نتایج جستجو برای: مرز فلزی نیم رسانا

تعداد نتایج: 21799  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - پژوهشکده علوم پایه کاربردی 1391

نتایج نشان می دهدکه این دسته از ترکیبات همگی نیم رسانا هستند،که ترکیب bese نیم رسانای با گاف غیرمستقیمبا گاف نواریبرابرev)62/3= ) و گاف مستقیمبا گاف نواریبرابر ev)5= ) و برای بقیه ی ترکیبات سه تایی با مقادیر (75/0و5/0و25/0و0 =x) همگی نیم رسانای با گاف مستقیمبا گاف نواریبه ترتیب برابر ev(7/3و7/2و4/2و07/2) می باشند. افزودن بریلیم به ترکیب cdse با غلظت های مختلف xبا مقادیر (1و75/0و5/0و25/0و0 =x ) ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1392

در سالهای اخیر حوزه مواد مغناطیسی نیمه رسانای رقیق شده به دلیل کاربرد آنها در ابزارهای الکترونیکی و اسپین ترونیک در سراسر جهان مورد توجه زیادی قرار گرفته است ..به دست آوردن نیمه رساناهایی که در دمای اتاق خاصیت فرومغناطیسی داشته باشند یکی از آرزوهای پژوهشگران درتمامی سالهای اخیر بوده است در عین حال روش تهیه این مواد هم مسئله چالش برانگیزی می باشد.به دست آوردن روشی که هم هزینه کمتر و هم شرایط آسا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1392

در این پایان نامه به بررسی اثرات ساختاری بر روی دیود های نور گسیل مواد ganمی پردازیم که ساختار آنها به صورت توالی algan/gan/algan می باشد. هدف ما این است که به تاثیراتی که ساختار دیود نور گسیل روی نرخ گسیل خودبخودی دارد پی ببریم. زیرا افزایش نرخ گسیل به ما گمگ خواهد کرد که ledهایی با بهره نوری بالا داشته باشیم. پس در ابتدا به بررسی نیم رسانا ها و اتصالات نامتجانس پرداخته و سپس در مورد چاههای کو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی مواد 1392

امروزه استفاده از فولادهای زنگ نزن به عنوان یکی از مهم ترین روش های افزایش پایداری بتن های تقویت شده در محیط های بسیار خورنده است. فولاد زنگ نزن 304 یکی از مهم ترین انواع فولادهای زنگ نزن می باشد که بطور عمده در بتن ها مورد استفاده قرار می گیرد. مقاومت به خوردگی این نوع فولاد به خاطر تشکیل فیلم محافظ می باشد که ضخامت این فیلم در حدود چند نانومتر بوده و اغلب اوقات باعث کاهش هدایت یونی و الکترونی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1393

امواج تراهرتز در طیف الکترومغناطیسی، از نظر فرکانسی در حد فاصل محدوده علم الکترونیک و اپتیک قرار می گیرد. به همین دلیل تا مدت ها این محدوده فرکانسی، به گپ تراهرتز معروف بود. اما امروزه تحقیقات گسترده¬ای بر روی این بازه از فرکانس ها انجام می گیرد تا از روش های مختلف بتوان به فرکانس و توان تراهرتز مورد نظر دست یافت. در این پایان نامه تولید امواج پیوسته تراهرتز به روش فوتومیکس تحلیل و شبیه سازی شد...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده فیزیک 1393

در این پژوهش، با استفاده از روش ارزان قیمت سل-ژل، اکسیدروی نوع مثبت تهیه شد و سپس بر پایه آن، با استفاده از نیم رسانای سیلیسیوم نوع منفی، اقدام به ساخت دیود نوری پیوندی مثبت-منفی نمودیم. بطور کلی اکسیدروی نیم رسانایی با گاف انرژی بزرگ 3/37 ev بوده و به واسطه فراوانی و قیمت ارزانی که داراست گزینه مناسب و پرکاربردی جهت ابزار الکترواپتیکی بشمار می رود، اما ناپایدار بودن نوع مثبت این نیم رسانا سد ب...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده فیزیک 1393

هرگاه افزاره ی نیمه رسانایی به وسیله ی رابط فلزی در مدار قرار گیرد، بازده افزاره می تواند تحت تاثیر تماس فلز-نیمه رسانا تغییر کند. تماس فلز-نیمه رسانای اهمی، علاوه بر داشتن مقاومت تماسی پایین و نمودار ولتاژ-جریانِ خطی، می بایست از پایداری گرمایی مناسبی برخوردار باشد. در این پژوهش ابتدا تماس های اهمی و شاتکی مورد بررسی قرار گرفته است. سپس با بررسی های انجام شده، بهترین گزینه ی فلزات تماسی به نانو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج - دانشکده علوم پایه 1393

با پیشرفت تکنولوژی در زمینه فن¬آوری نانو، امکان ساخت و طراحی سیستم¬های کوانتومی نیم رسانا در سال¬های اخیر فراهم شده است. به علت ویژگی‎های الکترونی و نوری منحصر به فرد، سیم‎های کوانتمی نیم رسانا، توجه بسیاری را به خود جلب کرده است. در چند سال اخیر بسیاری از گروه های پژوهشی رشد نانوسیم های نیم‎رسانا با ساختارهای چندگانه‎ی طولی را گزارش کرده اند. در این پایان نامه یک سیم کوانتومی با ساختار چندگانه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1388

در این پژوهش با ساخت سلول فوتوولتائیک لایه نازک دو لایه ای ناهمگون آلی بر پایه ی cupc/c60، نشان داده شد که مواد مورد استفاده در سلول با ساختار ito/pedot:pss/cupc/c60/ebl/ag شرایط اپتیکی لازم به منظور ایجاد طیف های جذب و عبور مناسب جهت جذب بهینه در لایه فعال را برآورده می کنند. نقش لایه سدکننده اکسایتون (ebl) مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت و دیده شد با استفاده از این لایه مشخصه های اصلی سلول شامل:...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید