هدف از انجام این پژوهش، بررسی رفتار سایشی نانوکامپوزیت al-sic در بارهای اعمالی و دماهای مختلف و مقایسه آن با آلومینیم تقویت نشده است. بدین منظور نمونه های کامپوزیتی با کسر حجمی های 0، 1، 3 و 5 درصد نانو sic به روش متالورژی پودر و به شکل دیسکی تهیه شدند. پس از بررسی ریزساختار نمونه ها و اندازه گیری چگالی و سختی، نمونه های تهیه شده تحت آزمون سایش پین روی دیسک قرار گرفتند. جهت بررسی اثر بار اعمالی...

در سیستم های مخابراتی همواره نیاز به تقویت کننده های توان خطی با بازده بالا داریم. برای داشتن بازده بالا می توان از تقویت کننده های مد سوییچینگ کلاس e، f وf-1 استفاده کرد. با توجه به اینکه این نوع تقویت کننده در ناحیه اشباع عمل می کنند بنابراین دارای خاصیت خطی نمی باشند و نمی توانند جایگزین تقویت کننده های خطی در فرستنده های wcdma شوند. برای حل این مشکل می توان از تکنیک هایی مانند doherty، linc...

ماشین افزار فورج سرد مافوق صوت ( ucf)، سیستمی است که با استفاده از فناوری مافوق صوت باعث تغییر ساختار سطح آلیاژهای فلزی از میکرو به نانو و بهبود خواص مکانیکی آن ها می شود. از آن جایی که طراحی کلگی تمامی دستگاه های ucf تا پیش از این پژوهش تنها قابلیت اجرای فرایند روی سطوح بیرونی شافت و لوله و سطوح تخت ورق های فلزی را داشت، خلا بکارگیری این قرایند روی سطوح داخلی لوله و سیلندرهای فلزی که کاربرد وس...

در این پایان نامه یک تقویت کننده با بهره متغیر (vga) طراحی شده است. این مدار از دو طبقه تشکیل شده است. طبقه اول یک تقویت کننده با بهره متغیر و طبقه دوم یک تقویت کننده با بهره ثابت می باشد. بهره کل مدار از 6db تا 20db با گام های 0.5db قابل تغییر است. این vga به صورت حلقه باز با پهنای باند-3db بزرگتر از 500mhz است. پهنای باند مدار در تمام گام ها ثابت باقی می ماند و مستقل از تغییرات بهره مدار است....

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm cmos طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 67.5 dbω، پهنای باند 3ghz و ...

0

استحکام اتصال چسبی بین اجزاء در سازه های کامپوزیتی، نقش بسیار مهمی در عملکرد این سازه ها تحت اثر بارگذاریهای اعمالی ایفا میکند. در این مقاله رفتار جدایش در اتصال چسبی بین پانل ساندویچی و پروفیل تقویت کننده به روش اجزاء محدود مورد بررسی قرار گرفته است. مدلسازی اتصال چسبی با استفاده از حالت مود ترکیبی مدل ناحیه چسبنده و المان های تماسی صورت گرفت. همچنین یک لایه ماده چسب بین پروفیل و پانل ساندویچی...

خطی سازی تقویت کننده های توان rf در مخابرات سیار نسل سوم امری اجتناب ناپذیر است . در میان روشهای مختلفی که به این منظور ارائه شده اند، پیش اعوجاج دیجیتال با استفاده از جدول جستجو یک روش ساده و با عملکرد بسیار خوب می باشد. این روش با سخت افزار ساده ای پیاده سازی می شود و با توجه به اهمیت توان مصرفی و سطح تراشه مورد نیاز در مجتمع سازی انتخاب مناسبی است . این نوع خطی سازی به چند روش قابل اجرا است ...

مبدل های آنالوگ به دیجیتال (adc) جزء بلوک های اصلی در سیستم های الکترونیکی هستند. سرعت، دقت و مصرف توان جزء مهم ترین معیارهای شایستگی یک adc محسوب می شوند. عامل محدود کننده سرعت در adc ها, تقویت کننده های حلقه بسته هستند که استفاده از آنها برای دسترسی به دقت بالاتر متداول است. در سال های اخیر تلاش زیادی برای استفاده از ساختارهای سریع حلقه باز در adc ها صورت گرفته است. مشکل اصلی در تقویت کننده ه...

سیستم های بی سیم با سرعت شگفت آوری مسیرتوسعه خود را به سمت دستگاه هایی با پهنای باند بالاتر، مصرف توان کمتر و از لحاظ ساخت مقرون به صرفه تر می پیمایند.سیستم های ارتباط بی سیم فراپهن باند یکی از موارد پژوهشی مهم در حوزه های علمی و صنعتی هستند. با استفاده از سیستم های مذکور می توان در ارتباطات بی سیم به پهنای باند و سرعتی حتی فراتر از ارتباطات سیمی و کابلی دست یافت. ساختار و طراحی مدار سیستم های ...