در این مقاله، ابتدا گزارشی از مشخصات یک سیستم اندازه‌گیری طول عمر نابودی پوزیترون در مواد، که برای اولین بار در ایران با همکاری گروه فیزیک دانشگاه سیستان و بلوچستان و شرکت نوین طیف ساخته شده، ارائه می‌شود. در حال حاضر این سیستم قادر است با قدرت تفکیک زمانی بهتر از 350 پیکوثانیه طول عمر نابودی پوزیترون در موادی همچون سرامیک، شیشه و سایر مواد عایق با ضریب دی الکتریک متفاوت را اندازه‌گیری کند. در ...

در دهه گذشته با توجه به توسعه سیستم¬های مایکروویو بی¬سیم، نیاز مبرمی به سیستم¬های مخابراتی با توان مصرفی کـم و ‫کارایی بالا ایجاد شده است. استفاده از محیط¬هـای ‫انتقال موج عایق مانند dielectric image line کاهش تلفات در فرکانس¬های بالا را به همراه دارد. همچنین تشدید کننده¬های عایقی به¬عنوان تشعشع¬کننده امواج الکترومغناطیس دارای تلفات کم در فرکانس¬هـای مـایکروویو هستند که با توجه به حذف تلفات هاد...

سرریزهای کنگره ای بعنوان گزینه ای مناسب برای اصلاح سرریزهایی که برای عبور دبی حداکثر محتمل با مشکل روبرو هستند مطرح می شوند. این سرریزها دارای تاج غیر خطی بوده و در یک عرض معین، نسبت به سرریزهای با تاج مستقیم در یک ارتفاع مشابه، دبی عبوری از این سرریزها بیشتر از سرریز مستقیم خواهد بود. سرریزهای کنگره ای به دلیل زیاد بودن دبی عبوری از روی آن‏ها تحت بارهای هیدرولیکی کم و نیاز به جا و مکان کمتر در...

در این پایان نامه، ما به بررسی برهم کنش امواج الکترومغناطیسی فرکانس بالا با پلاسمای زیر چگال غیرمغناطیده و ناهمگن در حضور پروفایل چگالی خطی و نمایی پرداخته ایم. با در نظر گرفتن ناهمگنی محیط و نیروی اثرگذار غیرخطی، ضریب دی الکتریک غیرخطی برای پلاسمای سرد بررسی می شود. همچنین با استفاده از ضریب دی الکتریک غیرخطی و معادلات ماکسول، معادلات دیفرانسیل غیرخطی برای میدان های الکتریکی و مغناطیسی در داخل...

تارهای نوری از اهمیت قابل ملاحظه ای در زمینه مخابرات، حسگری، تقویت کننده های پارامتری و غیره برخوردارند. در این میان، تارهای بلور فوتونی(pcf) به دلیل انعطاف در طراحی ساختار، برای رسیدن به پاشندگی و پارامتر های غیرخطی مطلوب، توجه بسیاری را به خود جلب کرده اند. نازک سازی باعث می شود که خواص پاشندگی و خواص غیرخطیpcf بر حسب طول تغییر کند که این امر باعث کاربردهای متنوعی در حسگرها و اپتیک غیر خطی شد...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

نانو کامپوزیتهای زمینه پلیمری به دلیل خواص بی نظیر مکانیکی, شیمیایی و فیزیکی که دارند دربین نانو کامپوزیتها بیشترین توجه را به خود معطوف است. در میان آنها نانو کامپوزیت های ساخته شده از سلولز استات به دلیل طبیعی بودن و سازگاری محیطی از اهمیت خاصی برخوردار است. در این تحقیق نانوذرات پلی گونال نقره در فاز آلی با روش کاهش شیمیایی تهیه شد. برای حصول اطمینان از تشکیل نانو ذرات نقره و پی بردن به اند...

هدف از این کار تجربی ارائه نتایج حاصل از اسپکتروسکوپی دی الکتریک بلور مایع 235 ، در فاز سمکتیک کایرال (فاز فروالکتریک) آن و در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه می باشد. برای این منظور پراکندگی و اتلاف دی الکتریک بلور مایع، در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه، در چندین دمای انتخابی از فاز مورد نظر تحت فرکانس های مختلف توسط دستگاه متر، اندازه گیری شده است. میزان تاثیر افزایش غلظت رنگینه بر طیف ه...

در این تحقیق پاسخ نوری یک هندسه اتو در برگیرنده یک ورقه گرافن، در محدوده فرکانس تراهرتز meV 10-0.5 مورد بررسی قرار می گیرد. در این ساختار برانگیختگی پلاریتونهای پلاسمون سطحی بر روی گرافن موجب می شود که در محدوده زاویه های بزرگتر از زاویه بحرانی یک افت قابل توجه در ضریب بازتاب ظاهر شود و شدت نور بازتابیده به یک مقدار کمینه برسد. این پدیده دارای کاربردهای زیادی در ادوات می باشد. موقعیت کمینه ایجا...

نورحامل تکانه است و هرگونه تغییر در جهت آن به وسیله سایر اجسام باعث ایجاد نیروی اپتیکی بر آنها خواهد شد. نیروی اپتیکی میدان میرا، برای به دام انداختن پروتئین ها و مولکول های واحد مفید است، و کاربردهای بالقوه ای در دستکاری ذرات مسطح گونه نزدیک سطوح دی الکتریک دارد.نیروی اپتیکی میدان میرای ناشی از بازتابش داخلی کلی پرتوی گاوسی در سطح مشترک منشور و فیلم بر روی کره های دی الکتریک توسط گروه های ...