تشخیص عیوب، خطاها در مراحل اولیه و خطاهای توسعه یافته ی درایوهای الکتریکی توسط پایش شرایط آن ها امکانپذیر است. عیوب درایو موجب تغییر در شرایط کار عادی آن نمی شوند ولی بر اثر تکرار و شدت یافتن باعث کاهش عمر مفید و نهایتاً منجر به خرابی آن می شوند. هدف این رساله ارائه ی روشی جدید برای تشخیص برخی عیوب درایو موتور سنکرون مغناطیس دائم شامل افزایش مقاومت اتصال و قطع و وصل لینک dc، خطای اتصال کوتاه ترا...

امروزه تولید نانو لایه های sio2به منظور استفاده برای گیت ترانزیستور های mosfet و دیگر کاربرد های الکترونیکی در صنعت الکترونیک از اهمیت بالایی برخوردار است و با توجه به اینکه کوره های لوله ای علاوه بر ناکارآمد بودن برای تولید عایق هایی منطبق با نیاز صنعت امروزه، بسیار گران قیمت و زمان بر هستند، سیستم هایی تحت عنوان سیستم هایی حرارتی سریع (rapid thermal processing) به این منظور طراحی و ساخته می ش...

سابقه و هدف: نانو ذرات نقره کاربردهای گسترده ای در صنایع مختلف دارند. در روش های معمول نانو ذرات با روش شیمیایی سنتز می شوند، در تحقیق حاضر، سنتز نانو ذرات نقره در شبکه هیدروژل پلی وینیل پیرولیدون (pvp) به وسیله پرتودهی با باریکه الکترون انجام می شود. مواد و روش ها: برای تهیه هیدروژل، پلی وینیل پیرولیدون به میزان 7 درصد به آب مقطر اضافه شد و تا دمای c◦80 همراه با هم زدن حرارت داده شد. پس از حل ...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

امروزه یکی از کاربرد های مهم ممریستور استفاده از آن به عنوان سیناپس در شبکه های عصبی مصنوعی است. علت آن نیز ساخت متراکم و عملکرد عالی آن به عنوان حافظه آنالوگ است. اما اگر تنها از یک ممریستور به عنوان سیناپس استفاده شود و بدنه سلول یک پالس ژنراتور باشد، در این صورت اگر پالس در پیش سیناپس ایجاد شود جریان از ممریستور عبور کرده و پتانسیل پس سیناپس را افزایش می دهد. با پایان یافتن پالس پیش سیناپسی،...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

مقدمه: استرس اکسیداتیو به عنوان عدم تعادل بین تولید رادیکال های آزاد و آنتی اکسیدانت ها تعریف می شود. استرس اکسیداتیو با بروز بیماری های مزمن هم چون دیابت و سرطان در ارتباط است، از این رو تولید آنتی اکسیدانت های سنتزی و طبیعی جهت جلوگیری از استرس اکسیداتیو و اثرات مخرب آن ضروری است. در این راستا می توان نانو ذرات تولید شده به روش سبز را مورد استفاده قرار داد که خواص آنتی اکسیدانتی نشان می دهند....