افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

سیستم تنفسی بر مبنای گیت برای تومورهای نواحی که تحت تاثیر حرکات تنفسی اند بالقوه با کاهش حاشیه های اطراف تومور که منجر به کاهش نرخ پیچیدگی و عوارض و یا افزایش کنترل روی تومور می شود. تنفس برمبنای گیت به بیم درمانی امکان همزمانی سیکل تنفسی بیمار را می دهد. بیمار برای کاهش دوز رسیده به ارگان های مشخص در زمان بهینه در طول سیکل تنفسی خود تحت درمان قرار می گیرد.هدف از سیستم گیت، کاهش دوز رسیده به با...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این پایان نامه به بررسی اثر اسپین- مدار در ساختارهای گرافنی پرداخته شده است. ابتدا با معرفی ساختار فیزیکی گرافن، خواص و کاربردهای آن را توضیح داده سپس اشاره ای کوتاه بر پژوهش های انجام شده در این زمینه شده است. با استفاده از مدل بستگی قوی، ترازهای انرژی پای برای گرافن محاسبه و رسم شده است، در ادامه با توجه به اینکه گرافن پایه ساختاری نانولوله های کربنی می باشد ضمن مطالعه ی ساختارهای گرافنی ر...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

با توجه به مشکلاتی که با کاهش مقیاس مدارها به ابعاد زیر میکرون (به منظور افزایش سرعت، افزایش چگالی ادوات و ...) برای ادوات سیلیکونی پیش آمده است نیاز به استفاده از مواد جدیدی در ساخت ترانزیستورها مطرح شده است. یکی از موادی که به عنوان نامزدی برای استفاده در ترانزیستورها به عنوان ماده کانال مطرح است نانولوله کربنی است. نانولوله کربنی با توجه خواص فوق العاده اش مانند رسانندگی بالا، انتقال بالیستی...

در این پایان نامه ابتدا به مطالعه و بررسی نقاط کوانتومی در ساختارهای ناهمگون algaas/gaas می پردازیم . سپس با اعمال پتانسیل خارجی ، تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه کرده و با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان الکترونی در چاه پتانسیل را مشخص کرد . جریان را می توان با استفاده از حل خود سازگار معادله شرودینگر و پواسون جهت به دست آوردن تحرک الکترونی ، تراز فرمی چا...

مبدل های ماتریسی، آرایه ای از سوئیچ های نیمه هادی کنترل شده است که هر فاز ورودی را به هر فاز دلخواه از خروجی متصل می کند. این مبدل ها به دلیل مزایای فراوان، در سال های اخیر مورد توجه ویژه قرار گرفتند و به عنوان جایگزین مناسبی برای مبدل های غیر مستقیم ac-ac معرفی شده اند. . از جمله این مزایا می توان به عدم نیاز به عناصر حجیم راکتیو و در نتیجه طول عمر بیشتر، ساختار فشرده تر و توانایی عملکرد در دم...