در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

در این پروژه، داده های دی الکتریک مخلوطهای دوجزئی ( اتیل استات/ بوتیل استات + ایزو امیل الکل ) و (اتیل استات/ بوتیل استات + ترشیو بوتیل الکل) به صورت تجربی در کسر مولی های مختلف در دمای( 2/298 کلوین ) بررسی شدند. ممان دوقطبی (ایزو امیل الکل ، ترشیو امیل الکل ، ترشیو بوتیل الکل ، اتیل استات و بوتیل استات) در حلال سیکلوهگزان با بکارگیری معادله گوگنهام اندازه گیری شدند. فاکتورهای همبستگی به منظور ...

با استفاده از الگوریتم بازگشتی یانگ پراکندگی نور توسط نانوپوسته ها بررسی می شود. نانوپوسته تشکیل شده از یک هسته ی دی الکتریک یا فلز که با چند لایه از جنس دی-الکتریک یافلز پوشیده است. هنگامی که به نانوپوسته موج تخت بتابانیم. درون آن پلاسمون سطحی جایگزیده ایجاد می شود. پلاسمون سطحی جایگزیده (lsp) به ضریبشکست، شکل و اندازه ی هسته و پوسته وضریبشکست محیط اطراف بستگی دارد. نشان داده می شود که می-توان...

در این پایان نامه، یک صفحه دوبعدی با سطحی ناهموار در نظر گرفته شد و تاثیر پارامترهای ناهمواری بر تابع دی الکتریک بررسی شد و نمودارها نشان داد که قسمت موهومی تابع دی الکتریک که معرف جذب می باشد، با افزایش طول همبستگی (میانگین فاصله بین پیک های ناهمواری سطح) و ارتفاع ناهمواری (میانگین ارتفاع ناهمواری ها)، افزایش می یابد. افزایش این دو پارامتر، تاثیر قابل توجهی بر فرم تابعی قسمت موهومی تابع دی ال...

تأثیر انواع مواد هادی و دی الکتریک مختلف در دو پارامتر ذکر شده برای موجبر گوبائو اصلاح شده مورد بررسی قرار گرفته است، بطوریکه یک بار با تغییر دادن جنس فلز (مس، آلومینیوم و تنگستن) و ثابت نگه داشتن جنس دی الکتریک (تفلون) و بار دیگر با تغییر دادن جنس دی الکتریک (تفلون، پلی استر و پلی آمید) و ثابت نگه داشتن جنس فلز (مس) مورد بررسی قرار گرفته است که تنگستن از میان سه فلز منتخب و پلی آمید از بین سه ...

هدف از انجام این پایان نامه، مطالعه ساختار جریان در اطراف یک استوانه دوار با وجود یک عملگر پلاسمایی با چهار دی الکتریک متفاوت است که عبارت اند از : پی وی سی، پی تی اف ای، پلی متیل متاکریلات (پلکسی گلس) و کوآرتز. برای سه مدل استوانه با جنس های دی الکتریک پی وی سی، پی تی اف ای، و پلی متیل متاکریلات توسط دو الکترود و برای مدل استوانه با جنس دی الکتریک کوآرتز توسط سه الکترود تخلیه الکتریکی صورت گرف...

امکان سنجی استفاده از ویژگی های خازنی برای تشخیص رسیدگی سیب درجه بندی محصولات کشاورزی یکی از فرآیندهای مهم در روند فرآوری آنهاست که بر بازارپسندی و ارزش افزوده محصول تأثیرگذار است، درجه بندی میوه ها و سبزی ها بر اساس رسیدگی آن ها یکی از معمول ترین روش ها است. در این تحقیق از روش غیر مخرب خازنی استفاده شد. بدین منظور یک سامانه آزمایشگاهی برای اندازه گیری ظرفیت حسگر خازن طراحی و ساخته شد. عملک...

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد mbe و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسب فاصله مح...

امروزه نانوساختار تیتانات باریم-استرانسیم به دلیل خواص فروالکتریک و ثابت دی الکتریک بالا مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف از این پژوهش، سنتز نانو پودر های دی الکتریک تیتانات باریم استرانسیم به روش سل- ژل می باشد. بدین منظور دو ترکیب مختلف ba0.7sr0.3tio3 وba0.5sr0.5tio3 از تیتانات باریم استرانسیم با استفاده از مواد اولیه، استات باریم، استات استرانسیم، ایزوپروپوکسید تیتانیم، استیل ا...

امروزه ابعاد قطعات و تراشه های الکترونیکی وارد حوزه نانو مقیاس شده است. ترانزیستورهای فیلم نازک با مواد آلی (otft) با گیت دی الکتریک بسیار نازک هیبریدی مواد آلی و معدنی درکار حاضر دارای خواص الکتریکی خوب از جمله ثابت دی الکتریک بالا و چگالی جریان نشتی کم در ضخامت کمتر از 40 نانومتر هستند.پژوهشگران دریافتند که گیت های دی الکتریک پلیمر، دارای ثابت دی الکتریک پایین وچگالی جریان نشتی عبوری بالاهستن...