پسماندهای الکترونیکی و الکتریکی انواعی از پسماندهای ویژه می‌باشند که قطعات اصلی آن‌ها شامل خازن، ترانزیستور، آی.سی، مدارات الکترونیکی، قطعات کاتدی و آندی بوده و دارای خاصیت سمیت، بیماری‌زایی و پایایی در محیط پیرامون و حتی در پیکره جانداران، خورندگی تاسیسات و تجهیزات و مشابه آن می‌باشند.بر این اساس، هدف از این تحقیق بررسی و شناسایی عوامل موثر در آزادسازی این فلزات و اختصاصاً عنصر کادمیوم در محیط ...

تحلیل و مدل سازی ترانزیستور به عنوان مهم ترین بخش مدارهای الکترونیکی فرکانس بالا، جزء بحث های مهم و کلیدی در طراحی دقیق مدارهای الکترونیکی می باشد. معمولاً هنگامیکه فرکانس کاری مدار و به تبع آن فرکانس کاری ترانزیستور پایین است، از مدل فشرده به نام مدل مدار معادل، برای مدل سازی ترانزیستور و طراحی مدارهای الکترونیکی استفاده می شود. ولی صحت و دقت این مدل ها با افزایش فرکانس و قابل مقایسه شدنِ ابعاد ...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه­هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می­شود که مشخصات  DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل­ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه­ مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه­­ساز دوبعدی بررسی می­شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از V13 در ساختار  متداول به V19 در ساخ...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

ساختارهای جدید یک بعدی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیمی و نانولوله های کربنی بطور گسترده ای به عنوان جایگزینی برای ماسفت های مسطح مورد بررسی و کاوش قرار گرفته اند. در سیمهای کوانتومی شاهد قابلیت حرکت الکترون بیشتری نسبت به چاههای کوانتومی هستیم. زیرا پراکندگیهای الکترون – الکترون در نانوسیمها از اهمیت کمتری نسبت به چاههای کوانتومی برخوردارند. روش مونت کارلو از جمله روشهای نیمه کلاسیکی ح...

در مراحل مختلف طراحی مدارات دیجیتال به کمک ابزارهای سنتز، بررسی مشخصات زمانی مدار امری ضروری می باشد. روش متداول جهت بررسی مشخصات زمانی شبیه سازی می باشد. بررسی مشخصات زمانی با استفاده از شبیه سازی در دو مرحله پس از سنتز و پس از جانمایی مطرح می شود. شبیه سازی پس از سنتز در سطح rtl صورت گفته و شبیه سازی پس از جانمایی بسته به نوع جانمایی می تواند در سطح گیت یا ترانزیستور انجام شود. حجم زیاد توصیف...