در برخی از کاربردهای سنسور خازنی دی الکتریک دارای نشتی است. این نشتی موجب ایجاد خطا در مدارهای اندازه گیری خواهد شد. به همین منظور هدف ما استفاده از مداری است که تا حدی نسبت به این نشتی مقاوم باشد. هدف اصلی ما در این پروژه تحلیل خطا و مقایسه ی آن با نتایج عملی خواهد بود. با توجه به کاربرد فراوان سنسور خازنی در سیستم های اندازه گیری مختلف، بررسی نشتی یک مسئله ی اساسی است. نشتی حاصل از دی الکتری...

دو طرح برای رسیدن به این اهداف در این پایان نامه بررسی شده است. در اولین نمونه، مبدل آنالوگ به دیجیتال سه خروجی بر اساس تزویج بین موجبر و تشدیدگر حلقوی طراحی شده است. برای هر تشدیدگر حلقوی، به تنهایی، مقادیر راندمان و ضریب کیفیت به ترتیب 100% و 190 بدست آمده است. در ساختار اول ضریب دی الکتریک 3/47 و جنس محیط اطراف میله ها نیز هوا و نسبت پرشدگی شبکه نیز 22/0 r/a= انتخاب شده است. در این طرح، میان...

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو سیم های zno حساس شده به نقاط کوانتومی cdse پرداخته ایم. ابتدا تابع دی الکتریک نقاط کوانتومی و نانوذرات فلزی وابسته به ابعاد آن ها بدست آمده است. سپس با استفاده از مدل ماکسول گارنت اصلاح شده، تابع دی الکتریک موثر ساختار محاسبه شده و اثر درصد نقاط کوانتومی و نانو ذرات فلزی و میزان پهن شدگی غیر همگن آن ها بر تابع دی الکتریک موثر مور...

در این تحقیق، حذف رنگزای بازیک زرد 28 با استفاده از روش اکسایش پیشرفته سونوالکتروشیمی در حضور نانوذرات تیتانیوم دی اکسید مورد بررسی قرار گرفت. به منظور بهینه سازی شرایط تخریب رنگ از روش سطح پاسخ استفاده شده است. تاثیر عوامل مختلف نظیر مقدار ولتاژ اعمال شده، مقدار نانوذرات تیتانیوم دی اکسید، زمان فرآیند و ph محلول به صورت همزمان بر میزان تخریب رنگ مورد ارزیابی قرار گرفته اند. با کمک این روش یک م...

در این تحقیق پودرهای پیزوسرامیکی بدون سرب (K0.44Na0.52Li0.04)(Ta0.1Sb0.06Nb0.84)O3 به دو روش سرامیکی سنتی و پوشش�دهی کلوییدی آبی تهیه گردید. پودرهای سرامیکی سنتز شده پس از پرس شدن در دماهای مختلف پخت شدند. بر روی تمامی نمونه�ها آزمون�های اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و اندازه?گیری خواص دی�الکتریکی انجام شد. الگوی پراش اشعه ایکس نمونه�های بالک ساخته شده از پودرهایی که با روش کل...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

هدف از این کار تجربی ارائه نتایج حاصل از اسپکتروسکوپی دی الکتریک بلور مایع 235 ، در فاز سمکتیک کایرال (فاز فروالکتریک) آن و در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه می باشد. برای این منظور پراکندگی و اتلاف دی الکتریک بلور مایع، در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه، در چندین دمای انتخابی از فاز مورد نظر تحت فرکانس های مختلف توسط دستگاه متر، اندازه گیری شده است. میزان تاثیر افزایش غلظت رنگینه بر طیف ه...

افزایش مصرف انرژی و بالارفتن قیمت آن در جهان، جستجوی گزینه های جدید انرژی را ایجاب می کند. انرژی خورشیدی یکی از امیدبخش ترین و در دسترس ترین منابع است. یکی از گزینه ها، نسل جدیدی از سلول های فتوولتائیک بر پایه ی نانو ذره و پلیمرهای رسانا است که علاوه بر تولید ارزان، ویژگی های جذاب دیگری مثل انعطاف پذیری و قابلیت تنظیم گاف نواری اپتیکی را دارد و همچنین ضریب جذب بسیار بالای پلیمرهای هادی امکان ته...

تراکم و محتوای رطوبتی خاک، دو ویژگی فیزیکی تاثیر گذار بر عملکرد محصول در مزرعه می باشند. استفاده از حسگرهای خازنی، روشی دقیق برای تخمین محتوای رطوبت خاک می باشند. در این روش، خاک به عنوان بخشی از دی الکتریک حسگر خازنی محسوب می شود. در این تحقیق، یک حسگر اندازه گیر رطوبت خازن-مبنا که می تواند رطوبت خاک را به طور پیوسته اندازه گیری کند، ساخته و مورد ارزیابی قرار گرفت. این حسگر از دو بخش تشکیل شده...

یکی از روش¬هایافزایش بازده سلول خورشیدی، افزایش میزان جذب نور خورشید است. درساختارهای کوانتومی از طریق ایجاد نوارهای میانی با صرفه¬جویی مواد مصرفی امکان¬پذیر است. در این پایان¬نامه، سلول خورشیدی شامل نقاط کوانتومی از جنسinas به شکل هرم با سطح مقطع مربع و با مقطع برش 5/0، در ماده حجیمgaas که لایه جاذب سلول می¬باشد بررسی می¬شود.ساختار ترازهای انرژی و المان ماتریس دو قطبی در هر گذار بین نواری و ما...