نتایج جستجو برای: نانوسیم های ژرمانیوم

تعداد نتایج: 478040  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1390

از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در فناوری، صنایع حس گرها و ثبت کننده ها شده است. مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانوساختارها و چند لایه ها به ما در طر...

امیرحسین ساسانی قمصری صنم ترخورانی مرتضی ساسانی قمصری,

در این پژوهش برای اولین بار نانوذره‌ های کلوئیدی ژرمانیوم به عنوان یک منبع نور آبی توسط یک روش ساده تهیه شده و مورد مطالعه قرار گرفته است. در این روش از ترکیب پلی وینیل پایرولیدین به عنوان ماده عامل ‌دار کننده سطحی ذره ‌ها و کنترل اندازه آن ها استفاده شده است. برای بررسی ویژگی‌ های نوری نانو ذره ‌ها ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
طهماسب مردانی t mardani islamic azad university of farsanدانشگاه آزاد اسلامی واحد فارسان

در این مقاله به چگونگی حل معادله شرودینگر به روش اجزا ی محدود برای یک نانوسیم خواهیم پرداخت. تابع موج به طریق متفاوتی نسبت به کارهای مشابه ترسیم شده است. ازاین روش می یابیم که محاسبه ویژه مقدار انرژی سریعتر و آسانتر در مقایسه با سایر روش ها است به طوری که توقع از حافظه و زمان اجرای رایانه با اندازه سیستم تحت مطالعه، رابطه خطی دارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده علوم 1384

در دهه اخیر تحقیقات زیادی در زمینه ساخت نانو سیم های مغناطیسی به روش های مختلف و کاربرد آن ها برای ساخت حافظه های مغناطیسی صورت گرفته و همچنین بررسی تاثیر شرایط ساخت و پارامترهای هندسی نانوسیم ها بر خواص مغناطیسی آن ها مورد توجه بوده است. یکی از روش های ساخت نانو سیم های مغناطیسی استفاده از قالب های حفره دار آلومینا و پر نمودن آن ها به روش الکتروشیمی می باشد. در متن حاضر نتایج فعالیت های انجا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1391

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه-هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. یکی از قدر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1393

دراین پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای ساخته می شوند. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با اسید اکسالیک ایجاد می شود. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های کبالت-سرب و نیکل-سرب به روش الکتروانباشت متناوب ساخته و در ابتدا اثر اضافه کردن سرب به این نانوسیم های آلیاژی بررسی می شود. سپس نمونه ها ‏در دماهای مختلف تابکاری شده و پس از تابکار...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1393

فناوری نانو واژه ای است کلی که به تمام فناوری های پیشرفته در عرصه کار با مقیاس نانو گفته می شود. معمولاً منظور از مقیاس نانو، ابعادی در حدود یک تا صد نانومتر است.نانوسیم ها بسته به اینکه از چه ماده ای ساخته شده باشند انواع مختلفی مانند نانوسیم های فلزی، آلی، نیم رسانا، سیلیکونی و مغناطیسی دارند. ساخت نانوسیم ها به وسیله قالب اکسید آلومینیوم آندی حفره دار aao یکی از ارزان ترین و ساده ترین روش های...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه 1394

در این پایان نامه روش نامتداول تولید پوزیترون، با استفاده از تابش کانالی الکترون های نسبیتی بر اثر عبور از صفحات بلورهای مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. طیف تابش کانالی از صفحات مختلف بلورهای si،w، ge و c با انرژی و زاویه ی فرودی متفاوت با بکار بردن تقریب دویلی و تورنر برای پتانسیل های پیوسته صفحات محاسبه شده است. فرآیند کانال زنی و محاسبه طیف تابشی بر پایه حل معادله فوکر ـ پلانک انجام شده اس...

ژورنال: شیمی کاربردی 2016
مبینا علیمحمدی منصور جهانگیری,

در این مطالعه، نانوسیم اکسید منگنز با روش کم هزینه به منظور جذب طلا از پساب رقیق طلاسازی ساخته شد. پارامترهای مختلف مؤثر بر جذب طلا مانند تعداد دفعات بهبود اسیدی، زمان ماند، pH  و دور همزن مورد بررسی قرار گرفت.آزمایشات جذب با استفاده از روش تاگوچی طراحی شد و اثر پارامترها و شرایط بهینه فرآیند جذب تعیین گردید. جاذب اکسید منگنز ساخته شده در دمای پایین و بهبود اسیدی یافته، دارای ساختار نانو سیم می...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید