در این تحقیق میکرو و نانوساختار­های zno بر روی زیر­لایه کوارتز به روش تبخیر گرمایی (کربوترمال) در کوره رشد داده و عوامل مؤثر همچون زمان ماندگاری، لایه کاتالیست به عنوان مراکز اولیه هسته بندی در روند رشد و مورفولوژی، ساختارها و خواص اپتیکی مانند ضریب شکست (n) و گاف اپتیکی (eg) مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است. مورفولوژی شامل شکل فضائی، ابعاد، چگالی توزیع بر سطح، به وسیله تحلیل عکس­های میکروسکوپ...

نانوساختارها، به دلیل خصوصیات ابعادیشان، پتانسیل فراوانی برای کاربردهای تکنولوژیکی دارند. این طرح تحقیق، متمرکز بر نحوه محاسبه رسانندگی الکتریکی نانوسیم های فلزی مختلف و بررسی روش های ساخت نانوسیم است. در ابتدا روشهای تولید نانوساختارها و روشهای تولید نانوسیم ها مورد مطالعه قرار می گیرد. سپس با تعریف یک ماتریس دانسیته، تانسور رسانندگی برای سیستم های الکترونی کم بعد معرفی می شود. آنگاه طبق مدل ذ...

هدف از انجام این تحقیق رشد نانوساختارهای سولفید کادمیم به روش حلالی-حرارتی و مطالعه عوامل تاثیر گذار بر رشد نمونه ها از قبیل دما و زمان پخت است. بدین منظور از نیترات کادمیم، دی اتیلن آمین و تیواوره با استوکیومتری مناسب در حضور پلی اتیلن گلیکول با وزن مولکولی 20000 به عنوان قالب نرم جهت کنترل اندازه ی قطر و طول نانوساختارها استفاده شد. نانوسیم های تولیدشده به وسیله ی xrd و sem مورد مطالعه قرار...

فناوری¬های نوین هم¬اکنون سهم چشمگیری را در پیشرفت صنایع شیشه¬سازی به خود اختصاص داده¬اند. امروزه توجه بسیاری از کارخانجات و صنایع گوناگون مرتبط به استفاده از این فناوری¬ها برای گسترش دادن شیشه هوشمند، هر چه بیشتر از پیش شده است. بررسی شیشه¬های هوشمند که برتری¬های شایان توجهی نسبت به سایر شیشه¬ها دارند، از اهمیت ویژه¬ای برخوردار است. در این پایان نامه نخست ویژگی¬های عمده شیشه را برشمردیم و سپس م...

در این مقاله اثر میزان شار اکسیژن هنگام لایه نشانی بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم بررسی شده است. لایه های  توسط تفنگ الکترونی بر روی زیرلایه شیشه ای در شارهای متفاوت اکسیژن انباشته شده اند. درجه حرارت زیرلایه در زمان لایه نشانی 250 درجه سلسیوس ثابت نگه داشته می شود. طیف عبوری نمونه ها با استفاده از اسپکتروفوتومتر در محدوده طول موجی  اندازه گیری شده اند. سپس با استفاده از نقاط بهینه (بیشی...

روش مگنتوتلوریک (زمین مغناط برقی mt) یکی از روش های الکترومغناطیسی است که با استفاده از میدان های طبیعی الکترومغناطیسی متغیر با زمان زمین اطلاعاتی راجع به ساختار رسانش ویژه الکتریکی زیر سطحی فراهم می کند. جابه جایی ایستا یکی از اختلال هایی است که به واسطة حضور توده های رسانای سطحی ایجاد می شود. لذا این جابه جایی به منزله یکی از مراحل پردازش داده های مگنتوتلوریک، باید تصحیح شود. در نبود اطلاعات ...

در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آ...

ترکیب بین فلزی �تیتانیوم آلومیناید با هدف بکارگیری به عنوان بدنه متخلخل مستحکم به روش سنتز احتراقی خود گستر ایجاد شد. از پودر تیتانیوم و آلومینیوم� به عنوان مواد اولیه استفاده شد. مواد اولیه در یک آسیاب با یکدیگر مخلوط شده و سپس به روش پرس سرد از آن قطعاتی تهیه گردید. قطعات حاصل تحت گرمایش با نرخ 500 درجه بر دقیقه قرار گرفت و موج احتراق در آنها مشاهده شد. در این تحقیق فشار پرس جهت ساخت قطعات خا...

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...