نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای اثر میدان فلز

تعداد نتایج: 162103  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

در این پژوهش، ¬ویژگی¬های اصلی ¬رسانندگی¬ اسپینی سامانه الکترود- مولکول- الکترود بصورت نظری بررسی¬ می¬شود. در این سامانه ¬مولکولی از یک فلز فرومغناطیس (fm) نوعی بصورت شبکه مکعبی ساده به -عنوان الکترود فرومغناطیس با سطح مقطع محدود و از مولکول پلی¬اسن (polyacene) به عنوان پل مولکولی بین دو الکترود استفاده می¬شود. برای مطالعه رفتار الکترونی ¬ساختارfm / polyacene / fm یک ¬مدل¬ هامیلتونی بستگی قوی ¬ا...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فاطمه مقدم f. moghadam research institute of applied sciences (acecr)پژوهشکده علوم پایه کاربردی جهاد دانشگاهی مهدی اسماعیل زاده m. esmaeilzadeh department of physics, iran university of sciences & technology, tehranدانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران

در این مقاله ترابرد الکترونها در ریزنوار یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی که در راستاهای متفاوت بر ابرشبکه اعمال می شوند, مورد بررسی قرار گرفته است. نمودارهای سری زمانی و نمای لیاپانوف با استفاده از روش رانگ- کوتای مرتبه چهارم محاسبه شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که برای مقادیر معینی از پارامترها که وابسته به خصوصیات ابر شبکه و میدانهای اعمال شده بر آن است, الکترو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1389

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی مکانیک 1392

در این مطالعه تاثیر میدان مغناطیسی ناشی از سیم حامل جریان الکتریسیته بر جریان سیال بیومغناطیس در یک کانال بصورت سه بعدی مورد بررسی قرار گرفته شده است. در این شبیه سازی از نرم افزار انسیس فلوئنت با اضافه کردن زیربرنامه مناسب به آن استفاده شده است. نتایج نشان می دهد، در حضور این میدان مغناطیسی، انتخاب شبکه ی محاسباتی مناسب، بسیار با اهمیت است. در این مطالعه، چگونگی انتخاب یک شبکه ی محاسباتی مناسب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1392

یکی از روش‎ های نوین در زمینه کنترل فعال جریان، استفاده از محرک الکتروهیدرودینامیک است که به وسیله تزریق مومنتم به لایه مرزی سبب جلوگیری از وقوع پدیده جدایش و کاهش ضریب بازدارندگی می شود. در تحقیق حاضر به تحلیل عددی کنترل گردابه های پشت سیلندر تحت تاثیر محرک الکتروهیدرودینامیک پرداخته شده است و تاثیر ولتاژ اعمالی، آرایش الکترود جمع کننده و مکان الکترود تزریق کننده مورد مطالعه قرار گرفته است. نت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1393

پیشرفت¬های روز افزون در تکنولوژی ساخت مواد نیم¬رسانای کم¬بعد و نیز ویژگی¬های منحصر¬به¬فرد این ساختار¬ها باعث ظهور نسل جدیدی از ابزارهای اپتوالکترونیکی با سرعت¬های بالا از جمله لیزر¬های مادون قرمز، تقویت¬کننده¬ها و آشکارساز¬های فوتونی شده¬است. در این میان ساختار¬های نقطه¬کوانتومی به دلیل محبوسیت سه بعدی حاملین بار و سطوح الکترونیکی کاملاً گسسته کاندیدای اصلی برای مطالعات بنیادین می¬باشند، علاوه ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1393

بلورهای فوتونی، ساختارهای متناوب دی الکتریکی یا فلزی هستند که می توانند انتشار نور را کنترل کرده و رفتار آن را تحت تأثیر قرار دهند. وقتی که که مواد سازنده ی بلورهای فوتونی، خاصیت مغناطیسی داشته باشند و یا حداقل یک لایه در ساختارهای بلور فوتونی، مغناطیسی باشدبلورهای مگنتوفوتونی شکل می گیرند.استفاده از ساختار های بلور مگنتوفوتونی به منظور افزایش اثرات مگنتواپتیکی از سال 1996 آغاز شده و تاکنون مطا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید