گرافن یکی از نانوساختارهای پرکاربرد در زمینه های مختلفی از جمله حسگری، الکترونیک و غیره می باشد. اخیراً ترکیبات نیمه رسانای دیگری مانند نیتریدبور، کربید سیلیسیم و اکسید برلیوم نیز در این ساختار کریستالی مورد بررسی های تجربی و تئوری دانشمندان قرار گرفته است. در این پروژه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تک لایه گرافنی اکسید برلیوم (beo)و ...

اندازه­گیری و پایش غلظت قند شربت چغندرقند به شکل پیوسته و در مراحل مختلف پخت و تغلیظ یکی از نیازهای اساسی صنعت شکر می­باشد. در این مطالعه یک نمونه حسگر دی­الکتریک استوانه­ای با قابلیت توسعه برای اندازه­گیری برخط غلظت قند شربت چغندرقند ساخته شد و مورد ارزیابی قرار گرفت. این حسگر متشکل از یک استوانه فولادی و مغزی به عنوان قطب­های خازن می­باشد که  توسط کابل هم­محور به دستگاه­های ژنراتور و تحلیل­گر...

خواص کاغذهای عایق الکتریکی ترانسفورماتور متأثر از فرایند اصلاح شیمیایی انجام شده بر روی الیاف است. در این تحقیق تأثیر سیانواتیلاسیون خمیرکاغذ و افزودن نانوالیاف سلولزی سیانواتیل­دار شده بر خواص دی­الکتریک شامل ظرفیت، تلفات دی الکتریک، مقاومت عایقی، ولتاژ شکست و همچنین مقاومت به کشش دو نوع کاغذ دست­ساز تهیه شده از خمیرکاغذ رنگبری­نشده الیاف بلند و ترکیبی از آن با خمیرکاغذ سودای باگاس با نسبت 1:1...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

هدف از این تحقیق تصفیه و حذف اکسیدهای نیتروژن در راکتور پلاسما در شرایط اتمسفریک و غیر حرارتی است. این فن  آوری علاوه بر قابلیت کاهش مصرف انرژی در فرایند حذف آلاینده ها، دارای انعطاف پذیری ویژه در تصفیه و تقلیل آلاینده های فرعی به طور هم زمان است. در این تحقیق به منظور  تبدیل موثر اکسید های نیتروژن(nox)، از فرایند پلاسمای نوع تخلیه با مانع دی الکتریک[1](dbd) استفاده شده است. در اثر برخورد الکتر...

امواج پلاریتون پلاسمون های سطحی, امواجی هستند که در فصل مشترک دو محیط با ثابت دی الکتریک های مختلف العلامه انتشار می یابند.با توجه به این که فلزات در فرکانس های نوری ثابت دی الکتریک منفی از خود نشان می دهند, بنابراین در فصل مشترک فلز/عایق امواج پلاریتون پلاسمون های سطحی می توانند منتشر شوند. پلاریتون پلاسمون های سطحی با دور شدن از فصل مشترک دو محیط به صورت نمایی میرا و منجر به محصور شدن امواج د...

در این پایان نامه به بررسی، تحلیل و طراحی آنتن تجدیدپذیر با قابلیت حذف باند فرکانسی به منظور حذف تداخل سیستم فراپهن باند با سایر سیستم های مخابراتی موجود در این محدوده مانندwlan، wimax ،itu می پردازیم. با توجه به پهنای باند باریک آنتن های میکرواستریپ همچنین در نظر گرفتن تداخل موجود میان برخی باندهای فرکانسی با سیستم فراپهن باند، دو هدف اصلی این پایان نامه، یکی ارائه روشی برای افزایش پهنای باند ...

رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت نوع M با ساختار شیمیایی SrFe12O19 در دماهای 1100-900 درجه سانتی‌گراد با روش‌های هم‌رسوبی و پچینی تهیه شدند. آنالیزهای پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، مغناطومتر نمونه مرتعش (VSM) و تحلیل‌گر برداری شبکه ...

تخلخل هایی با قطر نانومتری با روش الکتروشیمیایی و با استفاده از محلول الکترولیت اتانول و اسید بر روی پایه های سیلیکان نوع ایجاد گردید. با استفاده از اندازه گیری درصد تخلخل و نیز محاسبه ظرفیت دی الکتریک، رابطه بین این دو پارامتر در نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل بررسی گردید. در این مطالعه مشخص شد که افزایش زمان خوردگی موجب افزایش درصد تخلخل شده که کاهش ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل را سبب می شو...

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...