این پژوهش در دو آزمایش جداگانه در جنوب خراسان انجام گردید. آزمایش 1 به مدت پنج سال (82-1378) در ایستگاه تولید پسته گناباد متعلق به آستان قدس رضوی انجام شد. با توجه به مشاهده آسیب خشکیدگی برگ در درختان پسته و مشکلات شوری این آزمایش طراحی شد. دو واحد پسته کاری 6 و 7 که هدایت های الکتریکی آب آبیاری آن ها به ترتیب 45/7 و 11 دسی زیمنس بر متر بود برای آزمایش 1 انتخاب گردید. ارقام پسته بادامی‌سفید و ا...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

این پژوهش در دو آزمایش جداگانه در جنوب خراسان انجام گردید. آزمایش 1 به مدت پنج سال (82-1378) در ایستگاه تولید پسته گناباد متعلق به آستان قدس رضوی انجام شد. با توجه به مشاهده آسیب خشکیدگی برگ در درختان پسته و مشکلات شوری این آزمایش طراحی شد. دو واحد پسته کاری 6 و 7 که هدایت های الکتریکی آب آبیاری آن ها به ترتیب 45/7 و 11 دسی زیمنس بر متر بود برای آزمایش 1 انتخاب گردید. ارقام پسته بادامی سفید و ا...

تحلیل و مدل سازی ترانزیستور به عنوان مهم ترین بخش مدارهای الکترونیکی فرکانس بالا، جزء بحث های مهم و کلیدی در طراحی دقیق مدارهای الکترونیکی می باشد. معمولاً هنگامیکه فرکانس کاری مدار و به تبع آن فرکانس کاری ترانزیستور پایین است، از مدل فشرده به نام مدل مدار معادل، برای مدل سازی ترانزیستور و طراحی مدارهای الکترونیکی استفاده می شود. ولی صحت و دقت این مدل ها با افزایش فرکانس و قابل مقایسه شدنِ ابعاد ...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...