در سالهای اخیر بررسی اثرات همدوسی و تداخل کوانتومی از سیستم های اتمی و مولکولی به سیستم های نیمه هادی خصوصا در حالت های با ابعاد کاهش یافته گسترش پیدا کرده است. برهمکنش نور همدوس با مواد نیمه¬هادی، پدیده های کوانتومی بسیار جالبی را موجب می¬شود. از جمله این پدیده ها می توان به شفافیت القایی الکترومغناطیسی اشاره کرد. در این اثر تغییر خواص محیط اپتیکی درحضور میدان الکترومغناطیسی انجام می شود. در ا...

در فرآیندهای ساخت قطعات نیمه هادی اطلاع از وجود الگوهای غیرطبیعی بر روی نمودارهای کنترلی مربوط به فرایند و پیش بینی وقوع آنها امری مهم و شایان توجه است. در این نوشتار ، فرآیند ساخت گیت ترانزیستورهای mesfet در مدار مجتمع یک تقویت کننده مایکروویو gaas به عنوان نمونه انتخاب شده است. سپس ضمن ارائه توضیحاتی پیرامون چگونگی بدست آوردن نمودارهای کنترلی و نیز نحوه استفاده از داده های مربوط به فرآیند، رو...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه می­شود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+  امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...

خطوط انتقال نیرو به علت عوامل مختلفی که عمدتا الکتریکی و مکانیکی اند، تحت تأثیر قرار دارند. این عوامل می توانند باعث بروز اشکال در کار خطوط، اختلال در شبکه و حتی خروج خط شوند. در طراحی خطوط انتقال، همواره پس از انتخاب هادی مناسب و محاسبه فواصل فازی به لحاظ خصوصیات الکتریکی، آنها را از نظر مکانیکی هم مورد ارزیابی قرار می دهند. یکی از پارامترهای مهم مکانیکی در طراحی خط به عنوان عامل اصلی در تعیین...

نزدیک به سه دهه از اجرای طرح های هادی در نواحی روستایی کشور می گذرد و صرف اعتبارات ملی در مراحل مختلف تهیه و اجرای آن، تحول گسترده در زمینه های کالبدی- فضایی، مانند دگرگونی در بافت کالبدی روستا، تغییر در الگوی ساخت مساکن، هماهنگی در شبکه ی معابر روستا و تسهیل در امر رفت و آمد روستاییان را فراهم آورده است. هدف از انجام این پژوهش، ارزیابی آثار کالبدی اجرای طرح هادی روستایی در دهستان کرخه در شهرست...

امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه mos2 به عنوان نیمه هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه mos2 در بازه ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه بی نهایت sio2 و هوا است که تک لایه mos2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطب...

در این مقاله روش جدیدی به نام مدل شش ضلعی منتظم لانه زنبوری برای محاسبه ظرفیت خازنی پراکنده بین رشته سیم های هادی یک حلقه از سیم پیچ و بین رشته و هادی استوانه ای توخالی و همچنین ظرفیت خازنی کل n حلقه از سیم پیچ مولد تراکم شار مغناطیسی حلزونی ارائه می شود. روش ارائه شده روشی تحلیلی مبتنی بر ساختار هندسی رشته سیم های چند لایه در درون یک حلقه از سیم پیچ مولد است. در این روش رشته سیم های سیم پیچ مو...

هدف از این پژوهش طراحی و ساخت حسگرهای گاز مبتنی برنانولوله های کربنی (cnt) است. با توجه به اینکه تشخیص گاز متان در صنایع کشور اهمیت خاصی دارد بنابراین تمرکز ما برروی ساخت حسگر گاز متان بوده است. حسگرهای اکسید فلز که از رایج ترین حسگرها هستند معمولاً در دماهای بالا (500-300 درجه سانتی گراد) کار می کنند. با توجه به اینکه متان مولکولی پایدار و غیر قطبی است تشخیص آن در دماهای پایین مشکل است. برای تش...