گرافن در اصطلاح به نوارهای بسیار نازکی از تک لایه های گرافیتی و از جنس اتم های کربنی اطلاق می شود. بین خصوصیات ساختار الکترونی گرافن و نانولوله های کربنی که در واقع از رول شدن یک صفحه گرافنی ایجاد می شود شباهت های زیادی وجود دارد. در عین حال گرافن ها از خواص رسانشی فوق العاده ای برخوردارند که به همین دلیل کاندیدای مناسبی برای نسل آینده ی ترانزیستورهای با سرعت بالا محسوب می شوند. در مقایسه با سی...

‏قصد داریم اثرات رسانش گرمایی را بر ساختار جریان های برافزایشی وشکسان و مقاومتی در حالت تحت غلبه پهن رفت مورد بررسی قرار دهیم. در این تحقیق رسانش گرمایی به شکل اشباع شده در نظر گرفته{می شود}. همچنین وشکسانی و مقاومت مربوط به تلاطم و وابسته به میدان مغناطیسی فرض می شوند. در این حالت ضریب سینماتیک وشکسانی و انتشار مغناطیسی ثابت نیستند. برای توصیف آن ها از مدل استفاده کرده ایم. برای حل معادلات حاک...

در این پایان نامه خواص ترابردی و رسانشی نانونوارهای گرافن چین خورده را با استفاده از روش تنگ بست مطالعه می کنیم. با ظهور چین خوردگی در نانونوارهای گرافن زیگزاگ شکل شکاف های کوچک با رسانندگی صفر و تراز های کوچک با قدرت رسانندگی در اطراف اولین تکینگی ون- هاو مشاهده میشود.همچنین دراین نانونوار در چگالی حالت ها از رسانا به نارسانا میرسیم که هرچه شدت چین خوردگی زیاد باشد عرض گاف بیشتر میشود.درمبحث ج...

نظریه تابعی چگالی یکی از روشهای مطالعه دستگاه های بس ذره ای می باشد. مهمترین تقریبهایی که در نظریه تابعی چگالی مورد استفاده قرار می گیرند، تقریب چگالی موضعی(lda) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) می باشند. این تقریب ها درگستره وسیعی از مسائل جواب های قابل قبولی ارائه داده اند. در فصل اول این پایان نامه ابتدا به معرفی ترکیبات نیمرسانای گروه ii-vi و همچنین به نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده بر پایه ا...

امروزه سیستم های تک لایه ای بسیاری شناخته شده ومورد مطالعه قرار گرفته اند، از جمله:گرافن(یک لایه از گرافیت)، برون ن نیترید شش ضلعی (h-bn)، بورن کربید، مولیبدیم دی سولفید، سدیم کلراید، آلومینیوم دی سولفایدو... . برای پیشرفت در نانو تکنولوژی آشنایی با سیستم ی تک لایه ای خنثی که در شرایط محیطی مختلف تمیز باقی می مانند و با بالا رفتن درجه حرارت پایداری خود را حفظ می کنند لازم است. در این زمینه گراف...

حضور ناخالصی های مغناطیسی در فلزات موجب تغییر خواص الکتریکی آن ها می گردد. ما با استفاده از یک مدل ساده به بررسی اثرات پراکندگی ناشی از حضور ناخالصی های مغناطیسی بر رسانش نانولوله های تک دیواره کربنی می پردازیم. این مدل ساده عبارت است از استوانه ای فلزی که تعداد کمی ناخالصی مغناطیسی بر روی سطح آن قرار گرفته اند. بخش غیر خطی رسانش (اثر کاندو) را که حاصل برهم کنش الکترون های رسانش با ناخالصی هاست...

دراین پایان نامه اثرات پراکندگی وابسته به اسپین و درهم تنیدگی الکترون ها را بر روی خواص ترابرد الکتریکی مانند جریان، رسانش الکتریکی، عامل فانو، نوفه شلیکی و درجه درهم تنیدگی در سیستم های مزوسکوپیکی مانند سیم های کوانتمی متصل به دو الکترود نیمه بی نهایت ایده ال بررسی می کنیم. محاسباتمان مبتنی بر روش ماتریس انتقال در تقریب جرم موثر می باشد. با استفاده از فرمولبندی لاندائور و ماتریس عبوردهی، واب...

در این پایان نامه گزارشی از مراحل مختلف طراحی، ساخت و بالیدن یک سامانه برای تبخیر مواد و لایه نشانی در خلأ ارائه می شود. هدف پایان نامه استفاده از بمباران الکترونی به جای روش های مقاومتی برای تبخیر مواد دیرگداز که باعث واکنش با مواد مختلف، تبخیر مواد ترکیبی (غیر خالص) و در نتیجه آلودگی لایه های نشانده می شدند، بوده است. این سامانه از سه بخش مهم منبع الکترونی، منبع تغذیه ولتاژ بالا برای شتاب داد...

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی in(io3)3، در فاز هگزاگونال، در حالت خالص و آلائیده با ناخالصی گالیوم (ga) و آلومینیم (al)، می­باشد. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده­ی خطی (fp-lapw) و تقریب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج به دست آمده از ساختار نواری نشان می­دهد که in(io3)3، یک نیمه­رسانا با گاف نواری غیر مستقیم در راستای m به g، به اند...

برهمکنش های فوق ریز در مکان اورانیوم از ترکیب آنتی فرومغناطیس usb2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اوربیتالهای موضعی (apw+lo) بررسی شده اند. میزان جایگزینی الکترونهای ƒ در این ترکیب مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که الکترونهای 5ƒ تمایل دارند به خوبی با الکترونهای رسانش هیبرید شوند.