نتایج جستجو برای: مدار فیلم نازک
تعداد نتایج: 14868 فیلتر نتایج به سال:
در این پژوهش استفاده از روش نیرویی اختلاف دقیق در مدل دوفازی شبه پتانسیل برای شبیه سازی پدیده ی برخورد قطره با فیلم نازک مایع در نسبت چگالی 1000 پیشنهاد شده است و اثرات نیروهای اینرسی، کشش سطحی و گرانش بوسیله ی اعداد بدون بعد رینولدز، وبر و باند به طور دقیق بررسی شده اند. برای این منظور نرم افزار متن باز پالابوس توسعه داده شده و روش اختلاف دقیق در آن اعمال شده است. نتایج شبیه سازی در اعداد رینو...
لایه های نازک نانو ساختار پنتاکسید وانادیم و اکسید ایندیم به روش اسپری پایرولیزز لایه نشانی شدند. دمای زیر لایه برای فیلم های v2o5 بین 300 تا 500 و برای in2o3بین 400 تا 500 درجه سلسیوس تغییر داده شد. خواص ساختاری و مورفولوژیکی فیلم ها به وسیله ی آنالیز های xrd و semو afm مورد مطالعه قرار گرفت. حساسیت فیلم های تهیه شده با دماهای مختلف زیر لایه نسبت به بخار اتانول بررسی شد. تصاویر xrd نشان داد که...
در این تحقیق، ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک کربن الماس گونه (dlc)، نانو بلور کربن الماس گونه (ncdlc)، کربن الماس گونه بی شکل(dlac) و به طور کلی کربن های الماس گونه نانو ساختار، همچنین الماس بس بلور (pcd) انجام گردیده است. این فیلم ها با استفاده از دو روش رسوب گذاری بخار شیمیایی حرارتی (tcvd) و سیم ملتهب (hwcvd) تولید شده اند. دو زیر لایه فولاد زنگ نزن نوع 316 و سیلیکون به دلیل کاربرد بسیار زی...
لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...
فیلمهای نازک نانو ساختاری اکسید نیکل با روش غوطه وری سل- ژل تهیه شدند. از سه روش (تابش فروسرخ، آون و مایکروفِر) برای خشک کردن فیلمها استفاده شد. اثر روش خشکسازی روی خواص اپتیکی، مولکولی، الکتریکی، ساختاری و مورفولوژی فیلمها به ترتیب بهوسیله طیف سنج نوری مریی- فرابنفش، طیفسنج تبدیل فوریه فروسرخ، اثر هال، پراش پرتو x، میکروسکوپ نیروی اتمی، و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ثاب...
اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسی...
سلول های خورشیدی کادمیوم تلوراید، جزء نسل دوم سلول های خورشیدی فیلم نازک محسوب می شوند که دارای بازده ی تئوری 30-28% می باشند. در این تحقیق ابتدا، رفتار سلول با در نظر گرفتن سه لایه ی اصلی جاذب نور، پنجره و لایه ی اکسید رسانای شفاف مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا ضخامت لایه پنجره مورد بررسی قرار گرفته است. که به ازای ضخامت ?m 0.5 لایه ی اکسید رسانای شفاف، ?m 0.1 ضخامت لایه ی جاذب نور و ?m...
در این مطالعه ، جریان تلاطمی در اطراف تپه ای گوسی شکل و در تونل آب مدار بسته ، شبیه سازی شده است و با استفاده از سرعت سنج فیلم داغ، سرعت و کمیت های تلاطمی ( مانند شدت و شار تلاطمی ) در قسمت های مختلف مدل، اندازه گیری شده است. در تحلیل این اندازه گیری ها، پربندهای انحراف سرعت میانگین و افت و خیز سرعت پریشیدگی ، همچنین نیم رخ شدت و شار تلاطمی ارائه شده است و نتایج آن با نمونه های مشابهی از کارهای...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید