ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

In this paper, we report a new structure for bipolar junction transistors based on concept of surface inversion. This structure is made up of only one PN junction and a metal with appropriate work function connected to the p region which results in an inversion of electrons in the semiconductor near the metal-semiconductor interface, this inversion layer plays the role of emitter n+ region. Sim...

این پروژه شامل مطالعه و شبیه سازی تقویت کننده های توان مایکروویو و طراحی و ساخت یک تقویت کننده 10 وات با استفاده ترانزیستور از نوع (gan on sic hemt 0.25 um ) در باند x است. این تقویت کننده در فرستنده های رادار پالسی و فرستنده های دیجیتال کاربرد دارد. با توجه به قابلیت تحرک پذیری بالای الکترون در ganاین نوع ترانزیستورها امروزه برای ساخت تقویت کننده های توان در فرکانس های تا باند ku و بالاتر به ک...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

در توانهای متوسط و بالا (چندین کیلو وات) در منابع تغذیه سوئیچینگ توپولوژی تمام پل به صورت ویژه ای کاربرد یافته است. این توپولوژی شامل 4 سوئیچ قابل کنترل در زمان خاموش شدن وروشن شدن است که در فرکانسهای بالااغلب از ماسفت استفاده می شود تا فرکانس کاری تا چند صد کیلو هرتز و بالاتر از آن قابل استفاده باشد . از آنجا که افزایش فرکانس سوئیچینگ باعث افزایش تلفات می گردد، برای کاهش تلفات و امکان افزایش ف...

تثبیت کننده های ولتاژ با افت کم (ldo) یکی از بلوک های اصلی واحد مدیریت توان به شمار می روند. یک واحد مدیریت توان پیشرفته برای کاربردهای درون-تراشه ای به تعدادی تثبیت کننده ولتاژ به منظور راه اندازی المان ها و بلوک های عملیاتی نیاز دارد. تثبیت کننده های ولتاژ اغلب برای ایجاد یک ولتاژ ثابت و کم نویز به منظور تغذیه مدارهای آنالوگ به کار می روند. این ولتاژ باید در مقابل تغییرات جریان بار و ولتاژ خط...

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...

هدف این مقاله ارائۀ طرحی نو از تمایز پژوهش پایه/ پژوهش کاربردی است که در اغلب اسناد سیاستی بنابر مدل خطی از نوآوری ترسیم می‌شود. طرح جدید که شرح کارکردگرایانه نام گرفته بر مدل کارکردگرایانه از تمایزِ علم محض/ علم کاربردی و خصوصاً دو مفهومِ بازنمایی علمی و نقشۀ طراحی استوار است. شرح کارکردگرایانه تقدّم تولید معرفتِ علمی بر کاربرد را، که با وجود پیشنهاد مدل خطی نمونه‌های ناقض فراوانی در تاریخ دارد، کن...

در این تحقیق، هدف بهبود شیب زیرآستانه به مقادیر کمتر از mv/decade60و نسبت جریان روشن به جریان خاموش با مرتبه بالاتر از 5^10 می باشد. بدین منظور ابتدا روشهای مختلف بهبود عملکرد این افزاره را بررسی کرده و در نهایت روش مهندسی در گاف انرژی با مواد با باندگاپ قابل تنظیم به عنوان روش برتر معرفی می شود. پارامترهای طراحی ترانزیستور اثر میدان تونلی را با استفاده از شبکه عصبی بدست آمده است و ترانزیستورها...