. The SnCl2 rins...
چکیده در این پروژه از فرآیند اتصال – نورد با آنیل پیوسته(car) برای تولید کامپوزیت های زمینه فلزیal-1%wtti-1%wttio2 (با اندازه میانگین ذرات 2 میکرومتر) و al-1%wtti-1%wttio2 (با اندازه میانگین ذرات 50 نانومتر) و کامپوزیت al-ti با درصدهای وزنی مختلف تیتانیوم 5/0، 1، 5/1، 2، 4 و 6 استفاده شده است. پارامترهای مختلفی روی خواص نهایی کامپوزیت تاثیر گذارند که در این تحقیق اثر سه پارامتر مهم یعنی تعداد ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید