در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و ا...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

کاهش اندازه ماسفت ها منجر به افزایش توان مصرفی استاتیک می شود. به منظور بهبود بازده انرژی مدارات الکترونیکی، سوئیچهایی با شیب کم برای جایگزینی یا بکارگیری ماسفت های مرسوم که امروزه به وفور مورد استفاده قرار می گیرند، مورد توجه می باشد. فت هایتونلی، که دارای پیوند p-i-n هستند و جریان روشن آنها از تونل زنی باند به باند ناشی می شود، ترانزیستورهای جدید و مورد توجه برای کاربردهای کم توان، به خاطر جر...

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

این پایان نامه ایده استفاده از ترانزیستورهای pmos را به جای نوع nmos در طراحی میکسر پایین آورنده گیلبرت، برای کاهش عدد نویز خروجی بررسی می کند. و پس از ارائه روابط مربوط به اثر خازن های پارازیتی منبع جریان اصلی در ایجاد اعوجاج و مدولاسیون تداخلی مرتبه سوم، روشی برای حذف آن ارائه می دهد. این میکسر در تکنولوژی tsmc 0.18µm rf cmos طراحی شده و برای گیرنده های wlan یا blutooth در پهنای باند 2.4ghz ت...

نانو الکترونیک شاخه ای از فناوری نانو است که از نظر ساخت وسایل الکترونیکی کوچک تر، سریع تر و کم مصرف تر نقش بسیار مهمی در تکنولوژی جهانی دارد. کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورهای سلیکونی رایج موجب ایجاد مشکلاتی از جمله ایجاد جریانات نشتی و خازن های پارازیتی می شود که بروز چنین مشکلاتی خود موجب افزایش توان مصرفی، تاخیر و افزایش حاضلضرب تاخیر در توان می گردد. تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کر...

تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی مایکرویو یکی از مهم¬ترین مسائل در طراحی مدارهای راداری و فرستنده¬های مخابراتی است. قطعات اکتیو مورد استفاده در این مدارها باید توانایی تولید سطوح بالایی از توان rf را در دماهای بالا داشته باشند. لذا هر ساله مطالعات بسیاری در راستای طراحی و مدل¬سازی قطعات توان صورت می¬گیرد. موادی از قبیل gan، gaas، الماس ، یاقوت کبود و sic موارد پیشهادی برای ساخت قطعات توان هستد. ا...