نتایج جستجو برای: گاف نوار فوتونی

تعداد نتایج: 4582  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمید پاشایی عدل h pashaei adl department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز صمد روشن انتظار s roshan entezar department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

در این مقاله صافی های چند کاناله، بر پایه ساختارهای تیو- مورس حاوی شبه مواد تک منفی مطالعه شده است. نشان داده شده است که تعداد مدهای تشدیدی در داخل گاف نوار فاز- صفر با افزایش تعداد فصل مشترک ها (m) افزایش می یابد. تعداد این مدهای تشدیدی دقیقاً برابر با تعداد فصل مشترک ها است و می توانند به عنوان صافی های m - کاناله استفاده شوند. زمانی که اتلاف در نظر گرفته شود، نتایج نشان می دهد که میدان الکتری...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمیده کاویانی h. kaviani institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان عبدالعلی رمضانی a. ramazani institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان محمد الماسی کاشی m. almasi kashi institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان

با استفاده از روش مرتبه n و محاسبات ساختار نواری بلور نوری آلومینای حفره دار در راستای gx و بررسی تطابق نتایج آن با نتایج تجربی اندازه گیری ضرایب جذب و بازتاب, تغییرات نمار شکست آلومینا در ناحیه اکسید خارجی حول حفره ها مورد مطالعه قرار گرفت. در این محاسبات برای توزیع آنیونهای اسیدی فسفات در ناحیه اکسید خارجی تابعیت گاوسی در نظر گرفته شد و تعیین تغییرات نمار شکست, منجر به مشخص شدن عمق نفوذ آنیون...

ژورنال: :اپتوالکترونیک نظری و کاربردی 0
ثمین ابراهیمی کارشناس ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور سید علی هاشمی زاده عقداء استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب alingan از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست...

ژورنال: :بلورشناسی و کانی شناسی ایران 0
سیده ماندانا حمزه ساروی department of physics, faculty of sciences, university of guilan, rasht, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان، رشت، ایران فرهاد اسمعیلی قدسی department of physics, faculty of sciences, university of guilan, rasht, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان، رشت، ایران

فیلم­های نازک نانو ساختاری اکسید نیکل با روش غوطه وری سل- ژل تهیه شدند. از سه روش (تابش فروسرخ، آون و مایکروفِر) برای خشک کردن فیلم­ها استفاده شد. اثر روش خشک­سازی روی خواص اپتیکی، مولکولی، الکتریکی، ساختاری و مورفولوژی فیلم­ها به ترتیب به­وسیله طیف سنج نوری مریی- فرابنفش، طیف­سنج تبدیل فوریه فروسرخ، اثر هال، پراش پرتو x، میکروسکوپ نیروی اتمی، و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ثاب...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تبریز - دانشکده علوم پایه 1390

در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...

آذین شمس سعیده علی اکبری, محمدجواد طهماسبی بیرگانی منصور ذبیح زاده ندا عبدالوند

زمینه و هدف: در ده­های اخیر از کد مونت کارلو در زمینه رادیوتراپی استفاده زیادی شده است.در این مطالعه سعی شده است تا آلودگی فوتونی ناشی از سرب و شیلد داخلی با ترکیب جدیدی که بدون سرب و قابل انعطاف بوده مورد بررسی قرار گیرد. روش بررسی: برای ارزیابی آلودگی فوتونی ناشی از حضور این ماده جدید با ترکیب ،70%W، 61/18%  Ni و 39/11% C  در میدان­های الکترونی از کد MC...

ژورنال: :شیمی کاربردی 0
حیدرعلی شفیعی گل گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران مرتضی فاضل زاده گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و ارتعاشی فاز مکعبی 3bahfo به روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با دو تقریب lda و gga  مورد بررسی قرار می گیرند. اجرای محاسبات در بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو نشان می دهد که ساختار نواری 3bahfo شامل یک گاف نواری مستقیم ev 67/3 و ev 88/3 در نقطه ی g (مرکز شبکه وارون) برای تقریب های lda و gga  است که الکترون های ظرفیت اتم ba در پایین ترین نوارها...

ژورنال: :علوم 0

در این مقاله اندازه گیری های طیف نگاری در محدوده فرکانس khz 10 تا mhz 4 در دماهای متفاوت برای احساسگرهای نیمه رسانا و لایه نازک au/clmgpc/au گزارش شده است. تغییرات رسانائی الکتریکی(a.c) به دست آمده با فرکانس زاویه ای به صورت تابع تغییر می کند. توان n در فرکانس های بالا با تقریب خوبی برابر یک است. اندازه گیری ها در این تجربه مکانیزم رسانائی الکتریکی در دماهای پائین و فرکانس های بالا در این لایه ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1392

بلورهای فونونی ساختارهای ترکیبی هستند که مواد تشکیل¬دهنده¬ی آن¬ها به¬گونه¬ای مرتب شده است که ویژگی¬های کشسانی آن¬ها به¬طور متناوب تکرار می¬شود. رفتار فونون در چنین ساختارهایی مانند رفتار الکترون در پتانسیل تناوبی بلور و همچنین مانند رفتار فوتون¬ها در محیط¬های دی¬الکتریک تناوبی است. بنابراین، انتشار آن¬ها را می¬توان با ساختار نواری فونونی توصیف کرد، علاوه ¬بر این، در این ساختارها گاف نواری برای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

در این رساله به بررسی و تحلیل رفتار جذبی نقطه کوانتومی¬های inas/gaas تحت خواص بلور فوتونی، آرایه¬ها و شبکه¬های متناوب فلزی که منجر به تولید امواج پلاسمون سطحی می¬شود، می¬پردازیم. نقاط کوانتومی به عنوان ناحیه فعال آشکارساز در شرایطی که بلور فوتونی بعنوان آینه براگ و یا کاواک با مودهای تشدیدی خاص مورد استفاده قرار گرفته است، بکار می¬رود. تابع دی¬الکتریک لایه نقطه کوانتومی از طریق مدل ماکسول-گارنت...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید