ساخت لایه جاذب cigs به روش دومرحله ای با لایه نشانی عناصر cu,ga,in به روش کندوپاش به ضخامت 700-400 نانومتر و سلنیوم دار کردن به روش نشست بخار شیمیایی و بررسی شرایط مختلف فرآیند در مرحله سلنیوم دار کردن جهت افزایش مقدار گالیوم و بهبود کریستالینیتی و تاثیر پارامترهای ان بر خواص اپتیکی، الکتریکی و ساختاری در جهت افزایش بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک مس گونه
