هدف از انجام این تحقیق، تحلیل و طراحی یک آشکارساز نقطه کوانتومی برای پنجره 8 تا 12 میکرومتر است که بتواند در دماهای نزدیک دمای اتاق، با جریان تاریک کم و آشکارسازی و پاسخ دهی مناسب، افزاره ای مقرون به صرفه و تجاری برای سیستم های مخابرات نوری فضای آزاد باشد. در این تحقیق نقاط کوانتومی از جنس inas/gaas که با روش خود ساختار یافته شکل گرفته-اند، در نظر گرفته شده است. با استفاده از روش k.p هشت- بان...

در این تحقیق خواص نوری و رنگی پلیمر های ساطع کننده نور مورد بررسی قرار گرفته است. پلیمر های ساطع کننده نور پلیمر-هایی هستند که به هنگام اعمال ولتاژ از خود نور منتشر می کنند. پیشرفت های اخیر در زمینه پلیمر های ساطع کننده نور به علت کشف پلیمر های کانژوگه بوده است، که آن نوعی از پلیمر های فلورسنت است که توسط یک جریان الکتریکی نور را منتشر می کنند. در فرایند فلورسانس، الکترون های ماده پلی فلورسانس ...

امروزه از مبد ل های چند سطحی به طور گسترده ای در صنعت برق استفاده می شود. در این مبدل ها با افزایش تعداد سطوح ولتاژ، شکل موج خروجی به سینوسی نزدیک تر می شود، از طرف دیگر باعث می شود که کلیدهای نیمه هادی قدرت، ولتاژ کمتری را تحمل کنند. این مبدل ها کار کردن در فرکانس کلیدزنی (سوئیچینگ) پایین را امکان پذیر میسازند و باعث کاهش تلفات کلیدزنی می شوند. با وجود مشخصه های فوق العاده ای که این مبدل ها دا...

امروزه فوتودیودهای با ساختار فلز-نیمه¬هادی-فلز (msm)، پیوندهای ناهمگن p-n و پیوندهای شاتکی بطور قابل ملاحظه ای برای کاربردهایی از قبیل: هشدار حریق، تشخیص آلودگی، تصفیه آب، تجهیزات پزشکی و ارتباطات مورد توجه قرار گرفته اند. فوتودیود پیوندی p-n متشکل از پیوند نیمه هادی با آلایش n- و p- بصورتی ساخته و کپسوله می شود که اجازه دهد نور تا نزدیکی پیوند متالوژیکی نفوذ کند. فوتودیودهای پیوند p-n و p-i-n ...

مقاله ای که در پیش رو دارید، ترجمه مقاله ای ازسال 2009 lasers in medical sciences است که در نشریه therapy in dermatology: a reviewبرای پیشگیری و درمان سرطان های پوستی غیر ملانومی بکار می روددر درمان ضایعات غیر بدخیم نظیر آکنه ولگاریس و لیشمانیازیس و به همان میزان در درمان پیری زودرس پوست ناشیاز قرار گرفتن در معرض خورشید در حال افزایش استنور بکار گرفته شده و همچنین غلظت و تجمع موضعی ترکیب حساسگر...

در این مقاله مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل­زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی محاسبه و با نتایج حاصل وقتی تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد مقایسه شده است. برای محاسبه مشخصه جریان- ولتاژ نیاز به محاسبه ضریب عبور الکترون­ها از ساختارهای سد و چاه در این قطعه می­باشد که برای محاسبه ضریب عبور الکترون­ها در حضور تابش الکترومغناطیسی روش تفاضل متناهی حوزه زمانی ( fdtd ) و در حالتی که تابش الکترومغن...

در این مقاله یک حسگر لیزری حساس با اندازه فیزیکی کوچک برای ردیابی مولکول های آلاینده در خروجی حاصل از یک احتراق صنعتی ساخته و به کار گرفته شده است. دستگاه یاد شده به تار نوری مجهز شده و چشمه لیزری آن یک دیود لیزر dfb است که در ناحیه طیف فروسرخ نزدیک تابش می کند. توانایی حسگری این دستگاه را با ردیابی گازهای مونواکسید کربن و متان در دودکش خروجی ناحیه نورد گرم مجتمع فولاد مبارکه که در دمای 600 درج...

در این پایان نامه، سه ساختار جدید برای مبدل افزاینده-کاهنده z-h پیشنهاد می شود. در ساختار پیشنهادی اول از آرایش سلف کلیدزنی شده در مبدل z-h استفاده می شود. استفاده از سلف کلیدزنی شده منجر به افزایش بهره ی افزایندگی می شود. ساختار دوم مربوط به تعمیم یافته ی ساختار پیشنهادی اول می باشد. بنابراین بسیاری از ویژگی های ذکر شده برای ساختار پیشنهادی اول برای تعمیم یافته ی آن نیز صادق می باشد. در ادامه ...

در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...

نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...