نتایج جستجو برای: نانو ترانزیستور

تعداد نتایج: 14514  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

مراجع ولتاژ و جریان یکی از اصلی ترین بلوک ها در مدارهای دیجیتال و آنالوگ هستند. عملکرد یک مرجع به وسیله حداکثر تغییرات در شرایط عملیاتی مجاز خود سنجیده می شود. یکی از مهم¬ترین مشخصه های یک مرجع تغییرات دمایی آن است. بنابراین، باید با توجه ویژه¬ای به رفتار حرارتی مرجع ولتاژ و مرجع جریان پرداخته می شود. دیگر مشخصه ایی که کارایی یک مرجع را مشخص می¬کند تغییرات خروجی نسبت به تغییرات ولتاژ تغدیه است....

     به­منظور بررسی اثرات نانو کلات­های ماکرو، میکرو و کودهای شیمیایی بر عملکرد و کیفیت محصول چغندرقند (Betavulgaris) آزمایشی بر پایه طرح بلوک­های کامل تصادفی با سه تکرار و ده تیمار در ایستگاه تحقیقات کشاورزی و منابع طبیعی میاندوآب در سال زراعی 1394 اجرا گردید. تیمارها شامل 100 درصد کود شیمیایی NPK به عنوان شاهد، نانو کلات میکرو کامل، نانو کلات NPK، نانو کلات NPK+ نانو کلات میکرو کامل، نانو کلا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان 1390

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1378

در این رساله انتقال الکترون در ترانزیستور مسفست (mesfet) با استفاده از روش مونت کارلو تحلیل شده است . به دلیل مشابهت ساختار دیود n+-i-n+ از جنس gaas با ساختار ترانزیستور مسفت ، در ابتدا این دیود شبیه سازی شده است . اثرات تغییر ولتاژ آند، دما و طول کانال در مشخصه های انتقال این دیود بررسی و نشان داده شده است کاهش طول کانال باعث می شود رفتار انتقال حامل بیشتر بالستیک شود. با قرار دادن کاتد از جنس...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
علی اصغر اروجی orouji سارا حیدری heydari

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی مازندران 0
طاهر علمی taher elmi شیرزاد غلامی shirzad gholami مهدی فخار mehdi fakhar فریبرز عزیزی fariborz azizi

نانو ذرات ذرات ریز پراکنده یا ذرات جامد با اندازه 10-100 نانو متر هستند که به اشکال مختلف تهیه می شوند. با توجه به قطعی نبودن اثر درمانی داروهای ضد انگلی و عوارض جانبی آن ها، طی سال های اخیر به استفاده از نانو ذرات در درمان بیماری ها از جمله بیماری های انگلی توجه ویژه ای شده است. مصارف پزشکی نانو ذرات دارای سابقه طولانی در درمان بیماری های مختلف است. در حال حاضر از نانو ذرات مختلف در درمان سرطا...

ژورنال: :زیست شناسی میکروارگانیسم ها 0
شهریار شاکری محمد مهدی یعقوبی محمد ربانی خوراسگانی شهلا سلطانی نژاد

مقدمه: نانو ذرات اکسید روی به طور وسیع در صنعت، لوازم آرایشی، بهداشتی و پزشکی استفاده می‏شوند. بررسی‏های زیادی بر روی فعالیت ضد میکروبی نانو ذرات متمرکز انجام شده است، اما اطلاعات اندکی در مورد مقاومت باکتری‏ها در برابر آن‏ها در دسترس است‏‏.مواد و روش‏‏ها: جدایه‏های سودوموناس مقاوم به نانو اکسید روی از نمونه‏های خاک جمع آوری شده از مناطق مختلف از جمله معدن مس سرچشمه کرمان جداسازی شد. جدایه انتخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده فنی 1392

در این پایان نامه تکنیک های کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده کم نویز پهن باند، ارائه شده است. پس از بررسی روش های موجود، برای کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده پهن باند، سه تقویت کننده کم نویز پهن باند معرفی شده است. در مدار پیشنهادی اول برای کاهش رابطه معکوس بین توان مصرفی و شرط حذف نویز، یک توپولوژی جدید معرفی شده است که منجر به بهبود توان مصرفی و عدد نویز مدار م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم 1392

پس از کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده¬اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده، پرداخته ایم...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید