در این پروژه یک تقویت کننده کم نویز با ساختار بدون سلف در تکنولوژی 130 نانو ( 0.13 µm ) با پهنای باند 3.5 گیگا هرتز با ولتاژ تغذیه 1.8 ولت طراحی و شبیه سازی شده است که بهره توان آن 27 دسی بل ، تلفات ورودی کمتر از 12- دسی بل ، عدد نویز بسیار مطلوب 2.8 دسی بل ، خطینگیdbm 6.1 و ضریب پایداری بسیار خوب بیش از 110 میباشد.

سابقه و هدف: در فناوری میدان الکترواستاتیک با ولتاژ بالا با اعمال یک میدان الکتریکی بین دو الکترود نقطه‌ای و صفحه‌ای، جریان هوای موجود در سطح ماده غذایی یونیزه شده و جریان حجمی از هوا موسوم به باد کرونایی شکل می‌گیرد که با ایجاد اغتشاش در لایه مرزی سطح فراورده موجب افزایش انتقال حرارت می‌شود. در این فناوری، تولید اوزون به‌دنبال تخلیه کرونایی و یونیزه شدن هوا، می‌تواند موجب کاهش رشد میکروبی شود....

پایداری ولتاژ یک مسئله اساسی در سیستم قدرت می باشد. در این مقاله پایداری ولتاژ از حیث استاتیکی، و کاربرد شبکه عصبی و svm در تخمین حد پایداری و نیز پیش بینی پایداری ولتاﮊ بررسی شده است. پایداری ولتاژ در دو بخش مورد ارزیابی قرار گرفته است. در بخش اول، محاسبه حاشیه پایداری استاتیکی ولتاژ به وسیله شبکه عصبی rbf بیان می شود. مزیت روش استفاده شده، دقت بالای آن در تشخیص حاشیه پایداری ولتاژ به صورت بهن...

ژنراتور القایی تغذیه دوبل مزایای متعددی نسبت به ژنراتورهای دیگر تولیدکننده‍ی برق بادی دارد. dfig نسبت به کمبود ولتاژ پایانه‍ی ژنراتور بسیار حساس است. زیرا افت ولتاژهای عمیق باعث القای ولتاژهای ضد محرکه‍ی بزرگ در رتور می شود که این امر منجر به عبور جریانهای گذرای شدید از رتور و افزایش ولتاژ واسط dc در مبدل الکترونیک قدرت و در نتیجه آسیب دیدن مبدل الکترونیک قدرت می گردد. این مقاله در ابتدا به مدل...

در این مقاله مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل­زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی محاسبه و با نتایج حاصل وقتی تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد مقایسه شده است. برای محاسبه مشخصه جریان- ولتاژ نیاز به محاسبه ضریب عبور الکترون­ها از ساختارهای سد و چاه در این قطعه می­باشد که برای محاسبه ضریب عبور الکترون­ها در حضور تابش الکترومغناطیسی روش تفاضل متناهی حوزه زمانی ( fdtd ) و در حالتی که تابش الکترومغن...

در این مقاله ساختار جدیدی از مبدل های dc به dc بدون ترانسفورمرِ متقارن به منظور افزایش بهره ولتاژ آن ارائه شده است. می توان با توسعه ماژولار سیستم پیشنهادی، حداکثر بهره ولتاژ مبدل و همچنین تنش کلیدهای قدرت را به دلخواه تنظیم نمود. ساختار ارائه شده مبتنی بر مدارات خازن/سلف کلیدزنی شونده بوده و به گونه ای طرح شده است که همه کلیدهای مبدل توسط یک مدار مدولاسیون پهنای باند (pwm) کنترل می شوند. جریان ...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه دو تنظیم کننده ولتاژ ldo معرفی شده است، طوری که به دو روش آنالوگ و دیجیتال به کنترل اندازه ترانزیستور عبوری پرداخته شده است. در هر مورد مدار ldo پیشنهادی با استفاده از نرم افزار hspice در تکنولوژی mµcmos 0/35 برای ایجاد ولتاژ خروجی 2/8v به ازای ولتاژ ورودی 3v شبیه سازی شده است. مدارهای ldo پیشنهادی قابلیت جریان دهی به محدوده وسیعی از بار (0 تاma 100) را دارا هستند و به ازای جر...

در این پژوهش دو ساختار جدید از سوئیچ سری تحریک الکتروستاتیک با استفاده از تکنولوژیmemsارائه می شود. طراحی هندسی ساختار اول با استفاده از دو فنر ال-شکل که بین بیم و تکیه گاه تعبیه شده اند,انجام شده است. که در این طراحیبه علت سطح تماس بیشتر فنرها با سطح مقطع بیم نواحی تنش افزایش یافته و باعث کاهش مقاومت ساختار در اثر اعمال نیرو می شوند. این فنرها نیروی بازگرداننده ی پایینی فراهم می کنند که این با...

با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته و فرمولبندی لانداور، اثر دما بر مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) مولکول c60 در سیستم فلز/c60/ فلز به صورت عددی بررسی می شود. علاوه بر این، تاثیر قدرت جفت شدگی الکترون- فونون بر خواص الکترونی این مولکول نیز مورد بحث قرار می گیرد. مشخصه های i-v مولکول در دو حد دمایی t=3k و t=300k تعیین می شوند. نتایج ما نشان می دهد، مولکول c60 که در دماهای پایین خاصیت نیم رس...