نتایج جستجو برای: مقایسه گرهای cmos
تعداد نتایج: 174564 فیلتر نتایج به سال:
In this article a low power and low latency 4-2 compressor has been presented. By using modified truth table and Pass Transistor Logic (PTL) a novel structure has been proposed which outperforms previous designs from the frequency of operation view point. The proposed design method has reduced the total transistor count considerably which will lead to reduced power consumption and smaller activ...
هدف: تخمین شناختی تلاش برای ارائه یک پاسخ معقول براساس اطلاعات در دسترس است. هدف از این مطالعه طراحی آزمون و بررسی روایی، پایایی مقادیر هنجار آن روش: 643 نفر دانشجویان دانشگاه شهید بهشتی انجام شد. آزمونهای شده حاضر، مرتب کردن کارتهای ویسکانسین، رنگ واژه استروپ حافظه فعال چند محرک پیشین به عنوان آزمونهای کارکرد اجرایی همزمان ارزیابی مورد استفاده قرار گرفت. همبستگی پیرسون روایی همزمان، تی مق...
روشهای مختلفی برای زمانسنجی امواج مشابه و با تحریک یکسان ارایه شده است که توجه به شرایط موج میتوان بهترین گزینه را انتخاب کرد. لذا هدف ما یافتن روش زمانسنجی جهت خروجی از حسگر UFSD زیرا میخواستیم این حسگرها آشکارسازی پروتونها در سیستم پروتون درمانی برای درمان تومورهای سرطانی استفاده کنیم. راستا مقایسه مختلف مثل تفکیککننده کسر ثابت (CFD)، همبستگی متقابل(CC) زمان بیش آستانه (TOT)با داد...
CMOS image sensors are a second-generation solid state imaging technology. CMOS active pixel sensors have performance competitive with CCD technology, and offer advantages in on-chip functionality, system power reduction, cost and miniaturization. CMOS VLSI circuits for imaging and readout, and on-chip integration of ADC and smart functions will be addressed.
CMOS active pixel sensor (APS) technology has been developed as a potential replacement for charge-coupled devices (CCDs) for solid-state imaging. The CMOS APS has several advantages over CCDs for camera systems including much lower camera power, smaller camera size, lower camera cost, and on-chip functionality. This paper describes the CMOS APS technology.
In this paper a new 8-bit 50-Msample/s CMOS digital-to-analog converter (DAC) is presented. The circuit employs 9 operational transconductance amplifiers (OTAs) and CMOS transistors as switching circuit. The proposed DAC is simulated using SPICE simulation program with 3μm CMOS technology. Simulation results shows verify good performance of the circuit.
Silicon-based complementary metal oxide semiconductors have revolutionized the field of imaging, especially infrared imaging. Infrared focal plane array imagers are widely applied to night vision, haze food selection, semiconductor detection, and atmospheric pollutant detection. Over past several decades, CMOS integrated circuits modified by traditional bulk materials as sensitivity sensors for...
This paper reports design and fabrication of CMOS temperature sensor circuit using MOSIS 0.25um CMOS technology. The proposed circuit has a temperature coefficient of 13mV/ for °C a wide operating temperature range with a good linearity. This circuit may be applicable to the design of one-chip IC where quartz crystal resonator is mounted on CMOS oscillator chips .
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید