نتایج جستجو برای: گیت دیالکتریک

تعداد نتایج: 485  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده برق 1393

در این پایان نامه، سعی داریم ساختار سیستم را با کمک توصیف شبکه ی بیزین برای تجزیه و تحلیل قابلیت اطمینان سیستم و مشخص کردن فاکتور اهمیت تشخیص و قطعه بحرانی با فرض همبسته بودن خطا مدل کنیم. روش ارائه شده به کمک سیستم های مرسوم موازی، k از n و پل توضیح داده شده است. در ضمن مقایسه ای بین نتایج به دست آمده با فرض خطای همبسته و فرض مستقل بودن خطا ارائه شده است. سپس تلاش شده با تعمیم نتایج فوق، از آ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان 1375

در این پایان نامه تور کردن سولیتون در تار نوری دو شکستی طراحی و مورد مطالعه قرار گرفته است . جابجایی زمانی گیت که بطور آزمایشی اندازه گیری شده است ، بیش از دو برابر پیش بینی تئوری است . این تفاوت ناشی از یک یا چند مورد زیر است : 1 - نایکنواختی در امتداد طول تار نوری. 2 - انحراف پالس ها از شکل استاندارد. 3 - تاثیر جملات نوسان کننده سریع که حذف شده اند. این پایان نامه روی مورد اول متمرکز شده است ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1391

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و برررسی نحوه تشکیل چاه کوانتوم دوبعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می‏پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل‏های موجود ، اثر قطبش خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تاثیر می‏گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه می‏کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می‏توان جریان الک...

پایان نامه :0 1391

روش ارائه شده در این پایان نامه دارای بار محاسباتی کم می باشد و در عین حال از جمله دقیق ترین الگوریتم هایی است که در این زمینه ارائه شده است. جهت امتحان عملکرد الگوریتم از سیگنال های ecg موجود در بانک mit/bih arrhythmia database استفاده شده و نتایج حاصل از شبیه سازی نرم افزاری دقت بالای %99.7 را به ثبت رسانده است. پیاده سازی سخت افزاری بر روی fpga صورت گرفته است. به دلیل سادگی الگوریتم، سطح سخت...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد - دانشکده برق 1392

منطق چند ارزشی امکان تعریف بیش از دو سطح منطقی را فراهم می آورد و سبب کاهش تعداد عملیات مورد نیاز برای پیاده سازی توابع ریاضی و مساحت تراشه می شود. این منطق در مقایسه با منطق دو مقداری، یکی از راه های بهینه کردن مدارهای دیجیتالی است چرا که با به کارگیری این منطق، محتوای دیتای بیشتری در سیم های ارتباطی منتقل می شود و به واسطه آن سرعت مدار و توان مصرفی و نیز کارایی آن بهبود می یابد. در این تحقیق ...

در این مقاله نوسان‌گر LC با تزویج ضرب‌دری در فرکانس‌های باند میلی‌متری تحلیل شده است. با استفاده از دیدگاه مقاومت منفی و استفاده از مدل دوقطبی برای المان‌ها، روابط دقیقی برای فرکانس و شرط نوسان ارائه شده است. روابط جدید ارائه‌شده اثر مخرب پارازیتی المان‌ها و به‌خصوص RG و CGD بر رفتار نوسان‌ساز در فرکانس‌های بالاتر را به‌خوبی نشان داده و مشخص می‌کنند که در فرکانس‌های بالا، شرط نوسان تابع از فرکا...

جلال پیکانی

نوشتار حاضر به نقد و بررسی کتاب تاریخ: چیستی و چرایی آن، نوشته بِوِرلی ساوث گیت اختصاص دارد. در این مقاله نشان داده ایم که این اثر نه یک کتاب اجتهادی و نوآورانه، که صرفاً یک متن درسی تألیفی است در باب یکی از مهم‌ترین پرسش­های فلسفه تاریخ، یعنی این پرسش که آیا تاریخ از عینیت برخوردار است یا نه؟ مولف به خوبی توانسته است دیدگاه متقدمان و متأخران، یعنی متفکران باستان و متفکران بعد از عصر روشنگری را تب...

ژورنال: :مجله علمی - پژوهشی دانشگاه علوم پزشکی سبزوار 2014
سمانه میرزایی نورالدین کریمی فرشته قراط رباب صحاف علی صمدی

زمینه و هدف: هدف از انجام این پژوهش، بررسی تأثیر کوتاه مدت تمرین ویبریشن همراه با مکمل سازی کراتین بر برخی از عوامل آمادگی جسمانی و عملکرد عصبی- عضلانی زنان سالمند بود. مواد و روش ها:جامعه ی آماری زنان سالمند بالای 60 سال بودند که بدین منظور، 22 نفر زن سالمند سالم انتخاب و به صورت تصادفی به سه گروه تمرین ویبریشن و مکمل کراتین (8n=)، تمرین ویبریشن و دارونما (7n=) و کنترل (7n=) تقسیم شدند. گروه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1391

پیشگویی مور، یک مقدار تخمینی از مقیاس گذاری است که به پیشگویی کام بخش تبدیل شده است که رشد نمایی صنعت نیمه رسانا و ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) را از چهار دهه پیش سبب شده است. هم سوی پیشگویی مور، توسعه-های آتی صنعت نیازمند نانو ترانزیستورهایی با گیت اکسید با ثابت دی الکتریک بالا و انرژی گاف نواری بزرگ تر برای جایگزین کردن اکسید سیلیکون است. در کار حاضر، ما یک سری از آزما...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید