نتایج جستجو برای: نیمه هادی ماسفت

تعداد نتایج: 29754  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی امیرکبیر(پلی تکنیک تهران) - دانشکده مهندسی 1384

در این پژوهش، سنتز نانوذرات سولفید روی ذوب شده توسط مس به روش هم رسوبی و تاثیر ماده پایدار کننده سدیم تری پلی فسفات بر اندازه ذرات بررسی گردید. در بررسی پراش اشعه ایکس نمونه ها مشخص گردید که نانوذرات حاصل دارای ساختار کریستالین بلند روی می باشند اما به دلیل کوچک شدن اندازه ذرات، پیک ها پهن تر گردیده اند. در بررسی توسط میکروسکوپ الکترونی رویشی مشخص گردید که ذرات کاملا کرئی شکل هستند. اندازه ناوذ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1394

در سال های اخیر لیزرها جای خود را در بسیاری از کاربردهای پزشکی و مهندسی باز کرده اند. در این بین لیزرهای نیمه هادی به دلیل ویژگی های خاص خود از اهمیت ویژه ای برخوردارند. پایان نامه ابتدا به تئوری لیزر می پردازد و سپس دو نوع لیزر نیمه هادی را مورد بررسی قرار می دهیم، که عبارتند از لیزر وی سل و لیزر وکسل. این لیزرها از نوع انتشار از سطح می باشند. البته تمرکز بیشتر همان طوری که از موضوع پایان نامه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1391

در این پایان نامه ، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق نانو ذرات سیلیکون،در لایه اکسید از ساختار فلز- اکسید – نیمه هادی، شبیه سازی شده است. ناحیه ی فعال این آشکارساز یک ساختار تونلی رزونانسی بر مبنای نقاط کوانتومی کروی سیلیکون می باشد. ساختار چند لایه ی رزونانس تونلی، به صورت آرایه ای از نقاط کوانتومی کروی سیلیکون در لایه اکسید در ساختار فلز – اکسید – نیمه هادی می باشد. در این...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1392

نیمه هادی آلی poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene (meh-ppv) کاربردهای وسیعی در اپتوالکترونیک دارد، لیکن ساخت و نگهداری این ادوات در محیط عاری از اکسیژن صورت می-گیرد. پژوهش های متعدد نشان داده است که ویژگی های اپتوالکترونیکی این نیمه هادی در حضور اکسیژن به سرعت تخریب می گردد. طی این کار نشان دادیم که هدایت الکتریکی لایه ای از meh-ppv در حضور اکسیژن به تدریج کاهش یافته به مقدا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده شیمی 1392

امروزه سنتز نیمه رسانا ها از اهمیت ویژه ای برخوردار است زیرا آنها یکی از اجزای اساسی سلولهای خورشیدی محسوب می شوند. از طرفی به منظور بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی آنها می بایست صفحه رسانای مناسب مانند شیشه هادی استفاده شود تا نسبت به عبور نور و جریان رسانا باشند.به همین خاطر فن آوری استفاده از سل های خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدید پذیر وپاک مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است ورفته رفته در ص...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1388

چکیده ندارد.

در این مقاله دینامیک امواج خروشان در یک لیزر نیمه هادی تزریق نوری در حضور نویز محیطی با دو تابع توزیع گاوسی و یکنواخت مطالعه شده است. بدین منظور معادلات آهنگ لیزر به صورت عددی حل و شدت دامنه‌ی میدان بر حسب زمان محاسبه شده است. همچنین برای این توابع توزیع، نمودار تعداد امواج خروشان بر حسب دامنه‌ی نویز در مقادیر مختلف جریان و فرکانس عدم تطبیق محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می­دهد ...

جمشید صباغزاده, , زهرا حقی, , صدیقه دادرس, ,

  In this paper we explain in detail the design of a semiconductor laser coupled with the reflected beams from a grating. Since the beams reflected are diffracted at different angles, only one component of them can be resonated in the cavity. This technique reduces the output frequency of the laser and increases its stability.   Since this system has various applications in the spectroscopy, ga...

بروجردیان, پرویز, میره ‏ای, اکرم,

در این مقاله به سنتز و مشخصه‌یابی خصوصیات نانوساختاری یکی از نیمه هادی‌های مهم حسگری که در موضوع آشکارسازی، تشخیص و شناسایی کارایی بالایی دارد، پرداخته شده است. در این تحقیق با استفاده از روش شیمی‌تر و به‌کارگیری یک عامل مهارکننده )2- مرکاپتواتانول(، نانوذرات سولفید سرب سنتز گردید. بررسی خواصی از قبیل ساختار بلوری، اپتیکی، مورفولوژی (شکل) و اندازه نانو ذرات سولفید سرب توسط پراش اشعه X، اسپکتروس...

افشین نیکتاش مرتضی فتحی پور کارو لوکس

در فرآیندهای ساخت قطعات نیمه هادی اطلاع از وجود الگوهای غیرطبیعی بر روی نمودارهای کنترلی مربوط به فرایند و پیش بینی وقوع آنها امری مهم و شایان توجه است. در این نوشتار ، فرآیند ساخت گیت ترانزیستورهای MESFET در مدار مجتمع یک تقویت کننده مایکروویو GaAs به عنوان نمونه انتخاب شده است. سپس ضمن ارائه توضیحاتی پیرامون چگونگی بدست آوردن نمودارهای کنترلی و نیز نحوه استفاده از داده های مربوط به فرآیند، رو...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید