نتایج جستجو برای: درین

تعداد نتایج: 192  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1389

امروزه پژوهش در مورد مدارهای مخابراتی با رشد انفجار گونه ی صنعت مخابرات بی سیم از توجه بسیار زیادی بهره مند شده است. یکی از مهمترین مدارها که تقریباً در تمامی فرستندها و گیرنده های رادیویی با آن مواجه هستیم، نوسان سازها هستند. نوسان سازهای کنترل شده با ولتاژ که زیرمدار مهم سنتزگرهای فرکانس می باشند در کاربردهای بی سیم، باید علاوه بر بهره مندی از تمامی قابلیت های مدارهای همکار خود در کاربردهای دی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

کارایی حسگر های مغناطیسی، به دلیل مقاومت در برابر دما و شرایط صنعتی در بعضی از کاربردهای صنعتی از حسگرهای دیگر نظیر نوری، بیشتر است. خوشرفتار بودن مبدل های اثر هال، قابلیت آنها در تشخیص مولفه های میدان مغناطیسی و صرفه اقتصادی در تولید انبوه، از جمله امتیازات حسگرهای اثر هال در بین انواع حسگرهای مغناطیسی است. با توجه به انتظارات صنعت از حسگر های اثر هال و پیچیدگی روز افزون آنها، تجمیع مبدل های ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

باتری ها عموما در سیستم های تجدید پذیر، وسایل الکتریکی، سیستم های ارتباطی و سیستم های کامپیوتری به عنوان یک عنصر ذخیره ساز انرژی مورد استفاده قرار می گیرند. امروزه در صنعت انواع مختلفی از باتری ها بکار می‏رود، اما باتری سرب- اسید هم قابلیت ذخیره سازی قابل قبولی از انرژی را داشته و هم قیمت کمتری در مقایسه با سایر باتری ها دارد و به طور گسترده در صنعت مورد استفاده قرار می گیرد. یکی از عوامل تأثیر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1392

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق 1392

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1393

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

ساده ترین و راحت ترین راه برای به دست آوردن توان بالا و پهنای باند وسیع استفاده از تکنیک های ترکیب توان در طراحی تقویت کننده است. برای مثال، از تقویت کننده های متوازن که طبقات آن با دو تزویج کننده متعامد به هم متصل شده اند معمولاً در مدارات مجتمع مایکروویو برای اجزاء توان بالا و پهن باند استفاده می شود. به تعداد زیادی اجزاء یکسان برای کاربرد در فرستنده/گیرنده رادارهای آرایه-فازی و سیستم های ارتب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1390

در این پایان نامه، در ادامه روند حرکت ادوات نوری به سمت مقیاس نانو، یک ساختار اهمی کانال کوتاه را پیشنهاد کردیم. سپس با کمک فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی، مدلی ارائه کردیم تا بتواند عملکرد نور گسیلی این ساختار را با در نظر گرفتن آثار کوانتومی پیش بینی نماید. مدل ارائه شده علاوه بر در نظر گرفتن آثار کوانتومی قادر است رخدادهای فیزیکی موجود در فرآیند نورگسیلی را به خوبی پیش بینی و بسیاری از ابها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1391

در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم های خنک کننده را که باعث افزایش قیمت این سیستم ها می شود را حذف کرد که علاوه بر کاهش قیمت، کاهش اندازه سیستم را نیز د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده ادبیات و علوم انسانی 1389

نام و نام خانوادگی : وجیهه امینی مقطع تحصیلی : کارشناسی ارشد رشته و گرایش : زبان و ادبیات فارسی دانشکده : ادبیات و علوم انسانی استاد راهنما : دکترسید علی اصغر میرباقری فرد استاد مشاور : دکتر علی اصغر باباصفری داستان پیامبران در آثار سنائی تاریخ دفاع : 10/7/89 چکیده از میان اوّلین شاعرانی که به بهره گیری از عرفان در جهت تبیین اندیشه های خود به صورت جدی در شعر همّت گماردند،بی شک سنائ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید