در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

یکی از مهمترین پارامترهای نوسان ساز ها، نویز فاز می باشد. نویز فاز نوسان ساز در میکسر سبب تداخل باندهای فرکانسی داده های ورودی می شود. نویز فاز را در سیستم های دیجیتال جیتر نیز می گویند. در واقع جیتر معادل حوزه زمانی نویز فاز می باشد. جیتر در سیستم های دیجیتال سبب می شود که داده ها در لحظه صحیحی از زمان نمونه برداری نشوند. بنابراین شناخت نویز فاز و مدل سازی ریاضی آن از اهمیت ویژه ای برخوردار اس...

در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آ...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

افزودن کارکردهای هر چه بیشتر به سیستم، نیاز به افزایش کارایی و در عین حال کاهش قیمت در مدارهای مجتمع با چگالی بسیار بالا، روند کوچک-مقیاس شدن تکنولوژی را موجب شده است. اما کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی شرایط لازم طراحی را سخت تر کرده و به ویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از 90nm چالشهای بزرگی را ایجاد نموده است. در این گره های تکنولوژی افزایش شدت میدان الکتریکی و چگالی توان در کنار افزایش دماها...

این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در تکنولوژی tsmc 0.18µm cmos را برای کاربردهای باند فرکانسی 10-12ghz ارایه میکند. تقویت کننده کم نویز پیشنهاد شده بر پایه ساختار دو مسیره میباشد. مسیر اول شامل دو طبقه اینورتر cmos است که به صورت آبشاری به هم متصل شدهاند. نقش این مسیر فراهم آوردن بهره صاف و مناسب در باند فرکانسی مطلوب است. علاوه بر این، بخشی از تطبیق امپدانس ورودی نیز توسط طبقه ورودی این مس...

چکیده در این پروژه یک cad به منظور طراحی و بهینه سازی مدارهای مجتمع دیجیتال و rf، پیاده سازی شده است. مسأله مهم در طراحی مدارهای مجتمع (بویژه در rf) در تکنولوژی cmos، توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور، خازن و سلفهای مجتمع آن است و این مسأله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند. یک ویژگی مهم این روش استفاده از مدلهای دقیق عناصر و در نظر گرفتن کلیه عناصر پارازیتیک در طراحی است لذا جواب بدست آمد...

این رساله با بررسی تحلیلی ساختار نوسان ساز هارتلی ، استخراج و محا سبه معادلات مربوط به آن در حالت خطی و در حالت کلی و تحلیل این روابط به روش های مختلف، سعی بر ارائه رابطه ای تحلیلی برای نویز فاز در مدار نوسان ساز هارتلی دارد. جهت برآورده شدن این هدف به پیاده سازی روش های مختلف برای تحلیل دامنه نوسان در این نوسان ساز پرداخته و از روی این روابط تحلیلی و عددی اعمال شده، روابطی تحلیلی برای نویز فاز...