معادله پاشندگی امواج الکترومغناطیس عرضی دریک پلاسمای الکترون –پوزیترون مغناطیده بدست آمده است. الکترونها و پوزیترونها میتوانند باسرعتهای سوقی متفاوت در راستای یک میدان مغناطیسی خارجی حرکت کنند. حل تحلیلی معادله پاشندگی نشان میدهد ناپایداری وایبل دراین سیستم پلاسمایی رشد خواهد نمود و با افزایش قدرت میدان مغناطیسی از آهنگ رشد ناپایداری کاسته خواهد شد. نتایج این تحقیق، برای فهمیدن منشاء میدان مغنا...

بررسی اثر خود میدانهای مغناطیسی و الکتریکی بر برهمکنش لیزر الکترون آزاد در رژیم رامان به علت وجود دانسیته بالا و انرژی پایین الکترونها از اهمیت زیادی برخوردار است اخیرا جفت شدگی بین امواج در لیزر الکترون آزاد در حضور میدان های مغناطیسی ویگلر پیچشی یک بعدی و محوری مطالعه و خصوصیات آن بررسی شده جفت شدگیهای جدیدی بدست آمده است در این پروژه خود میدان الکتریکی باریکه نسبیتی که از معادله پواسون و خود...

کنترل انتشار نور در ساختارهای دی الکتریک لایه ای همواره مورد توجه محققین بوده است. این امر ناشی از قابلیت های فراوان این سیستم ها در کاربردهای گوناگون و وسیع در حیطه نورشناسی می باشد. مزیت اصلی سیستم لایه دی الکتریک نسبت به محیط اتمی قابلیت کاربرد آن در مطالعه انتشار نور در باند گاف بلور فوتونی است. تا به حال روش های گوناگونی برای کنترل رفتار انتشاری نور در داخل این سیستم ها ارائه شده است. برای...

در این پایان نامه تحریک امواج آلفون در یک پلاسمای غباری توسط موج پمپ مگنتوسونیک بررسی شده است. ضمن نوشتن معادلات حرکت ذرات پلاسما (الکترون، یون و غبار منفی) یک رابطه پاشندگی برای موج آلفون غباری تغییر یافته، بر حسب فرکانس محرک (پمپ) به دست آمد. نشان داده شده است فرکانس این موج تحریک یافته از امواج غبار-صوتی و امواج آلفون معمولی متاثر می شود. در قسمت دوم رابطه پاشندگی مربوط به تحریک امواج آلفون ...

در این پایان نامه، ناپایداری لیزر الکترون آزاد دوجریانی را در حضور ویگلر الکترومغناطیس و میدان مغناطیسی محوری، در رژیم رامان بررسی کردیم. رابطه‏ی پاشندگی کلی، شامل امواج الکتروستاتیک و الکترومغناطیس جفت شده ای که در طول باریکه های الکترونی، در حضور میدان های ویگلر و محوری، منتشر می‏شوند را به دست آوردیم. همچنین رابطه‏ی پاشندگی موج الکترومغناطیس راستگرد را در غیاب امواج بار-فضا و الکترومغناطیس چ...

مواد مگنتواپتیکی در طول موج های مختلف، پاسخ های مگنتواپتیکی متفاوتی از خود نشان می دهند. از اینرو، بلور های مگنتوفوتونی نیز به عنوان ساختارهایی که سبب تقویت شدید اثرات مگنتواپتیکی می شوند در طول موج های مختلف، رفتار متفاوتی خواهند داشت. در تحقیقات انجام شده، برای سادگی مسأله، رفتار مگنتواپتیکی بلورهای مگنتوفوتونی بدون در نظر گرفتن اتلاف و پاشندگی مواد تشکیل دهنده ی بلور بررسی شده است. در این پا...

در این تحقیق ثابت های اپتیکی فیلم های نازک، با استفاده از یک روش اپتیکی که توسط مینکوو پیشنهاد شده است به دقت محاسبه شد. روش مینکوو بر اساس پوش های ماکزیمم و مینیمم طیف بازتاب می باشد که هم قسمت حقیقی و هم قسمت موهومی ضریب شکست مختلط را بدست می دهد. سپس سایر خواص اپتیکی فیلم های نازک از قبیل: ضریب خاموشی، ضخامت، تابع دی الکتریک مختلط، رسانندگی اپتیکی و پارامترهای پاشندگی محاسبه و طیفشان رسم شد....

معمولا ًمعادلات تحول زمانی دستگاه سه ترازه (یا چند ترازه) اتمی در اندرکنش با دو (یا چند) میدان کلاسیکی با تقریب میدان ضعیف کاوشگر در حالت پایا مورد بررسی قرار می گیرد. اما این تقریب برای میدان های کوآنتیده، که هر دو میدان کاوشگر و جفت کننده شامل تعداد محدودی فوتون هستند، یا (مخصوصاً) برای میدان جفت کننده در حالت خلأ کوآنتومی، تقریب مناسبی نیست. در این مقاله معادلات دستگاه سه ترازه آبشاری، در دو چ...

قالب سازی برای شارش مناسب نور در مقیاس طول موج آن، چالش بزرگ بحث بلورهای فوتونی می باشد. موجبرهای بلور های فوتونی معمولا با ایجاد نقص های خطی بدست می آید، مشروط بر این که بلور فوتونی در فرکانس مورد نظر دارای گاف باند فوتونی باشد. اخیرا، با معرفی بلورهای فوتونی مدرج فرآیند موجبری بدون نیاز به ایجاد نقص داخل ساختار انجام شده است. این بلورها به وسیله ی ایجاد تغییرات تدریجی در پارامترهای بلور فوتون...