نتایج جستجو برای: ترانزیستور ماسفت دو گیتی

تعداد نتایج: 276407  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1388

هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1391

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

ژورنال: :پژوهشنامه ادیان 2012
ملیحه شیرخدائی بخشعلی قنبری

مفهوم خدا جوهرة اصلی و بنیادی ترین مفهوم در بسیاری از متون مقدس از جمله اوستا است. دراین گونه متون، صفات و ویژگی های خداوند از طریق اسماء و نامهایی بیان شده است که هر یکمعرف جنبه ای از وجود خداوند اند. در اوستا نیز خداوند با نا مهای متعددی چون اهورامزدا کهمعرف بالاترین خرد و یکتایی کامل اوست، و نیز صد و یک نام دیگر خوانده شده است. اهورامزدادر گاهان خداوند خرد است که گیتی و مینو را به وسیلة آن م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی شهاب دانش - دانشکده برق 1392

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

Journal: : 2022

هدف : اول پژوهش حاضر شناسایی مقوله‌ها و مفاهیم تجاری‌سازی دانش جهت ارائه یک الگوی مفهومی است. دوم آن آزمون تجربی تجاری سازی می‌باشد.مواد روش‌ها: با راهبرد ترکیبی از نوع اکتشافی انجام شد. مشارکت‌کنندگان در رؤسا، مدیران گروه استادان دانشگاه، متخصصان مراکز رشد دانشگاهی پارک علم فناوری استان گیلان بودند. برای پژوهش، مرحله کیفی30 نفر استفاده نمونه‌گیری هدفمند کمی، 230 روش تصادفی طبقه‌ای به‌عنوان نمو...

عزیزالدین بن محمّد نسفی (ف حدود 700ق)، از شاگردان سعدالدین حمویه، عارفی بنام در قرن هفتم هجری است که آثار متعددّی در حوزة نثر عرفانی فارسی بر جای گذاشته است. وی از طریق سعدالدین حمویه با تعالیم مکتب عرفانی ابن عربی و سبک استدلالی-رمزی او آشنا شده و در آثارش اغلب مفاهیم کلیدی عرفان نظری ابن عربی از قبیل وحدت وجود، اعیان ثابته، حقیقت محمدیه، فیض اقدس و مقدس و حضرات خمس را با زبان ادبی و با کاربرد ن...

ژورنال: مهندسی مخابرات 2020

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1377

در این پایان نامه، به نحوه طراحی و پیاده سازی یک پردازنده با کاربرد خاص (asuc) می پردازیم که بر روی بر آنالوگ ، در سیستم جمع آوری داده نیروگاه، بکار گرفته می شود. از دید کلی این پردازنده متشکل از دو بخش است : یکی بخش کنترل کننده eeprom که زمانبدی لازم جهت ارتباط با eeprom را فراهم می کند و دیگری بخش اصلی پردازنده که علاوه بر آدرس دهی کانالها و تنظیم گین و افست مناسب برای هر یک از آنها، عمل مقای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان 1390

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید