درسال 2002 بیس توپولوژی ای روی گروه بنیادین فضاها قرار داد و فضای حاصل را گروه بنیادین توپولوژیک خواند. او نشان داد با گذاشتن این توپولوژی روی گروه بنیادین، برخی از قضایای مربوط به گروه بنیادین در حالت توپولوژیکی نیز برقرارند. قضیه ی مهمی که بیس در مقاله خود بیان می کند این است که یک فضا همبند ساده نیم موضعی است اگر و تنها اگر گروه بنیادین توپولوژیک آن گسسته باشد. فابل با ارائه یک مثال نقض نشان...

در این پایان نامه بعد تک زنجیری مدول ها را تعریف و بررسی می کنیم. بعد تک زنجیری یک مدول، مقدار انحراف آن مدول از تک زنجیری بودن را اندازه گیری می کند. نشان می دهیم برای حلقه ی r و عدد ترتیبی ، یک r- مدول با بعد تک زنجیری α وجود دارد. هم چنین نشان می دهیم حلقه ی تعویض پذیر r نوتری (آرتینی) است اگر و تنها اگر هر r- مدول متناهی تولیدشده بعد تک زنجیری داشته باشد. در ادامه ویژگی های حلقه هایی که مد...

چکیده ندارد.

در این رساله به بررسی برخی از خواص نگاشت های خطی چندمقداری پیوسته از قبیل کرانداری، وجود انتخاب های خطی و معکوس پذیری انتخاب ها می پردازیم و نشان می دهیم برخی از این خواص حتی برای نگاشت های زیرخطی و ابرخطی چندمقداری نیز قابل تعمیم می باشند. سپس برخی از قضایای مهم و شناخته شده در نظریه عملگرها نظیر قضیه توسیع پیوسته خطی، نمایش عملگرها توسط ماتریس ها و پیوستگی یک شکل خانواده عملگرها را به این نوع...

this thesis deals essentially (but not from all aspects) with the extension of the notion of semigroup compactification and the construction of a general theory of semitopological nonaffine (affine) transformation semigroup compactifications. it determines those compactification which are universal with respect to some algebric or topological properties. as an application of the theory, it is i...

در این مقاله عملکرد توپولوژی­های مختلف براساس مبدل منبع امپدانسی تحت تست­ های مختلف مورد بررسی قرار می­گیرد. در این سیستم (براساس مبدل منبع امپدانسی) اندازه­ ی اجزاء ذخیره ­کننده ­ی انرژی و مقادیر نامی اجزاء الکترونیک قدرت در مقایسه با متعارف که در آن از مبدل منبع ولتاژ استفاده می­ شود کمتر است. توپولوژهای مطرح شده به دو نوع کلی تقسیم می­ گردند. دو توپولوژی شامل منبع ذخیره ­کننده انرژی به منظور...

در ابتدا با مضروب های موضعی تقریبی شروع می کنیم و بررسی می کنیم که در چه شرایطی مضروب های موضعی تقریبی ، مضروب می شوند. سپس در فصل بعدی به تبیین ارتباط مضروب ها با اشتقاق ها پرداخته و بررس می کنیم که چه شرایطی لازم است که اشتقاق های موضعی تقریبی ، اشتقاق شوند. در فصی بعدی به تعریف جبر های باناخ موضعاٌ یکال پرداخته و نتایج بدست آمده را برای این جبر ها گسترش می دهیم. در آخر نتایج بدست آمده را بر ر...

عایق ها موادی هستند که در مقایسه با نیمه رساناها و رساناها گاف انرژی نسبتاً بزرگی دارند و به چندین دسته تقسیم می شوند. دسته ای از این مواد، عایق های توپولوژی هستند که به دلیل رفتار متفاوت آنها نسبت به عایق های باندی توجه خاصی را به خود جلب کرده اند. عایق های توپولوژی سه بعدی (دو بعدی) موادی هستند که در طیف انرژی حجمی (سطحی) آنها گاف وجود دارد (0.3 ev). در حالیکه حالت های سطحی (لبه ای) بدون گاف ه...

در این مقاله یک ایده ی جدید از مبدل ماتریسی منبع امپدانسی سه فاز به تک فاز مستقیم در توربین های بادی به صورت مستقل از شبکه ارائه شده است. در مبدل های ماتریسی منبع امپدانسی مستقیم تنظیم دامنه ولتاژ و فرکانس خروجی با سیستم کنترلی دارای اهمیت می باشد. در توربین های بادی به علت تغییر در سرعت باد فرکانس و ولتاژ ورودی در حال تغییر می باشد؛ که این تغییرات را به راحتی می توان با استفاده از مبدل ماتریسی...

در این مقاله ویژگی های الکترونی، اپتیکی و فاز توپولوژی نانولایه Li2AgSn مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات براساس نظریه تابعی چگالی، بصورت پتانسیل کامل به روش امواج تخت بهبودیافته خطی به اضافه اوربیتال های موضعی و تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. چگالی حالت های الکترونی این نانولایه با استفاده از این تقریب محاسبه شده است. ضریب خطی گرمای ویژه نانولایه Li2AgSn مورد بررسی قرار گرفته است. با اس...