نتایج جستجو برای: دمپر الکترومغناطیسی

تعداد نتایج: 1951  

اشرف, علیرضا, بهار آرا, جواد, مددی امامچای, مژگان,

زمینه و هدف: ویتامین A و مشتقات آن برای تکوین طبیعی جنین ضروری بوده و مولکول های پیام دهی مهمی برای تنظیم تمایز، تکثیر سلول ها و ریخت زایی به شمار می روند. همچنین فرآیندهای رشد و نموی بسیاری تحت تاثیر میدان های الکترومغناطیسی قرار می گیرند و در درمان برخی بیماری ها مانند بیماری های عضلانی اسکلتی و غضروفی کاربرد کلینیکی دارند. در پژوهش حاضر اثرات توام میدان الکترومغناطیسی (50 هرتز) و ویتامین A...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - دانشکده علوم پایه 1392

در این پژوهش، انتشار امواج درون میکروحلقه ی جفت شده با موجبر در مدل های مختلف، از جمله یک میکروحلقه و یک موجبر، مدل اضافه- قطع و تشدیدگرهای حلقه ای دوگانه با استفاده از روش ماتریسی مورد بررسی قرار گرفته است. یک مدل تئوری برای طراحی بر روی تراشه های تمام نوری مشابه با شفافیت القایی الکترومغناطیسی فراهم شده است. پارامترهای این طرح، محیط و جدایی تشدیدگرهای حلقه ای، ضریب جفت شدگی بین موجبر و حلقه و...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1391

حالت های همدوس برای تابش الکترومغناطیسی کوانتیده حالت هایی هستند که، بیش از هر حالت دیگر میدان، رفتاری شبه کلاسیک دارند. با توجه به پیشرفت تکنیک های تولید حالت های مختلف کوانتمی برای میدان، معرفی سنجه های غیر کلاسیکی اهمیت ویژه پیدا کرده است. در پایان نامه حاضر ضمن آشنایی با مفاهیم پایه موضوع بر دو نوع سنجه غیر کلاسیکی مرتبط با نمایش فضای فاز تاکید شده است. نوع اول سنجه متکی بر مساحتی از فضای ف...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان 1390

پیشرفت های اخیر در تکنولوژی بی سیم و افزیش تقاضای پویایی و انعطاف پذیری سیستم های مخابراتی برای کاربران، منجر به تحقیقات وسیعی به منظور کوچک سازی ساختار آنتن های مسطح بدون کاهش در عملکردشان شده است. یکی از روش ها به منظور دستیابی به کاهش ابعاد مدارهای مسطح مانند آنتن های پچ میکرواستریپ استفاده از هندسه فراکتال است. مفهوم هندسه فراکتال به سبب ساختار فضاپرکنی و خودمشابه اش می تواند در کاهش اندازه...

در مبدل‌های سوئیچینگ قدرت به خاطر تغییرات سریع ولتاژ و جریان، تداخل الکترومغناطیسی (EMI) ایجاد می‌شود. از جمله توپولوژیهای پرکاربرد سوئیچینگ در منابع تغذیه توان پایین و متوسط، مبدل سوئیچینگ فوروارد است که در آن نیاز به بازنشانی ترانسفورمر است. در این مقاله، برای پیش‌بینی سطح EMI هدایتی، ابتدا یک مبدل فوروارد با سیم‌پیچ بازنشاننده مدل‌سازی می‌شود. جهت ارزیابی نتایج مدل‌سازی، نتایج عملی اندازه‌گی...

