در این پایان نامه تکنیک های کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده کم نویز پهن باند، ارائه شده است. پس از بررسی روش های موجود، برای کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده پهن باند، سه تقویت کننده کم نویز پهن باند معرفی شده است. در مدار پیشنهادی اول برای کاهش رابطه معکوس بین توان مصرفی و شرط حذف نویز، یک توپولوژی جدید معرفی شده است که منجر به بهبود توان مصرفی و عدد نویز مدار م...

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

پس از کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده¬اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده، پرداخته ایم...

پیشرفت در سنسور های گاز،با توسعه ادواتی مانند نانولوله کربنی،نانووایر،فلزات اکسیدوغیره انجام می گیرد از آنجایی که نانولوله های کربنی برای سنسورهای گاز تشخیص آلاینده هوا بسیار مهم هستند به طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته اند.نانولوله های کربنی به دو دسته نانولوله های تک دیواره و چند دیواره تقسیم می گردند که نانولوله های تک دیواره به دلیل دارای خواص الکتریکی جالب مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته...

ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

In this paper, we report a new structure for bipolar junction transistors based on concept of surface inversion. This structure is made up of only one PN junction and a metal with appropriate work function connected to the p region which results in an inversion of electrons in the semiconductor near the metal-semiconductor interface, this inversion layer plays the role of emitter n+ region. Sim...

این پروژه شامل مطالعه و شبیه سازی تقویت کننده های توان مایکروویو و طراحی و ساخت یک تقویت کننده 10 وات با استفاده ترانزیستور از نوع (gan on sic hemt 0.25 um ) در باند x است. این تقویت کننده در فرستنده های رادار پالسی و فرستنده های دیجیتال کاربرد دارد. با توجه به قابلیت تحرک پذیری بالای الکترون در ganاین نوع ترانزیستورها امروزه برای ساخت تقویت کننده های توان در فرکانس های تا باند ku و بالاتر به ک...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

چکیده مهم ترین کاربرد زیرکونیم و آلیاژهای آن در رآکتورهای هسته ای است، لذا بررسی رفتار خوردگی زیرکونیم در دمای بالا در مجاورت خنک کننده ی رآکتورها از اهمیت ویژه ای برخوردار است. یکی از خنک کننده های رآکتورها، نمک های مذاب نیتراتی هستند که در دمای بالا در گستره ی وسیعی از دما به صورت مایع کاربرد دارند. در این پژوهش، رفتار خوردگی دمای بالای آلیاژ zircaloy ii در مذاب یوتکتیکی نیترات سدیم/نیترات پ...

تثبیت کننده های ولتاژ با افت کم (ldo) یکی از بلوک های اصلی واحد مدیریت توان به شمار می روند. یک واحد مدیریت توان پیشرفته برای کاربردهای درون-تراشه ای به تعدادی تثبیت کننده ولتاژ به منظور راه اندازی المان ها و بلوک های عملیاتی نیاز دارد. تثبیت کننده های ولتاژ اغلب برای ایجاد یک ولتاژ ثابت و کم نویز به منظور تغذیه مدارهای آنالوگ به کار می روند. این ولتاژ باید در مقابل تغییرات جریان بار و ولتاژ خط...