نتایج جستجو برای: محیط های دی الکتریک غیر خطی

تعداد نتایج: 524425  

سرامیک?های دی?الکتریک مایکروویو امروزه به عنوان اجزای غیرقابل جایگزین در دستگاه?ها و سیستم?های مورد استفاده در فرکانس?های مایکروویو برای مثال تلفن�های همراه و سیستم?های ماهواره�ای به کار می�روند. در این تحقیق اثر افزایش مقادیر متفاوت BaZrO3، بر روی ریز ساختار و خواص دی�الکتریک مایکروویو یک ترکیب با مبنای Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN) که با فرمول (0.9-x)Ba([Zn0.6Co0.4]1/3,Nb2/3)O3?0.1Ba(Ga1/2Ta1/2)O3?xB...

ژورنال: :پژوهش های حفاظت آب و خاک 0
جواد بهمنش دانشگاه ارومیه- گروه مهندسی آب مرضیه عباس زاده افشار دانشگاه ارومیه کیوان خلیلی دانشگاه ارومیه

بسیاری از فرآیندهای مربوط به سیستم های طبیعی نسبت به زمان غیر خطی بوده اگرچه جنبه های خاصی از این سیستم ها ممکن است نسبت به جنبه های دیگر به فرآیند خطی نزدیکتر باشند. به هر حال ماهیت غیر خطی بودن برای ما کاملا ً آشکار نیست. به همین دلیل به نظر می رسد با ترکیب مدل های خطی و غیرخطی بتوان نتایج مدل سازی های هیدرولوژیکی را افزایش داد. استفاده از مدل های سری زمانی یکی از راه های کاربردی در شبیه سازی ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده فنی 1392

علم نانو با ورود به دنیای اپتیک امکان ساخت ادوات نوری متنوعی را فراهم آورده است که به دلیل پراش نور دارای محدودیت است. توسعه این علم در دهه های اخیر با استفاده از پلاسمون پلاریتون های سطحی، امکان ساخت طیف جدیدی از ادوات را به وجود آورده است. در این پایان نامه، پلاسمون پلاریتونها در سیستمهای تک لایه و چند لایه مورد بررسی قرار گرفته اند و برای شبیه سازی رفتار فلزات از مدل درود-لورنتس در طول م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان 1376

محاسبه آهنگ واپاشی یک اتم و یا مولکول برانگیخته در نزدیکی یک تیغه دی الکتریک به دو روش متفاوت بررسی می شود. روش اول: میدان الکترومغناطیسی با استفاده از توابع مد کوانتیزه شده و آهنگ واپاشی اتم برانگیخته با بکار بردن قاعده طلایی فرمی محاسبه می شود. فرض می کنیم که تابع دی الکتریک تیغه یک کمیت حقیقی ثابت است . روش دوم: براساس کاربرد قضیه اتلاف - افت خیز و فرمول کیوبو است . در این روش ، آهنگ واپاشی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده کشاورزی 1391

ایران چهارمین تولید کننده سیب زمینی از لحاظ مقدار تولید است. با توجه به سهم بالای ایران در صادرات و مصرف سیب زمینی در داخل، اهمیت بررسی کیفیت سیب زمینی های تولیدی به صورت پیوسته و در ابعاد وسیع در فرآیند جداسازی این محصول آشکار می شود. سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی-های متعددی روبه رو می شود، که برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی، رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1393

نظر به مطالعات انجام گرفته در نانو فیزیک، بررسی انرژی آزاد کازیمیر و نیروی مربوط (فرمول لیفشیتز) بین یک لایه گرافین و یک دی الکتریک دارای اهمیت است. ما در ابتدا، بعد از بیان تاریخچه ای مختصر در مورد اثر کازیمیر، انرژی آزاد کازیمیر را بین دو صفحه دی الکتریک محاسبه می کنیم. سپس بعضی از خواص لایه ی گرافین را مطالعه می کنیم و انرژی کازیمیر بین گرافین و یک صفحه دی الکتریک در دمای متناهی t را محاسبه ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اراک - دانشکده علوم پایه 1392

در این پایان نامه ابتدا نانوذرات دی اکسیدتیتانیوم )2(tio با ضخامت 10 نانومتر بر روی زیرلایه ای از جنس کوارتز لایه نشانی شدند و سپس نانوذرات نقره (ag) با ضخامت 40 نانومتر روی دی اکسیدتیتانیوم با روش کندوپاش لایه نشانی شدند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت و برای تابع دی الکتریک این دولایه ای بازه ای بدست آوردیم. خواص ساختاری نقره-دی اکسیدتیتانیوم با الگوی پراش ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1379

روغنهای دی الکتریک و بویژه روغنهای ترانسفورمر از جمله با ارزش ترین محصولات حاصل از نفت در صنایع برق و الکترونیک می باشند. کاربرد گسترده این سیالات دی الکتریک موجب شده است که شناخت خصوصیات آنها از اهمیت ویژه ای برخوردار باشد. از عوامل تخریب روغنهای ترانسفورمر ولتاژ بالا می توان شکست دی الکتریک و تخریب شیمیایی ناشی از اکسیداسیون فلزی را نام برد. در بین فلزاتی که نقش کاتالیزوری برای واکنش اکسیداسی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
فرامرز رنجبر ranjbar آرمان قهرمانیان ghahremanian رضا آذرافزا azarafza

در این مقاله توزیع حرارت در سطح قطعه کار در ضمن تخلیه الکتریکی واحد توسط نرم‏افزار fluent شبیه سازی شد. برای این منظور از خواص ترمودینامیکی میانگین برای جنس قطعه کار و شعاع شار گرمایی با توزیع گاوسین برای منبع حرارتی و اعمال شرط مرزی جابجایی آزاد در سطح بالایی قطعه کار استفاده شد. در نهایت از روی پروفیل توزیع دما در قطعه کار استیل p20 حجم گودال بدست آمد و با داده های تجربی مقایسه شد. سیال دی ال...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید