نتایج جستجو برای: گاف نواری

تعداد نتایج: 2955  

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم 1390

در این پایان نامه برای بررسی خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و مغناطیسی پروسکایت باریم استانات(basno3) هم در شکل خالص و هم آلایش داده شده با اتم mn، محاسبات اصول اولیه بر اساس نظریه ی تابعی چگالی با دو تقریب gga و mbj روی پتانسیل تبادلی-همبستگی انجام شده است. برای انجام محاسبات از کد محاسباتی wien2k استفاده شده است. آنالیز ساختار نواری و چگالی حالت های کل و جزئی برای باریم استانات نشان می دهد که...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1390

بررسی ساختار نواری نیمرسانای 2h-sic با استفاده از برنامه شبیه ساز ابی نت و تعیین پارامترهای جرم موثر، انرژی گاف و فاصله بین دره ها برای شبیه سازی خواص ترابرد الکترون در میدان های الکتریکی شدید؛ همچنین محاسبه آهنگ پراکندگی الکترون در اثر فونون های اپتیکی و آکوستیکی و همچنین وجود ناخالصی های یونیزه.

ژورنال: شیمی کاربردی 2016
حیدرعلی شفیعی گل, مرتضی فاضل زاده

در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و ارتعاشی فاز مکعبی BaHfO3 به روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با دو تقریب  LDA و GGA مورد بررسی قرار می گیرند. اجرای محاسبات در بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو نشان می دهد که ساختار نواری BaHfO3 شامل یک گاف نواری مستقیم eV  3.67 و eV  3.88 در نقطه ی G (مرکز شبکه وارون) برای تقریب های LDA و GGA  است که الکترون های ظرفیت اتم O Ba در پایین ترین نو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1392

در این پژوهش ما رفتار ناشی از آثار سطحی لبه های یک دستگاه نواری شکل ابررسانا را که در یک میدان مغناطیسی اعمالی متناوب عمود قرار گرفته بررسی می کنیم. توزیع میدان مغناطیسی و چگالی جریان الکتریکی را به دست می آوریم و با رسم منحنی مغناطش برای دستگاه هایی با تعداد نوار متفاوت، نشان می دهیم همانگونه که انتظار داریم افزوده شدن سد هندسی لبه به دستگاه می تواند مانع از تخلیه کامل شار مغناطیسی از دستگاه ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1389

در سال های اخیر لایه های نازک اکسیدکادمیم (cdo) به دلیل داشتن رسانایی الکتریکی خوب و عبور بالا در ناحیه ی مرئی به عنوان ماده مطلوب جهت ساختن قطعات اپتوالکترونیکی همچون حسگرهای گازی، سلول های خورشیدی و دیودهای نوری مورد توجه قرار گرفته اند. cdo ذاتا یک نیمرسانای نوع n با ساختار بلوری مکعبی است، که دارای گاف نواری مستقیم با انرژی ev7/2-2/2 و گاف نواری غیرمستقیم با انرژی ev 98/1 می باشد. لایه های ...

در این مقاله ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های LDA،GGA و PBE0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان 1390

در این مطالعه با بکارگیری روش (fp-lapw) و در چارچوب نظریه تابعی چگالی خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات بور bnxp1-x، bnxas1-x و bpxas1-x در غلظت های (1 و 75/0 ،50/0 ، 25/0 ،0 x=) انجام شده است. آلیاژهای نیمرسانا محلولهای جامدی هستند که از دو یا تعداد بیشتری عنصر تشکیل می شوند و از نظر فناوری خصوصاً در صنایع الکتریکی و الکترواپتیکی بسیار مورد توجه اند. یکی از راههای تغییر کارایی و عملکرد نیمرساناها ...

پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2  و Ta2O5  می‌باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه ...

در این مقاله، خواص الکتریکی گرافین و بورن نیترید دو بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. تاثیر وجود لایه‌ها روی همدیگر و هم‌چنین پیچش لایه‌ها روی همدیگر مطالعه می‌شود. وجود لایه-ی اضافه موجب ایجاد تراز‌هایی اضافه می‌شود که در مورد گرافین همچنان رسانندگی این ماده را حفظ می‌کند ولی تحرک پذیری آن را به شدت کم می‌کند. اثر پیچش در گرافین و بورن نیترید موجب افزایش تعداد نوار‌های انرژی به هشت عدد می‌شود ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1390

گرافن نازک ترین ماده موجود در جهان است که از یک لایه گرافیت ساخته شده و ضخامت آن در حدود یک اتم است. گرافن در سال 2004 توسط دو دانشمند از دانشگاه منچستر سنتز شد و در سال 2010 هم این دو دانشمند به خاطر تولید گرافن، جایزه نوبل فیزیک را از آن خود کردند. بنا بر نظر بسیاری از دانشمندان علوم و فناوری، گرافن به علت خواص منحصر به فرد و فراوانی آن، می تواند جایگزین خوب و مطمئنی برای نیمه رساناهایی نظیر ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید