در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم  درسرامیک  درفاز تتراگونال  محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهev5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...

    در این پژوهش، لایه های نازک اکسید روی با ضخامت های متفاوت بین 46 تا 317 نانومتر بر روی زیرلایه شیشه به روش اسپری لایه نشانی شده اند. موفولوژی و میزان زبری سطح لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی ( SEM ) و میکروسکوپ نیروی اتمی ( AFM ) اندازه‌گیری شده اند. تصاویر AFM و SEM لایه‌ها نشان می‌دهند که در روند رشد و زبری لایه‌ها با افزایش ضخامت، دو حالت متفاوت رشد مشاهده می شود. نخست با ...

در میان مواد مطرح در حوزه‌ی فتوولتائیک،ترکیب کالکوپیریتی C‏uInS2 با گاف انرژی مستقیمeV53/1، ضریب جذب بالاوپایداری در دراز مدت، به عنوان یک ماده‌ امید‌بخش مطرح شده است. یکی از پارامتر‌های محدودکننده‌ی تولید انبوه این سلول‌ها، کمیاب بودن عنصر Inاست که لازم است با عناصر دیگر جایگزین شود.از طرف دیگر سلول‌های خورشیدی تک اتصال بهینه، دارای گاف انرژی در محدوده‌ی e‏V3/1-1 معادل طول موجnm1250-950هستند. ...

سالانه مواد رنگزا‌‌‌‌‌‌‌‌ زیست تجزیه‌‌‌‌ناپذیر موجود در صنایع نساجی، چرم‌‌‌‌، کاغذ، غذایی، سل‌‌‌‌های فوتوالکتروشیمیایی به جریانات طبیعی آب تخلیه می‌‌‌‌شود. آرایه‌‌‌‌های نانولوله‌‌‌‌ای بسیار منظم TiO2 تهیه شده با آندایزینگ تیتانیم، به‌دلیل سطح ویژه بزرگ، توانایی اکسیدکنندگی قوی و عملکرد عالی انتقال بار، در سال‌‌‌‌های اخیر به طور گسترده به عنوان فوتوکاتالیست برای تجزیه مواد رنگزا‌‌‌‌‌‌...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (ZnO ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(Zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(T)، بازتابندگی(R) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج 1100-200 نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی ...

در این مقاله عملکرد سلول‌های خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P)/ GaP (i)/ a-Si (n)/a-Si (n+)/metal می‌باشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود، از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدل‌های مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیه‌سازی شد. تاثیر پارا...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

لایه های نازک اکسید روی خالص و آلایش یافته با منگنز (ZnO:Mn) به روش سل – ژل برروی زیرلایه های شیشه تهیه شده و خواص فیزیکی آن بررسی شده است. مطابق نتایج به دست آمده، با افزایش ضخامت، دمای بازپخت و افزایش لایه ها طیف تراگسیل نمونه ها در طول موج های اندازه گیری شده کاهش می یابد. همچنین افزایش دمای بازپخت و لایه ها موجب کاهش گاف انرژی نانو فیلم ها می شود. این تغییرات بین 45/3 تا 84/3 الکترون ولت بر...