در این پایان نامه در نظر داریم توزیع میدان مغناطیسی و جریان الکتریکی را در یک مجوعه از نوار های ابررسانای هم صفحه، با تعداد نوار های دلخواه به دست آوریم. دو پیکربندی مشخص در نظر گرفته شده است، که در یکی، انتهای نوار ها به گونه ای به یکدیگر متصل شده که مجموعه تشکیل یک حلقه ابررسانا را می دهد و در دیگری سیستمی به صورت خطوط انتقال در نظر خواهیم گرفت. سیستمی که به صورت یک حلقه در آمده را در یک میدا...

موجبرها با پاشیدگی و تلفات تحدید کم، در سامانه­ های مخابرات نوری مورد استفاده قرار می­ گیرند. از فیبرهای کریستال فوتونی می­ توان به عنوان موجبر استفاده نمود. قابلیت ­های زیاد فیبرهای کریستال فوتونی باعث جایگزینی این فیبرها به جای فیبرهای معمولی شده است. در این مقاله، دو ساختار اولیه و بهبودیافته از فیبر کریستال فوتونی طراحی و مدل­ سازی شده است. طرح اول، یک فیبر کریستال فوتونی با ساختار شش­ ضلعی...

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی in(io3)3، در فاز هگزاگونال، در حالت خالص و آلائیده با ناخالصی گالیوم (ga) و آلومینیم (al)، می­باشد. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده­ی خطی (fp-lapw) و تقریب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج به دست آمده از ساختار نواری نشان می­دهد که in(io3)3، یک نیمه­رسانا با گاف نواری غیر مستقیم در راستای m به g، به اند...

نمونه های سیلیکان متخلخل از ویفرهای سیلیکان نوع p، با زمان های خوردگی 10و 20 و 30 و 40 دقیقه، با چگالی جریان ثابت ساخته شدند. تصاویر sem گرفته شده از بالا و سطح مقطع نمونه ها نشان داد که با افزایش زمان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ی متخلخل افزایش می یابند. برای گرفتن طیف جذب اپتیکی نمونه ها، لایه ی سیلیکان متخلخل از زیر لایه ی سیلیکان به روش مکانیکی جدا شد، به این ترتیب سیلیکان متخلخل بر پا...

در این تحقیق ابتدا با استفاده از روش سل-ژل به تهیه پودر های دی اکسید تیتانیوم و اکسید روی پرداخته و سپس ساخت لایه های نانوکامپوزیتی نسبت های مختلف این دو ماده را از دو روش ساخت مختلف و با روش های لایه نشانی چرخشی و غوطه وری مورد بررسی قرار دادیم. در پودر اکسید روی، به بررسی تأثیر گرمادهی از دمای 200 تا 1050 درجه سلسیوس پرداخته و مشاهده کردیم که با افزایش دمای گرمادهی سایز نانوذرات افزایش و مساح...

زمینه و هدف: یکی از تکنیک‌های پرتودرمانی، درمان به روش فعال‌سازی فوتونی است. در این روش، میزان انرژی آزادشده در داخل یک تومور را می‌توان با ترکیب DNA و با یک ماده‌ با عدد اتمی بالا و سپس تشدید گسیل الکترونهای اوژه درطی برخورد فوتوالکتریک توسط آن ماده افزایش‌داد. هدف از مطالعه‌ی حاضر، بررسی اثر افزایش دوز تومور ناشی از فعال‌سازی فوتونی در حضور مواد فعال‌ساز مختلف در تومور، برای چشمه‌های تالیوم-1...

ابرشبکه یک نیمرسانای شبه دوبعدی است که از تکرار متوالی دو لایه نازک نیمرسانا با گاف انرژی متفاوت شکل می گیرد. تکنیک ساخت آن ها بروش اپیتکسی باریکه مولکولی (mbe) می باشد متداولترین آنها، ابرشبکه های alxga1-xas/gaas می باشد که gaas بعنوان چاه کوانتومی و algaas نیز سد پتانسیل می باشد. نامتجانس بودن گاف انرژی سبب تشکیل پتانسیل دوره ای می شود و این پتانسیل نیز سبب ساختار باند انرژی بخصوصی می شود که ...

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی‌الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می‌دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می‌یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...