در این پروژه پس از معرفی قطعات تک-الکترون متعارف و مورد استفاده و مشکلات آنها، به بررسی ساختارهای سوزنی شکل در ابعاد و اندازه های متفاوت می پردازیم. این ساختارها به بافت سیلیکون متخلخل بسیار شبیه هستند. با اسبفاده از قابلیت های برنامه ی fastcap، پس از شبیه سازی ساختارهای تعریف شده، خازن آنها محاسبه و نشان داده می شود که مقدار این خازن در همان حدی است که جزیره های بکار برده شده در ادوات تک-الکتر...

فرایند جذب نور در سلول های خورشیدی یکی از عوامل موثر در بهبود عملکرد سلول های خورشیدی است. سلول های خورشیدی لایه ی نازک سیلیکونی در ناحیه ی مرئی، جذب پایینی دارد. با استفاده از آرایه ای از نانو ساختارهای فلزی روی نیمه رساناهایی مانند سیلیکون یا ژرمانیوم، میزان جذب نور را، به مقدار قابل توجهی در این لایه ها بالا برده می شود. نانو ساختارهای فلزی به جهت قابلیت آنها در تحریک پلاسمون ها (نوسانات جمع...

استفاده از نیمه هادی های اکسیدی، برای ساخت ادوات مختلف نظیر حسگر¬های گاز و سلول¬های خورشیدی، حائز اهمیت بوده و همواره مورد مطالعه واقع شده است. در این میان برای افزایش حساسیت حسگرها از روش¬های مختلفی مانند پیش رفتن به سمت ساختار¬های در مقیاس نانو، افزودن ناخالصی و یا اضافه کردن لایه¬هایی از فلزات نجیب به نیمه¬هادی اکسیدی استفاده می¬شود. کار حاضر با هدف افزایش حساسیت حسگر گاز اکسید ایندیم آلایش ...

در این پژوهش نانوسیم‏های اکسید روی با خواص ساختاری بالا از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه‏های نازک zn فلزی رشد داده شدند. فیلم‏های zn با ضخامت 250 نانومتر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانوسیم‏های اکسید روی، فیلم‏های zn لایه‏نشانی شده به مدت 30 دقیقه، 1ساعت و 3 ساعت در دمای ˚c600 در محیط هوا با استفاده از یک کوره افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نم...

مدل نیمه تجربی جامعی برای قابلیت حرکت الکترون ها در لایه وارون ترانزیستورهای mos کانال n شرح داده می شود. این مدل بر پایه های فیزیکی استوار است و شامل اثرات کوانتمی حرکت الکترونها در لایه وارون می باشد. در این مدل همچنین اثرات پراکندگی کولمبی ناشی از ناخالصی بستر برای بسترهای دارای چگالی ناخالصی زیاد را در نظر گرفته ایم. در اینجا علاوه بر تاثیرات پراکندگی سطحی ناشی از بارهای ناحیه فصل مشترک اکس...

در این پژوهش نانوسیم‏های اکسید روی با خواص ساختاری بالا از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه‏های نازک Zn فلزی رشد داده شدند. فیلم‏های Zn با ضخامت 250 نانومتر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانوسیم‏های اکسید روی، فیلم‏های Zn لایه‏نشانی شده به مدت 30 دقیقه، 1ساعت و 3 ساعت در دمای ˚C600 در محیط هوا با استفاده از یک کوره افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نم...

لایه های نازک اکسید روی دارای خواص نیم رسانایی، نوررسانایی، پاییزوالکتریکی می باشد. آنها دارای هدایت الکتریکی و شفافیت اپتیکی بالا در ناحیه مریی، ضریب دی الکتریکی بالا، شکاف انرژی ممنوع بالا، اپتیک غیرخطی بالا و ضرایب پاییزوالکتریکی، صوتی - نوری و الکترواپتیکی بالا می باشد. به واسطه دارابودن این خواص و قیمت پایین، لایه های اکسید روی در ساخت قطعات موج صوتی سطحی (saw)، بسیاری از قطعات الکترواپتیک...

پس ازکشف گرافین و خواص منحصر به فرد آن گروه¬های تحقیقاتی، هم در زمینه آزمایشگاهی و هم نظری جذب این ماده شدند. در راه استفاده از گرافین با یک سریمشکلات مواجه می¬شویم که یک راه مرسوم برای حل آن عاملدار دار کردن است. در این مطالعه هیدروژن دار کردن انتخاب شده است. محاسبات انجام شده با روش نظریه تابعی چگالی نشان می¬دهد گرافین به طور کامل هیدروژن دار شده که با نام گرافان شناخته شده است یک نیمه هادی ب...

با توجه به نقش بسیار مهمی که امروزه سنسورهای نیمه هادی دقیق و پیشرفته در فعالیتهای گوناگون علمی ، صنعتی پژوهشی ، تجاری و ... عهده دار می باشند. در این پایان نامه روند طراحی و ساخت یکی از پرکاربردترین آنها یعنی سنسور فشار نیمه هادی ، با استفاده از پیزو مقاومتهای نفوذ داده شده ، مورد بررسی قرار گرفته و همچنین نظریه ها و روابط اساسی مربوطه بعنوان ابزار اصلی طراحی بیان می گردند. مساله اصلی طراحی ان...

پردازش سیگنال تمام نوری یکی از مباحث مهم در زمینه سیستم های مخابراتی و محاسباتی محسوب می شود، که با استفاده از آن می توان از مزایا و ظرفیت های پهنای باند زیاد و سرعت بالای این سیستم ها بهره برد. گیت های منطقی تمام نوری یکی از قطعات کلیدی سیستم های پردازش سیگنال نوری هستند که به کمک آنها عملگرهای اساسی این سیستم ها از جمله تطبیق الگو، شناسایی هدر، سوییچینگ و ... قابل پیاده سازی می باشند. در این ...