فلاکسون ها در اتصالات جوزفسون مانند سالیتون های معادله سینوسی گوردن رفتار می کنند. به منظور کنترل آن ها، یک دی الکتریک با ضخامت متغیر را بین دو ابررسانا قرار داده ایم. در این پایان نامه، ابتدا ضخامت دی الکتریک را تابع مکان در نظر می گیریم و پاسخ های تحلیلی معادله سینوسی گوردن را در این محیط به دست می آوریم. در مرحله بعد با استفاده از انرژی پتانسیل و جنبشی فلاکسون در مکانیک کلاسیک، رابطه بین سرع...

در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و کشسانی سولفید استرانسیوم در فاز کلرید سدیم بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل  بارپایسته در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم افزار صورت گرفته است. تابع دی الکتریک برای تابش تا حدود 40 الکترون ولت محاسبه شده است. گاف نواری به دست آمده درراستای  (x-γ)  4933/2الکترون ولت است که با دیگر داده های  موجود سازگاری خوبی دارد.

تشکیل قطره، یکی از پدیده‌های مهم در جریان‌های چندفازی است. همچنین، روش شبکه بولتزمن جزء روش‎های جدید و کاربردی می‌باشد. در این پژوهش شبیه‌سازی شکل‌گیری قطره بوسیله‌ی روش شبکه بولتزمن و تحت تاثیر میدان الکتریکی برای یک میکروکانال متقاطع انجام شده‌است. برای اعمال میدان الکتریکی، از مدل لیکی دی-الکتریک استفاده شده‌است. از مدل‌های مختلف تک‌فاز و دوفاز برای صحت‌سنجی آن بهره گرفته شده است. نتایج نشان...

در این مقاله ویژگی های الکترونی، اپتیکی و فاز توپولوژی نانولایه Li2AgSn مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات براساس نظریه تابعی چگالی، بصورت پتانسیل کامل به روش امواج تخت بهبودیافته خطی به اضافه اوربیتال های موضعی و تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. چگالی حالت های الکترونی این نانولایه با استفاده از این تقریب محاسبه شده است. ضریب خطی گرمای ویژه نانولایه Li2AgSn مورد بررسی قرار گرفته است. با اس...

تأثیر انواع مواد هادی و دی الکتریک مختلف در دو پارامتر ذکر شده برای موجبر گوبائو اصلاح شده مورد بررسی قرار گرفته است، بطوریکه یک بار با تغییر دادن جنس فلز (مس، آلومینیوم و تنگستن) و ثابت نگه داشتن جنس دی الکتریک (تفلون) و بار دیگر با تغییر دادن جنس دی الکتریک (تفلون، پلی استر و پلی آمید) و ثابت نگه داشتن جنس فلز (مس) مورد بررسی قرار گرفته است که تنگستن از میان سه فلز منتخب و پلی آمید از بین سه ...

هدف از این کار تجربی، ارائه و بررسی نتایج حاصل از اندازه گیری مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک در بلور های مایع خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی با درصدهای متفاوت، بدون میدان مغناطیسی و با اعمال میدان است. به این منظور مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک را برای یک بلور مایع خاص (e7 )، در حالت خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی، اندازه گیری می کنیم. برای این کار مولفه های موازی و...

نیروی کازیمیر بین دو تیغه ی دی الکتریک را می توان به کمک عملگرهای میدان الکترومغناطیسی، با توجه به اختلاف فشار تابشی خلأ وارد بر دو سطح هر تیغه محاسبه کرد. برای کوانتیزه کردن میدان الکترومغناطیسی در حضور دو تیغه ی دی الکتریک موازی، از روش تابع گرین استفاده می شود. همچنین با به کار بردن قضیه ی اتلاف-افت و خیز نیز نیروی کازیمیر قابل محاسبه است. سادگی رهیافت اخیر به هر کس این امکان را می دهد که نی...

در این پایان نامه تابش ترمزی نسبیتی در حضور دی الکتریک تراوا بررسی می شود. فوتون و الکترون توسط میدانهای کوانتومی توصیف می شوند. برای توصیف فوتون، میدان الکترومغناطیسی در حضور دی الکتریک تراوا کوانتیزه و برای توصیف الکترون از کوانتش مرتبه دوم معادله دیراک بهره گرفته می شود. نتایج تابش ترمزی در حضور دی الکتریک تراوا با نتایج تابش ترمزی در فضای تهی مقایسه می شود. این مسأله هنگامی که محیط دارای ضر...

ایزومریزاسیون سیس به ترنس کمپلکس[pd(c6cl2f3)i(ph3)2] به عنوان قسمتی از چرخه کاتالیتیکی واکنش های جفت شدن pd کاتالیزشده در بسیاری از واکنش ها از جمله هک، نگیشی ، استیل و.... از اهمیت زیادی برخوردار است . سینتیک و مکانیسم این ایزومریزاسیون به طور عملی مطالعه شده و قانون سرعت تجربی را به دست آورده اند ولی تاکنون به لحاظ نظری به ویژه از نظر ساختار حدواسط ها و حالت های گذار ارایه شده در این مطالعات،...