نتایج جستجو برای: رشد لایه های نازک

تعداد نتایج: 506969  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اراک - دانشکده علوم انسانی 1388

در این پایان نامه مدل میدان فاز برای فرآیند رشد دانه تعریف شده است. در این مدل میکروساختارهای یک بس بلور به وسیله پارامتر نظم که خود تابعی از زمان و مکان است نمایش می یابد. تحول زمانی پارامتر نظم با استفاده از معادله گینزبرگ لاندائو به دست می آید. پس از انجام شبیه سازی دو بعدی و تعیین نمودار تغییر مساحت دانه ها با زمان، تغییر آهنگ مساحت دانه ها بر حسب اندازه دانه ها و میانگین تغییر مساحت دانه ه...

با توسعه ریزفناوری میکروماشین­کاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کرده­اند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی­الکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...

رضا افضل زاده سیدرضا طباطبایی بفروئی

ترموپیل‌های لایه نازک برای ساخت انواع حسگر‌های بسیار کوچک، به ویژه برای آشکارسازی پرتوهای حرارتی فروسرخ (IR ) کاربرد فراوان دارند. در این  مقاله نحوة طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Cu به صورت  خطّی و به روش تک لایه با 8  و 11 اتّصال سری، همچنین طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Sb  و Bi-Cu  دایره‌ای شکل به روش چند لایه‌ای با 100 اتصال سری به عنوان آشکارساز فروسرخ عرضه شده است. در این م...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
هاشم رفیعی تبار پژوهشکده فیزیک، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران

در طی سالهای اخیر, علوم و فناوری مقیاس نانو در رده نخست فعالیتهای پژوهشی بسیاری از مراکز تحقیقاتی جهانی قرار گرفته اند. این دو حوزه پژوهشی امکان دستکاری تک اتمها و تک ملکولها, طراحی و ساخت مواد پیشرفته جدید از طریق جایگذاری تک اتمها و تولید قطعات فوق ریز که در مقیاس های طولی و زمانی بسیار تقلیل یافته دارای عملکرد می باشند را فراهم ساخته اند. یکی از زمینه های بسیار مهم پژوهشی در علوم و فناوری مق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1393

آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - پژوهشکده علوم نانو 1393

در سال های اخیر سلول‏های خورشیدی لایه نازک cigs به دلیل بازدهی بالا و هزینه های پائین تولید در مقایسه با انواع دیگر سلول ها، بسیار مورد توجه محققین قرار گرفته‏اند. به دلیل اهمیت و نقش تعیین کننده لایه cigs در بازدهی این سلول ها، در این پایان نامه به بررسی ساخت و بهینه سازی لایه فعال cigs پرداخته شده است. بدین ترتیب به منظور رشد لایه های cigs در مرحله اول پیش ماده های فلزی مس-ایندیوم-گالیوم روی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد - دانشکده فنی 1394

در میان همه فناوری های تجدید پذیر، فناوری فتوولتایی یکی از نویدبخش ترین فناوری ها می باشد. مهمترین عامل در گسترش وسیع سلول های خورشیدی، کاهش در قیمت و افزایش بازده آن می باشد. با استفاده از فناوری نانو می توان نسل جدیدی از سلول های خورشیدی را با هزینه کم و روش های ساده تولید کرد. در این پایان نامه ساختار و عملکرد سلول هایی که با فناوری نانو ساخته می شود معرفی می گردد. در میان سلول های نسل سوم ک...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده برق و کامپیوتر 1387

در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان 1389

محاسبه های این دستگاه با استفاده از کد محاسباتی wien2k و بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی انجام شده است. برای حل معادلات کان-شم حاکم بر مساله از روش امواج تخت بهبود یافته بعلاوه ی اوربیتال های موضعی (apw+lo)استفاده شده است. با استفاده از همگرایی تابع کار و انرژی تشکیل سطح و همچنین مقایسه چگالی حالت-های اتم های میانی با چگالی حالت های انبوهه ی تنگستن تعداد 7 لایه برای زیرلایه انتخاب شد، سپس لایه ها...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1390

تحقیقات در زمینه رشد لایه های نازک در طی سالهای اخیر پیشرفت چشم گیری داشته است و حاصل این تحقیقات کاربرد روز افزون لایه های نازک در زمینه های صنعتی می باشد. هدف این تحقیق شبیه سازی رشد لایه ها نازک است که بتوان با نتایج تجربی مقایسه کرد و اعتبار مدل های انتخابی مشخص شود. در این پژوهش مدل رشد rd دو بعدی را برای حالتی که رشد خوشه ای روی سطح صورت می گیرد مورد بررسی قرار می دهیم یعنی به جای یک ذره ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید