در این پایان نامه گزارشی از مراحل مختلف طراحی، ساخت و بالیدن یک سامانه برای تبخیر مواد و لایه نشانی در خلأ ارائه می شود. هدف پایان نامه استفاده از بمباران الکترونی به جای روش های مقاومتی برای تبخیر مواد دیرگداز که باعث واکنش با مواد مختلف، تبخیر مواد ترکیبی (غیر خالص) و در نتیجه آلودگی لایه های نشانده می شدند، بوده است. این سامانه از سه بخش مهم منبع الکترونی، منبع تغذیه ولتاژ بالا برای شتاب داد...

در این کار تحقیقی خواص ساختاری و الکترونی نانولوله های سیلیکونی خالص تک لایه زیگزاگ (n,0) برای 7 ? n ? 10 و آرمچیر (n,n) برای 5 ? n ? 8 و نانولوله های بور- سیلیکون تک لایه زیگزاگ (n,0) برای 4 ? n ? 10 و آرمچیر (n,n) برای 4 ? n ? 8 به طور نظری و با استفاده از روش نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار می گیرند. در تمام حالات، انتهای نانولوله با اتم های هیدروژن بسته شده است. نتایج بدست آمده نشان می د...

افزایش جریان، طول عمر و کیفیت مشخصات دینامیکی باریکه الکترونی ذخیره شده در حلقه انبارش، از اهداف مهم سنکروترون‌­ها هستند. از پدیده‌­های تأثیرگذار بر روی کیفیت باریکه، اثرات ناپایدارکننده‌­­ی طولی و عرضی است که با افزایش جریان بیش‌تر می‌­شود. ناپایداری طولی در کاواک‌­های بسامد رادیویی، به دلیل بزرگ بودن ضریب کیفیت مدهای مرتبه بالاتر آن‌ها بیش‌ترین تأثیر را دارد. در اثر این مدها، یک خوشه الکترونی...

در این پژوهش،اثرات ناخالصی و میدان الکتریکی عمودی بر خواص الکترونی نانولوله های کربنی تک دیواره ای نوع آرمچیر مطالعه شده است. در محاسبات از هامیلتونی تنگ بست، رهیافت تابع گرین تعمیم یافته و فرمولبندی لانداور استفاده می شود. چگالی حالت الکترونی و رسانندگی الکترونی نانولوله های کربنی به ازای مقادیر معین از ناخالصی بورون و نیتروژن و همچنین در حضور میدان الکتریکی عمود بر محور نانولوله محاسبه شده اس...

در این تحقیق پوشش های تک لایه اکسید تیتانیوم (TiO2)، تک لایه هیدروکسی اپتایت (HA)، دو لایه HA-TiO2و پوشش با ساختار تغییرات تدریجی HA/TiO2 به روش الکتروفورتیک بر روی آلیاژ تیتانیومTi–6Al–4V اعمال گردیدند. مقاومت به ضربه پوشش های مختلف پس از عملیات تفت جوشی به وسیله رها سازی گلوله فولادی از ارتفاع های مختلف بر روی سطح پوشش، اندازه گیری شد. بررسی مقاومت به سایش پوشش های مختلف، توسط آزمون سایش به ر...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

در این تحقیق خواص ساختاری و الکترونی نانولوله های تک لایه (0, 10) و (6, 6) بورنیترید خالص و داپت شده با اتم فسفر و نیز خواص نانولوله های تک لایه (0, 10) و (6, 6) بورفسفید مورد بررسی قرار می گیرد. برای نانولوله های بورفسفید خالص، و هر دو حالت جایگزینی اتم بور یا اتم نیتروژن با اتم فسفر در نانولوله های بورنیترید، خواص ساختاری شامل انرژی پایداری، طول و زوایای پیوندی و خواص الکترونی شامل انرژی بالا...

ترانزیستور یکی از مهم ترین قطعات الکترونیکی است، که ساخت آن تحول عظیمی در فرآورده های الکترونیکی ایجاد کرد، قبل از اختراع ترانزیستور، از لامپ های خلاء بزرگ و پر مصرف استفاده می شد. ترانزیستور از ادوارات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسییوم و ژرمانیوم ساخته می شود. ساخت ترانزیستورهای کوچک تر همواره از نیازهای انسان بوده است، چرا که سرعت پردازشگرها رابطه ی مستقیمی با تعداد ترانزیس...

در این پژوهش سعی شده است تا کارایی افزاره ترانزیستور اثر میدانی (fet ) در تماس با بیومارکرهای سرطانی و تشخیص آنها مورد بررسی قرار گیرد. لذا با مدل سازی کانال نانولوله کربنی در نرم افزار virtual nanolab ضمن بررسی تأثیر آنتی ژن ها و آنتی بادی انواع سرطان ها بر ویژگی های ساختار شیمیایی والکترونیکی کانال، تغییرات مقادیر خازنی کانال و پارامترهای کنترل گیت و درین را بدست می آوریم. سپس با استفاده از ا...