هدف این پژوهش بررسی روش های مقابله با استرس در ورزشکاران گروهی و انفرادی با تأکید برجنسیت و سطح قهرمانی در ورزشکاران شرکت کننده مسابقات قهرمانی استان مازندران می باشد. جامعه آماری شامل 1092 نفر از ورزشکاران شرکت کننده در مسابقات قهرمانی رشته های گروهی و انفرادی با حداقل یک سال سابقه قهرمانی می باشند؛ نمونه آماری برحسب جدول مورگان با احتمال افت آزمودنی به ترتیب 380 نفر محاسبه شد. برای جمع آوری ا...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

از چند دهه گذشته جایگزینی اعضای آسیب دیده بدن و اعضایی که اعمال آن ها دچار نقص شده است، با یک پروتز به راهکار پزشکی استانداردی تبدیل شده اس. امروزه پروتز های عصبی نقش بسیار زیادی در درمان نابینایی، ناشنوایی، نقص حرکتی و ... ایفا می کند. یکی از این پروتزهای عصبی، پروتزهای بینایی می باشند که امروزه بسیار مورد توجه محققان قرار گرفته و دارای انواع مختلفی هستند."پروتز شبکیه" یا "شبکیه مصنوعی" یک ن...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

این مقاله به بهبود عملکرد یک مدار آشکارساز فاز- فرکانس مبتنی بر لچ پالس می‌پردازد. مدار پیشنهادی شامل تولیدکننده پالس، مدار لچ شامل دو گیت وارونگر و مدار بازنشانی است. با تغییر مسیر بازنشانی و کاهش زمان آن، ناحیه کور کاهش‌یافته و به‌تبع آن محدوده تشخیص فاز بیش از 16 درجه و فرکانس کاری مدار بیش از MHz 500 افزایش‌یافته است. این مدار به‌جای استفاده از سیگنال‌های خروجی برای بازنشانی مدار، از سیگنال...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...