با هدف غلبه بر مشکلات زیست محیطی ناشی از تجمع پلاستیک­ های مصنوعی و دفع لجن فعال مازاد در تصفیه خانه­ های فاضلاب شهری، پژوهش ­های متعددی در زمینه تولید پلیمر­های زیست ­تخریب ­پذیری چون پلی­ هیدروکسی ­آلکانوات ها (PHAs) انجام شده است. در این پژوهش اثر میدان­ های مغناطیسی 5، 10، 15، 20، 25 و 50 میلی­ تسلا بر نوع و درصد جرمی مونومر­های کوپلیمر PHA و بر مقدار تولید آن از لجن فعال در مقایسه با نمونه...

روش نشتی شار مغناطیسی، متداول ترین و موثرترین روش برای تشخیص خوردگی در خطوط لوله فرو مغناطیسی است. عیوب خوردگی معمولا به صورت خوشه‌ای رخ می‌دهند و بر روی یکدیگر تاثیر می‌گذارند. با این حال به دلیل وجود تداخل در بین سیگنال‌های نشتی شار مغناطیسی، این عیوب با روش نشتی شار مغناطیسی متداول نمی‌توانند به طور دقیق اندازه‌گیری شوند. به منظور تفکیک عیوب تکی و بهبود عملکرد اندازه‌‌گیری، روش نشتی شار مغنا...

در این مقاله، اثر میدان مغناطیسی چنبره ای در اطراف قرص های نازک خود گرانشی با الگوی وشکسانی بتا مطالعه می شود. انتظار داریم با اعمال میدان مغناطیسی در یک قرص نازک خود گرانشی با الگوی β رفتار متفاوتی در مقایسه با حالت بدون میدان مغناطیسی داشته باشیم. با استفاده از حل روش های خود مشابهی تحول زمانی قرص های وشکسان خود گرانش پلی تروپ دراطراف یک جسم مرکزی جوان را بررسی می کنیم و بعضی از کمیت های فیزی...

یک نانومتر (nm) یک میلیاردیم متر است. نانوتکنولوژی دستکاری مواد در ابعاد اتمی و مولکولی را مطالعه می کند و در زمینه های گوناگونی از جمله گرایش های مختلف مهندسی، فیزیک، شیمی، علم مواد و زیست مولکولی وغیره کاربرد دارد. یکی از شاخه های عمده نانو فناوری نانو سیم می باشد. یکی انواع نانو سیم ها، نانو سیم فلزی است که کارایی زیادی در قطعات الکترونیکی دارد. در این رساله ما سیستم خود را یک گاز الکترونی ب...

سیگنال تحلیلی یک کمیت مختلط است که می توان آن را با دو مولفه دامنه و فاز بیان کرد. عدد موج محلی برابر با شدت تغییرات مولفه فاز سیگنال تحلیلی است. در سال های اخیر این روش بهطور گسترده در پردازش داده های مغناطیسی، شامل تعیین موقعیت افقی و عمق توده های مغناطیسی استفاده شده است. مانند دامنه سیگنال تحلیلی می توان عدد موج محلی مراتب بالاتر را نیز محاسبه و از آنه...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

در این مقاله فرآوری کنسانتره آهن از باطله های کارخانه معدن مس مزرعه با استفاده از جدایش مغناطیسی تر و بر اساس طرح آزمایش تمام فاکتوری مطالعه و سپس نتایج روش مدل سازی حداقل مربعات جزیی تجزیه و تحلیل شده است. نتایج نشان داد که  با استفاده از یک مرحله جدایش مغناطیسی تر تهیه کنسانتره آهن با بازیابی و عیار مناسب آهن به راحتی میسر بوده ولی حذف مواد مزاحم نظیر گوگرد و سیلیس به راحتی امکان پذیر نیست. ب...

در میان نانوسیم‏های مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیم‏های کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیم‏ها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایه‏ی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایه‏ی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار ...

آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی دسته ی جدیدی از مواد هوشمند به شمار می آیند که خواصی همچون کرنش های برگشت پذیر بزرگ و فرکانس عملکرد بالا از خود نشان می دهند. این خواص منحصر به فرد، آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی را به عنوان گزینه ای مناسب در کاربردهایی همچون عملگرها، حسگرها و برداشت کننده های انرژی مطرح کرده است. این مقاله یک مدل ساختاری پدیده شناختی دو بعدی برای آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی، در چارچوب...