نتایج جستجو برای: میکروسکوپی تونل زنی روبشگری

تعداد نتایج: 13262  

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1392

بطور خلاصه در این پایان نامه به مطالعه رسانش تونلی وابسته به دما در بایاس صفر در اتصالی خواهیم پرداخت که میان یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج-d واقع شده است، اهداف ما عبارتند از محاسبه ضرایب بازتاب نرمال و آندریف در اتصال، محاسبه رسانش تونلی در دمای صفر و نهایتا محاسبه رسانش بایاس صفر بر حسب دما می باشد. برای این کار از نظریه پراکندگی btk بهره می گیریم، روش اجرا به این صورت است که ابتدا با...

ژورنال: مهندسی سازه 2009

یکی از مسائل جالب توجه و پیچیده تونلسازی، ساخت یک تونل جدید در مجاورت یک تونل از پیش موجود است. در موارد متعددی از قبیل توسعه شبکه راه استفاده از سیستم تونل‌های دوقلو ضروری می‌باشد. احداث تونلی که جدیداً می‌خواهد احداث شود، باعث می‌شود که بار اضافی قابل توجهی به تونل از پیش موجود انتقال یابد. هر چه فاصله دو تونل بیشتر باشد بار انتقال یافته به تونل قبلی کمتر خواهد بود. فاصله دو تونل که در آن بار ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده کشاورزی 1392

این پروژه به منظور بررسی روابط بین نانوساختارهای سطحی لایه جنینی بذرچغندر قند و صفات فیزیولوژیک در قالب طرح بلوک های کاملا تصادفی با سه تکرار انجام گرفت. در این آزمایش بذور 10 رقم از چغندر قند شامل 31888، ، 31889،31923، 31924،31928، جلگه، sbsi005، sbsi006، f-20659، گدوک انتخاب شد. صفات فیزیولوژیک مانند سرعت جوانه زنی، 50 درصد جوانه زنی، درصد قوه نامیه، ویگور، وزن هزاردانه، وزن هزارجنین، وزن هزا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تفرش - دانشکده عمران 1391

بعضی از توده های سنگی به ویژه آنهایی که حاوی کانی های رسی هستند، بر اثر جذب آب، در طی زمان به تدریج افزایش حجم داده و چنانچه در مقابل این افزایش حجم مانعی ایجاد شود، منجر به اعمال فشار به مانع می شود. در اینگونه توده های سنگی چنانچه تونل حفاری شود و توجه کافی به خواص تورمی توده اطراف نشود، پس از نصب پوشش نهایی و در طی زمان بهره برداری، پوشش تونل تحت فشار قرار گرفته و اغلب دچار ترک، شکستگی و خرا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1393

ماشین حفاری تمام مقطع یکی از مناسب¬ترین تجهیزات موجود در صنعت تونل¬سازی می¬باشد. ماشین¬های مدرن تونل¬زنی کاربردهای فراوانی دارند و به شکل مطلوبی در شرایط ژئوتکنیکی مختلف مورد استفاده قرار گرفته¬اند. تاکنون تحقیقات فراوانی برای پیش¬بینی نرخ نفوذ و پیش¬بینی و ارتباط آن ها با پارامترهای زمین¬شناسی و دستگاه انجام پذیرفته است. اگرچه تا کنون مدل¬های ارائه شده، در پیش¬بینی نرخ نفوذ و پیشروی tbm دستگاه...

ارزیابی برهمکنش بین فضای زیرزمینی جدید و فضاهای زیرزمینی موجود و ارائه راهکارهای مناسب یکی از مهم‌ترین موضوعات تونل ­سازی در محیط شهری است که توجه به آن از اهمیت خاصی برخوردار می ­باشد. در این مقاله، مدل عددی سه­ بعدی تفاضل محدود تونل ­های دوقلو و تکی در محیط شهری ارائه شده است. هدف از این تحقیق، ارزیابی تأثیر افزایش عمق تونل تکی، در فاصله افقی یکسان، بر اندرکنش بین تونل­ ها با معیار قرار دادن ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - پژوهشکده علوم 1393

کلپوره، با نام علمی teucrium polium l.، گیاهی دارویی، متعلق به خانواده¬ی نعناع است که به نظر می¬رسد روش کشت بافت این گیاه، به دلیل کوتاه بودن دوره¬ی رشد و خطر انقراض آن کارآمد باشد. از سوی دیگر کلپوره با خاصیت آنتی¬اکسیدانی بالا، خواص درمانی بسیاری دارد که از این جهت مورد توجه است. در این پژوهش، ابتدا اثر تیمارهای مختلف فیزیکی (استراتیفیکاسیون و خراش) و شیمیایی(غلظت¬های مختلف جیبرلیک اسید (mg.l...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1388

تلاش زیادی که در طراحی مدار های الکترونیکی با چگالی بالا (مجتمع سازی) صورت گرفته است با چند چالش اساسی مواجه شده اند. بارزترین آن ها، رشد فیلم های دی الکتریک فرا نازک نظیر al2o3 , aln, tio2 , si3n4 , sioxny است. رشد فیلم های فرانازک با استفاده از اکسیژن و نیتروژن می تواند دو مشکل نفوذ بور و تونل زنی از گیت دی الکتریک را کاهش دهد. در اینجا ما طیف فوتوگسیلی اشعه ی x در si2p , si2s , o1s ,n1s را ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1388

در پایان نامه حاضر، به بررسی و مطالعه ی اثرات ناهمواری فصل مشترک بر روی ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای غیرمغناطیسی و مغناطیسی در رژیم همدوس می پردازیم. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم موثر و در تعیین مغناطش قطعات نیمرسانای مغناطیسی در اتصالات، از تقریب میدان متوسط استفاده شده است. برای توصیفی نزدیک تر به واقعیت از ترابرد الکتریکی در نانوساختارها، ناهمواری ها در فص...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید