لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...

در بخش اول این تحقیق خواص ساختاری و الکترونی آدامانتان در فاز گاز و همچنین در فاز جامد با روش تابعیت چگالی مورد بررسی قرار گرفت و با یکدیگر مقایسه گردید. سپس یک تا چهار اتم هیدروژن موجود در یک مولکول آدامانتان با سدیم جانشین شد و خواص ساختاری و الکترونی آن ها بررسی گردید. نتایج به دست آمده نشان داد که جانشینی هیدروژن با سدیم باعث کاهش گاف نواری در این ترکیب می گردد. مقایسه نتایج فاز جامد و فاز ...

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلور cdte در دو فاز مکعبی و هگزاگونال و بلور cds در فاز هگزاگونال با استفاده از اصول اولیه و روش تابعی چگالی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده یک گاف نواری مستقیم در امتداد در منطقه اول بریلوئن به اندازه ev 6/0 برای فاز مکعبی بلور cdte وev 8/0 برای فاز هگزاگونال بلور cdte وev 2/1 برای هگزاگونال بلور cds را نشان می دهد. در فاز مکعبی بلور cdte مشاهده می شود ...

بلورهای فوتونی ساختارهای منحصر به فردی هستند که قادرند نحوه¬ی انتشار نور را تنظیم کنند. گاف فوتونی تحت تاثیر عوامل مختلف از جمله زاویه تابشی قرار دارد. با توجه به پیشرفت¬های اخیر در عرصه مخابرات و ارتباطات نوری، انتشار پالس با سرعت¬های فرانوری موضوعی است که توجه بسیاری از اذهان را به خود جلب کرده است یکی از محیط¬هایی که بتوان به سرعت¬های فرانوری دست یافت، بلورهای فوتونی است. هارتمن در سال 1962 ...

در این پایان نامه یک مدار مرجع ولتاژ پایین با توان پایین ارایه گردیده است. در مدار مرجع پیشنهادی تمامی ترانزیستورهای mos در ناحیه زیرآستانه بایاس گردیده اند. در ساختار مدار برای کاهش حجم اشغالی بر روی ویفر و همچنین کاهش توان تلفاتی، از مقاومت استفاده نشده است، برای سازگاری بیشتر با تکنولوژی cmos و جلوگیری از پیچیدگی مراحل ساخت، در مدار فقط از ترانزیستور mos استفاده گردیده است. این مدار شامل سه ...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های lda،gga و pbe0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و کشسانی سولفید استرانسیوم در فاز کلرید سدیم بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل  بارپایسته در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم افزار صورت گرفته است. تابع دی الکتریک برای تابش تا حدود 40 الکترون ولت محاسبه شده است. گاف نواری به دست آمده درراستای  (x-γ)  4933/2الکترون ولت است که با دیگر داده های  موجود سازگاری خوبی دارد.

یکی از روش های بررسی خواص فیزیکی مواد علاوه بر استفاده از روش های آزمایشگاهی استفاده از روش های شبیه سازی کامپیوتری است. روش های مطالعاتی ابتدا به ساکن (حل معادله شرودینگر با استفاده از اصول اولیه کوانتوم) که در آن به حل عددی معادله شرودینگر می پردازد از کارایی بسیاری برخوردار است. در این شیوه بلور مورد مطالعه به صورت یک سیستم بس ذره ای در نظر گرفته می شود و تلاش می شود تا هامیلتونی دستگاه و به...

  PbS semiconductor non-crystals have been synthesized in order to study the modification of their electronic structures and optical properties in relation to their size. The synthesis has been carried out by using the techniques of colloidal chemistry. Strong quantum confinement behavior has been observed based on the analysis of optical spectra of these particles. The average particle size ap...

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم  درسرامیک  درفاز تتراگونال  محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهev5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...