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی شهید صدوقی یزد 0
جواد بهارآرا javad baharara research center for animal development applied biology, mashhad branch, islamic azad university, mashhad, iranمرکز تحقیقات بیولوژی کاربردی تکوین جانوری ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد، مشهد، ایران تلفن:38437092 -051 نمابر: 38437092 -051 مهرنوش مطیع mehrnoosh motie research centمرکز تحقیقات طیبه رمضانی tayebeh ramezani department of biology, biological science faculty, kharazmi university, tehran, iranمرکز تحقیقات علیرضا ایرانبخش alireza iranbakhsh department of biology, science research branch, islamic university, tehran, iran.3. گروه زیست شناسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ،ایران

زمینه و هدف: رگزایی در بسیاری از فرایندهای حیاتی نقش دارد همچنین بسیاری از فرآیند های رشد و نموی تحت تأثیر میدان الکترومغناطیسی قرار می گیرند. در مطالعه حاضراثرکاربرد  توام نانو ذرات نقره زیستی و میدان الکترومغناطیسی با فرکانس پایین بر آنژیوژنز در پرده کوریوآلانتوئیک جنین جوجه بررسی شد.  مواد و روش کار: در این پژوهش تجربی آزمایشگاهی تخم مرغهای نطفه دار در روز هشتم انکوباسیون، با غلظتهای 50 , 10...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2016
مهدی ظهور بهمن قربانی محمد محمدی نیا علیرضا فلاحی آرزودار

شکل دهی الکترومغناطیس یکی از روش های شکل دهی پرسرعت است. در این روش شکل دهی، از نیروی الکترومغناطیسی لورنتس جهت شکل دهی قطعات استفاده می شود. اتصال قطعات با استفاده از این فرایند یک روش نوین برای مونتاژ قطعات با هدایت الکتریکی بالا می باشد. ارزیابی فرایند شکل دهی بید به سمت داخل به منظور اطمینان از کیفیت و استحکام اتصالات تولید شده با این روش بسیار مهم است. در این نوشتار ابتدا فرایند به صورت شب...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2009
فرامرز فقیهی حسین حیدری وحید عباسی

مسیریابی بهینه هادی های انتقال در یک محفظه شامل تجهیزات الکتریکی و الکترونیکی در راستای کارکرد صحیح و بدون اختلال سیستم به عنوان یک مبحث پیچیده مطرح است. میدان های تداخلی ناشی از جریان های بالای برخی از تجهیزات درون محفظه و عملیات کلیدزنی، ولتاژ هادی های انتقال را می تواند تحت تأثیر قرار دهد. این ناسازگاری الکترومغناطیسی عملکرد نادرست ادوات فرمان و اندازه گیری را به دنبال خواهد داشت. در حالت مع...

ژورنال: :علوم و فناوری های پدافند نوین 0
حبیب اله اعلمی habibollah aalami imam hussein universityدانشگاه امام حسین محسن اقازاده mohsen aghazade imam hussein universityدانشگاه امام حسین رضا دشتی reza dashti science and technology universityدانشگاه علم و صنعت

بمب های الکترومغناطیسی از یک پالس الکترومغناطیسی قوی برای تخریب هدف استفاده می کنند. موقع استفاده از چنین بمب هایی، به دلیل به وجود آمدن شار مغناطیسی قوی، جریان زیادی در خطوط انتقال ظاهر می شود که برای تجهیزات مختلف الکتریکی و الکترونیکی می تواند مخرب باشد. در این مقاله الگوریتمی جدید معرفی می شود تا ضمن حفظ انسجام شبکه الکتریکی، از بروز نقص در تجهیزات الکتریکی نظامی در طی بمباران الکترومغناطیس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم 1393

در این پایان نامه خواص اپتیکی سیستم پنج ترازی دوگانه یlambda بررسی شده و نشان داده شده است که خواص جذب القایی الکترومغناطیسی،شفافیت القایی الکترومغناطیسی، دوپایایی، چندپایایی و ... توسط پارامترهای کنترلی مختلف موجود در سیستم، از جمله شدت میدان های دمشی و فرکانس آنها قابل کنترل است. وقتی فقط یکی از میدان های دمشی در سیستم حضور دارد پدیده ی eit اتفاق می افتد، در حضور دو میدان دمشی پدیده ی eitبه e...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید