نتایج جستجو برای: نوارهای آمورف co67fe4cr7si8b14

تعداد نتایج: 1529  

روش تولید ریزساختار آمورف/فوق ریزدانه به‌ وسیله فرآوری اصطکاکی اغتشاشی زیر آب یک روش نوین می‌باشد که با استفاده از یک ابزار در حال چرخش، فلز زمینه غوطه ور در آب را به حالت خمیری در می‌آورد تا ساختار کریستالی در حین تبلور مجدد دینامیکی از حالت منظم خارج و بی‌شکل شود و یا پس از تبلور مجدد مانع از رشد دانه‌ها گردد. بدین منظور برای انجام فرآوری اصطکاکی اغتشاشی بر روی مس خالص تجاری و آلیاژ برنج در ز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان 1390

در این پژوهش ساخت آلیاژهای نانوساختار ni50ti25nb25، ni50ti40nb10و ni50ti45nb5و ساخت نانوکامپوزیتni50ti25nb25-al2o3با دو درصد وزنی al2o3 به مقادیر 5 و 10 و نانوکامپوزیت استوکیومتری با زمینه ni50ti25nb25، ni50ti40nb10و ni50ti45nb5 به روش آلیاژسازی مکانیکی بررسی گردید. ساخت تمامی آلیاژهای فوق در آسیاب گلوله ای سیاره ای و تحت اتمسفر گاز آرگون انجام شد. مطالعات ریزساختاری به وسیله آزمون های پراش پرت...

این مقاله به بررسی خواص فیزیکی و مکانیکی پوشش‌های سخت و فوق سخت ایجاد شده به روش کندوپاش مغناطیسی می-پردازد. سپس خواص مکانیکی لایه‌های سخت بررسی شده،موضوعاتی مانند؛ پوشش‌های نانوکامپوزیتی با سختی افزایش یافته، پایداری حرارتی آن‌ها، مقاومت به اکسیداسیون آن‌ها در دمای بالای 1000، پوشش‌های آمورف مقاوم به حرارت در دمای بالای 1000 و پوشش‌های نانوکامپوزیتی سخت پیشرفته جدید با چقرمگی افزایش یافته بررس...

در این کار روشی خودکار برای اندازه­گیری صافی سطح قطعات نوری از طریق آزمایش­های تداخل سنجی ارائه شده است. ابتدا روابط موردنیاز برای توصیف چگونگی شکل­گیری نوارهای تداخلی در آزمایش­های صافی سطح به دست آمده­اند. با توجه به روابط به دست آمده و وصف چگونگی انحراف نوارهای تداخلی از حالت صاف به حالت انحنادار در صورت ناصاف بودن سطح قطعه، روش استاندارد اندازه­گیری صافی سطح مورد بررسی قرار گرفته است. در اد...

در این مقاله عملکرد سوئیچ‏ پلاسمونیکی در طول‏موج‏های مادون‏قرمز میانی با استفاده از نانو نوارهای گرافنی تک‏لایه و چندلایه تحلیل و طراحی شده است. از تغییر پتانسیل شیمیایی (μ_c ) برای تغییر رسانایی سطحی در گرافن استفاده شده است. با تغییر جزئی در پتانسیل شیمیایی گرافن، جابجایی عمده‏ای در فرکانس تشدید (∆λ) و عمق مدولاسیون (MD) حاصل شده است. شبیه‏سازی عددی با روش المان محدود نشان داده است که سوئیچ ط...

ژورنال: :فصلنامه علمی - پژوهشی مواد نوین 2011
محمدرضا غضنفری رسول امینی مرتضی علیزاده حامد احمدی اردکانی محمد غفاری

در این پژوهش، ترکیب الکتروسرامیک بیسموت – سدیم - باریم تیتانات (bi0.5na0.5)0.94ba0.06tio3 ((bnbt به روش آلیاژسازی مکانیکی تولید شد و ساختار، ریزساختار، ترکیب شیمیایی و رفتار حرارتی آن به ترتیب به وسیله ی آنالیز پراش اشعه ی ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، آنالیز edx و آنالیز حرارتی dta/tg بررسی شد. به کمک آنالیز xrd مشخص شد که در زمان های نخستین آسیاب کاری، پیک های مربوط به مواد اولی...

ژورنال: پترولوژی 2019

پی‌سنگ کراتونی در منطقه کابل از برونزد وسیعی برخوردار است و متشکل از گنیس، میگماتیت، شیست و آمفیبولیت می‌باشد. بعضی گنیس‌ها دارای کانی‌های شاخص ارتوپیروکسن و گارنت هستند و بنابراین شارنوکیت محسوب می‌شوند. کانی‌های سنگ-ساز میگماتیت‌ها بیوتیت، کوارتز و فلدسپار می‌باشند و فراوانی مودال آنها در ملانوسوم و لوکوسوم متفاوت است. گارنت، کیانیت، کوارتز، فلدسپار، موسکویت و بیوتیت کانی‌های اصلی نمونه‌های ش...

اندازه گیری سرب در کاج تهران در پنج نوار به موازات اتوبان تهران-کرج و در دو فصل بهار (اردیبهشت) و تابستان (شهریور) صورت گرفت. برای اندازه گیری از دستگاه جذب اتمی استفاده شد. میزان سرب جذب شده در فصل تابستان در نوار نمونهبرداری مجاور اتوبان حدود سه برابر بیشتر از نوارهای نمونهبرداری دور از اتوبان (قسمت داخل و انتهایی پارک در ضلع جنوبی) بوده است. همچنین جذب بهاره سرب در کاج در نوار نمونهبرداری مج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1394

مناسب ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست یابی به پاسخ امپدانسی مناسب تر به وسیله آلیاژهای آمورف، روش های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان نامه بازپخت میدانی-جریانی روی نمونه انجام گرفته است و اثر آن بر روی امپدانس مغناطیسی و نامتقارنی امپدانس(ami) بررسی شده است....

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1392

اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید