نتایج جستجو برای: سیلیکون کربید

تعداد نتایج: 933  

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان تماس اهمی برروی بس بلور سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی و بااستفاده از دستگاه ماوراء صوت لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. نیکل بااستفاده از حمام وات برروی زیرلایة n+-Si در زمان های 10، 20 و 40 دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و تماس لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی برروی لایة نیکل انجام شده است. آنالیزهای XRD، SEM و EDX برای ب...

ژورنال: به زراعی کشاورزی 2015

تحقیق حاضر با هدف بررسی تأثیر تاریخ کاشت، محلول‌پاشی قارچ‌کش بنومیل و پتاسیم سیلیکات در بهبود کیفیت بذر سویا (رقم ‘ویلیامز’) در سال‌های 91-1390 در گرگان انجام گرفت. تیمارهای آزمایش در سال اول شامل تاریخ کاشت (31 فروردین، 23 اردیبهشت، 13 خرداد، 8 تیر و 31 تیر) و مصرف قارچ‌کش بنومیل در دو مرحلۀ R3 و R6 بود، و در سال دوم شامل تاریخ کاشت (11 اردیبهشت و 15 تیر)، مصرف قارچ‌کش بنومیل، مصرف سیلیکون (Si...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز 1390

یکی از پدیده های نوری که به شکل قدرتمندی در سیلیکون وجود دارد، پدیده پراکندگی رامان است. اندازه ضریب بهره رامان در سیلیکون هزاران برابر قدرتمندتر از سیلیکا است. این امر یک مزیت بزرگ برای سیلیکون به شمار می رود. اما متأسفانه پهنای باند بهره رامان در سیلیکون به حدود 100 گیگاهرتز محدود می شود. این امر نه تنها سبب محدود شدن آن در کاربردهایی با پهنای باند کم می شود، بلکه مانع از ایجاد تقویت کننده ها...

عمادض, سیدمحمدحسین ,

سابقه و هدف: انسداد مجاری اشکی نازولاکریمال با روشهای مختلف جراحی تحت درمان قرار می گیرد. هدف از این مطالعه مقایسه روش داکریوسیستورینوستومی بیرونی (Ex-DCR) با گذاشتن لوله سیلیکون و بدون آن و عوارض ایجاد شده در این دو روش می باشد.مواد و روشها: این مطالعه بر روی پرونده بیمارانی که طی سالهای 1385–1376 در بیمارستان شهید بهشتی شهرستان بابل تحت عمل جراحی Ex-DCR با یا بدون لوله سیلیکون قرار گرفته بودن...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

ژورنال: به زراعی کشاورزی 2017

این پژوهش به‏ منظور بررسی پاسخهای مورفولوژیکی و فیزیولوژیکی چمن کنتاکی بلوگراس(Poa pratensis L) به شوری و کاربرد سیلیکون در سال 1393 در گروه علوم باغبانی دانشگاه زنجان انجام شد. تیمارهای شوری (صفر، 40 و 80 میلی مولار کلرید سدیم) و سیلیکات سدیم  (صفر، 75/0 و 5/1 میلی مولار) در محلولهای کامل غذایی اعمال شدند. به‏طورکلی، شوری رشد ریشه و شاخساره، مقدار کلروفیل، کیفیت ظاهری چمن و میزان پتاسیم برگها ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1390

در این تحقیق، جذب گازهای 4ch، co، 2n، 2h و 2o بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) و نانولوله بور- سیلیکون (5,5) با استفاده از روش dft مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که جذب مولکول 4ch بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب ضعیف و بر سطح خارجی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون (5,5) جذب فیزیکی با انرژی جذب متوسط م...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده علوم پایه 1389

در این تحقیق جذب h_2 خالص و h_2 در مخلوط با گازهای ch_4 و?، n?_2 در نانولوله های سیلیکون-کربنی تک دیواره با روش شبیه سازی gcmc بررسی شده است. نانولوله های سیلیکون-کربنی تک دیواره (8 و8)، (9 و9)، (15 و15) و (22 و22) با قطرهای مختلف از 429/1 تا 929/3 نانومتر، در 4 دمای 15/77 ، 15/133، 15/177 و 15/298 کلوین و در فشارهای 15- 1/0 مگاپاسکال انتخاب شدند. در بررسی اثر دما، فشار و اندازه تخلخل در این نا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1370

فرآیند لیتوگرافی، یکی از اساسی ترین و پرهزینه ترین مراحل در ساخت مدارهای تجمعی است . در مقایسه با سایر فرآیندهای ساخت مدارهای تجسمی مثل : اکسیداسیون، ناخالص سازی و فلزگذاری که تحقیقاتی هم در زمینه شبیه سازی کامپیوتری این فرآیندها و هم در زمینه آزمایش عملی آنها با تکنیک های موجود در کشور انجام پذیرفته است ، در مورد لیتوگرافی هیچ تحقیق سازمان یافته و مشخصی که به جزئیات این فرآیند بپردازد، انجام ن...

در این تحقیق، سیلیکون متخلخل به روش نوین حکاکی ترکیبی شیمیایی و الکتروشیمیایی سنتز شد و تغییرات خواص اپتیکی و ساختاری بر اساس درجه تخلخل نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. در این روش سطح زیر لایه های سیلیکونی ابتدا توسط روش اچینگ شیمیایی به مدت Td (زمان تاخیر) آماده سازی گردید. سپس در روش اچینگ الکتروشیمیایی حفره‌های اولیه تولید شده در مرحله قبل، امتداد یافته و سیلیکون متخلخل یکنواختی ای...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید