دراین پایان نامه مشبکه های نیمحلقه ها و نیم میدانهای توابع نامنفی پیوسته بر روی یک فضای توپولوژی دلخواه مورد مطالعه قرار خواهندگرفت. همچنین خواص همنهشتیهای نیم میدان و نیم میدان خودتوان بررسی میشوند. سپس توسیع همنهشتیها بر روی نیم حلقه و را مورد تجزیه و تحلیل قرار میدهیم و ثابت میکنیم که همنهشتیهای نیممیدان (خودتوان) توابع مثبت پیوسته میتواند به نیمحلقه(خودتوان)توابع نامنفی پیوسته توسیع یابند.

دانه های مغناطیسی feco در اندازه های زیر میکرون با درصدهای مختلف کبالت در حضور میدانهای مغناطیسی رشد داده شده اند. پس از حذف یونهای اضافی و اکسیژن, عملیات گرمایی انجام گردیده و برخی از نمونه ها در بستر پلیمر در حضور میدان مغناطیسی جهت دار شدند. نتایج sem, xrd و اندازه گیریهای مغناطیسی, وجود ناهمسانگردی مغناطیسی القایی در نمونه ها را تایید می کنند؛ به طوری که برای نمونه fe0.7 co0.3 حضور میدان در...

پتانسیل بین چشمه های ساکن در نمایشهای مختلف su(3) براساس مدل ورتکسهای مرکزی پهن محاسبه شده است. در فواصل متوسط, توافق کیفی خوبی با مقیاس بندی کازیمیر مشاهده شد. به عبارت دیگر مقاومت کششی ریسمان, متناسب با مجذور اپراتور مربعی هر نمایش است. در فواصل بزرگتر, اثر پوشیدگی برای نمایشهایی که دارای ترایالیتی صفر هستند مشاهده می شود و مقاومت کششی ریسمان برای نمایشهایی که ترایالیتی مخالف صفر دارند برابر ...

در این رساله، یک نظریه جدید برای توصیف مکانیسم رشد و معلوم کردن نحوه تاثیر متغیرهای پارامتری مانند دما و کاتالیست و همچنین عوامل خارجی مانند میدانهای الکتریکی و مغناطیسی، روی رشد نانولوله های کربنی به روش رسوب بخار شیمیایی ارائه می شود. اساس نظریه ارائه شده بر پایه نوسانات طولی فونونی نانولوله کربنی روی کاتالیست در مدل رشد از پایه و نوسانات طولی فونونی خوشه های کاتالیست فلزی روی نانولوله کربنی ...

در این تحقیق به ارائه روشی نوین برای شناسایی تغییرات اندازه و ضریب شکست نانو ذرات دی اکسیدتیتانیوم به عنوان ماده اصلی تشکیل دهنده مواد دارویی جلدی ضد اشعه مضر ماورابنفش خورشید پرداخته شده است. هدف اصلی این مقاله بررسی تاثیر تغییرات اندازه و ضریب شکست ذرات دی اکسیدتیتانیوم موجود در فانتوم شبیه سازی شده مواد دارویی بر حالت قطبش نور بازپراکنده شده، است. اصول کار مبتنی بر مدلسازی پراکندگی نور لیزر ...

در این تحقیق کمانش یک ماده دولایه، با پوششی از جنس ماده با عملکرد درجه بندی شده که شامل یک ترک در لایه حایل می باشد، بررسی شده است. برای بررسی این پدیده که یکی از موارد مورد علاقه جهت مطالعه مهندسی سطح می باشد، تنشها بر اثر بارگذاری لغزشی یک استوانه بدست آمده اند. تنشها با استفاده از روش تبدیل فوریه حل شده اند. میدانهای تنش ناشی از این بارگذاری قویاً تحت تاثیر پارامترهای مختلف مانند ضریب اصطکاک،...

هدف از انجام این تحقیق مطالعه میدانهای تغییر شکل و تعیین پارامترهای شکست در اطراف ترک حالت مختلط برای نمونه های همگن می باشد برای این منظور از روش جدید تداخل پراشه های نور ‏‎(cgs)‎‏ استفاده شد که اخیرا توسط محققین برای مطالعه میدانهای تنش کاربرد یافته است . نمونه های مورد آزمایش ورقهای نازک از جنس پلکسی می باشند که در لبه آنها سه ترک موازی ایجاد شده است. در روش نوری تداخل پراشه های نور با در نظ...

توپولوژی فضایی خطوط میدان مغناطیسی میتواند برای میدانهای تولید شده بوسیله پیکریندیهای ساده جریان آشوبناک باشد. این موضوع برای یک سیستم شامل یک حلقه جریان و یک سیم راست جریان نشان داده شده است. در پیکربندی متقارن سیستم وقتی سیم راست در مرکز حلقه جریان قرار میگیرد، خطوط میدان مغناطیسی آشوبناک نیستند. اما در پیکربندی نامتقارن سیم راست را نسبت به مرکز حلقه جریان به صورت شعاعی جابجا میکنیم و منجر...

در سالهای اخیر طبیعت به شدت تحت تأثیر طیف وسیعی از میدان‌های مغناطیسی، قرار گرفته است؛ لذا همواره مطالعات گسترده‌ای بمنظور بررسی آثار بیولوژیک این میدان‌ها انجام می‌شود. آثاری نظیر مهار عملکرد سلول عصبی- که با شواهدی نظیر کاهش فرکانس یا کاهش دامنه پتانسیل عمل خود را نشان می دهد- نشان داده شده است.  در توجیه و بررسی این آثار، اخیراً نظریه پنجره‌های بیولوژیک مطرح شده و به آن توجه ش...